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[实用新型]涂胶胶盘清洗设备-CN202321285277.4有效
发明人：刘耀聪;孙慧杰 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及清洗设备技术领域，尤其涉及一种涂胶胶盘清洗设备。本实用新型提供的涂胶胶盘清洗设备包括柜体、清洗装置以及废液回收装置；柜体包括顶板、底板、背板、左侧板、右侧板、操作台面以及支撑杆，清洗装置包括清洗桶和排液柱，废液回收装置包括排液管、排液手阀以及废液桶，排液柱设置在清洗桶的中间位置。本实用新型提供的涂胶胶盘清洗设备通过在清洗桶中设置排液柱，能够降低清洗用化学液的使用量，降低成本节约用料；同时整个清洗过程在柜体内完成，减少对环境的污染，提高操作的安全性。
涂胶清洗设备

[发明专利]硅腐蚀液激活方法-CN202011616697.7有效
发明人：方小磊;王冠智;叶武阳;陈艳明;吕磊;陶继闯 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅腐蚀液激活方法，通过将设备初始化后，更换硅腐蚀液、然后将3至5片高掺杂硅片传送至设备的工艺腔内，选好对应的操作程序后，使硅腐蚀液和高掺杂硅片反应，反应后的硅腐蚀液自动返回至容器内，测试硅腐蚀液的腐蚀速率与选择比。采用通常的激活方式得到的硅腐蚀液的腐蚀速率(高掺杂硅)一般为5‑5.5um/min，选择比不高于80。本发明提出的硅腐蚀液激活方法可以将腐蚀速率(高掺杂硅)提高至6.5‑7um/min，选择比在100以上。此外，本发明提出的方法中所使用的激活用硅片可以无限制重复利用，直至厚度过薄无法机械传片。一般来说，激活硅片可以重复利用8‑12次，大大降低了成本。
腐蚀激活方法

[发明专利]晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法-CN202211180068.3在审
发明人：蔡雨杉;孙萱;刘耀聪 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆CMP后沟槽内颗粒沾污的去除方法，包括以下步骤：S1、在晶圆表面沉积二氧化硅薄层；S2、通过干法刻蚀工艺对晶圆沟槽侧壁以外的二氧化硅进行刻蚀后进行CMP工艺处理；S3、通过酸性清洗液对晶圆沟槽内的二氧化硅进行腐蚀后，使镶嵌在沟槽内的大颗粒沾污变为松动状态；S4、使用第一混合清洗液对晶圆进行清洗；S5、使用超声波对晶圆进行清洗；S6、通过兆声波配合第二混合清洗液去除晶圆上的微小颗粒。本发明通过在CMP前淀积二氧化硅薄层，CMP后利用腐蚀二氧化硅使沟槽内颗粒松动，结合超声波、兆声波加清洗液清洗的方式，解决了沟槽结构晶圆在经过CMP工艺加工后产生的颗粒沾污难以去除的问题。
晶圆 cmp 沟槽颗粒沾污去除方法

[发明专利]芯片封装前序的胶体检测方法-CN202211180340.8在审
发明人：李闯;叶武阳;王佳龙;吕磊;王冠智 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装前序的胶体检测方法，包括如下步骤：S1、在无阶台面上刻画点胶图案；S2、用吸盘将玻璃盖板通过点胶的方式贴装在陶瓷载体上，观察玻璃盖板下的胶体覆盖情况；S3、当胶体在无阶台面上产生空洞时，改进点胶图案，重复步骤S1和S2直至胶体在无阶台面不产生空洞；S4、保留胶体不产生空洞的点胶图案；S5、确定点胶图案后，调整参数，通过陶瓷载体的特征尺寸计算出点胶后胶体延展后所覆盖的面积，并计算出胶体贴装后的厚度与倾角。本发明能够直观的观察胶体覆盖的情况并及时对点胶图案做出调整与改善，缩短检测结果的时间，并且计算出胶体覆盖的面积与胶体贴装后的厚度与倾角，调整一定参数使图像传感器像素区域完全被贴装胶覆盖。
芯片封装胶体检测方法

[发明专利]三五族化合物半导体晶圆的加工方法-CN202211210867.0在审
发明人：孙萱;叶武阳;李闯;姜舫 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体三五族化合物晶圆加工方法，包括以下步骤：S1、制作带有中心孔的晶圆环；S2、将晶圆放置在晶圆环的中心孔处，并将晶圆与晶圆环进行粘贴固定；S3、将粘贴后的晶圆和晶圆环放置在设备承片位置，确认成片位置压力显示为35‑50区间后，选择相应程序晶圆完成自动加工，受晶圆材质影响需降低使用压力，压力范围：RR:1.5‑3.5、Z1:0.5‑2.5、Z2:0.5‑2.5；S4、晶圆加工完成后，通过自动解胶机将晶圆与晶圆环分开，得到独立晶圆。本发明提出的加工方法更加简单、有效。通过制作晶圆环的方式，实现小尺寸化合物半导体晶圆的有效化学机械抛光自动加工，提升晶圆表面状态及后续键合效果，且更加适合量产化加工。
三五化合物半导体加工方法

[发明专利]硅晶圆表面凹槽的填平方法-CN202211180066.4在审
发明人：李天成;叶武阳;刘佳晶;孙宣;刘耀聪 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶圆表面凹槽的填平方法，包括如下步骤，S1、通过化学气相沉积的方法在硅晶圆上沉积一层阻挡层；S2、在硅晶圆上沉积一层填充层；S3、采用化学机械研磨的方法，控制研磨温度在30°‑40°之间，利用研磨液，对硅晶圆表面除凹槽内部之外的填充层进行抛磨，由阻挡层保护硅晶圆；S4、不断地重复步骤S2与步骤S3，直到凹槽内部被阻挡层与填充层填满；S5、采用干法刻蚀，将阻挡层与多余的填充层去除。通过采用高选择比的研磨液，在填充凹槽时，不受晶圆尺寸的限制并且晶圆中心部分和边缘部分的均匀性也能得到控制。
硅晶圆表面凹槽填平方法

[发明专利]一种石英常温键合方法-CN202210949095.6在审
发明人：刘佳晶;陈涛;王宣欢;孙萱;方小磊 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种石英常温键合方法，包括：S100，清洗石英片表面；S200，将两个石英片进行二氧化硅沉积，在石英片表面生成二氧化硅键合膜；S300，对二氧化硅键合膜进行化学机械研磨；S400，使用氢氟酸溶液清洗石英片；S500，使两个石英片的二氧化硅键合膜相互接触并通过键合机键合石英片。本方案能够在常温下高可靠性地实现石英和石英的键合。
一种石英常温方法

[实用新型]CMOS图像传感器封装载具-CN202222221286.9有效
发明人：王佳龙;叶武阳;王冠智;李闯;吕磊;姜舫 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种CMOS图像传感器封装载具，其中CMOS图像传感器封装载具包括：载具主体；限位结构，设置于载具主体，限位结构用于放置CMOS图像传感器，限位结构使CMOS图像传感器被夹具吸附或夹持；传送耳边，设置于载具主体，传送耳边用于被传送带传输；夹持槽，设置于载具主体，夹持槽用于使载具主体被夹持。采用本技术方案的CMOS图像传感器封装载具能够适应多种载具运输方式和工艺载台的吸附方式，减少不同工艺机台转换时人为参与程度，减少CMOS图像传感器表面污染，从而提高CMOS图像传感器产品表面洁净度，提高生产的CMOS图像传感器的质量。
cmos 图像传感器装载

[发明专利]优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法-CN202211018411.4在审
发明人：姜舫;叶武阳;方小磊;李闯;孙萱 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法，包括如下步骤：S1、将外延片与纯硅片以及器件晶圆与逻辑电路晶圆进行键合工艺，形成一片晶圆；S2、通过采用机械研磨方式，将外延片或逻辑晶圆的背面研磨至13‑15μm之间并且晶圆总厚度范围至少为2～3μm，通过第一次调整研磨参数以及调整研磨设备内部非接触测量厚度补偿值，使晶圆的厚度呈中间薄，两边厚的状态；S3、通过第二次调整硅片转速、刻蚀反应时间、喷射刻蚀液位置与流量参数，使整片晶圆刻蚀反应速率达到中间最慢，边缘快的状态，刻蚀液将外延片刻蚀到P型外延层，最终得到晶圆总厚度范围在0.05～0.1μm，并且使背部外延片的晶圆厚度达到目标值，最主要是可有效控制晶圆表面厚度范围。
优化湿法腐蚀后晶圆表面厚度范围方法

[发明专利]一种晶圆的传输系统及传输方法-CN201811146935.5有效
发明人：黎大兵 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆传输系统及传输方法，属于微电子技术领域。用于解决现有技术中不同尺寸晶圆在特定尺寸晶圆加工设备上加工的问题时无法进行传输的问题。该传输系统包括用于打开和关闭第一晶圆密封盒的第一开盒机构和第二晶圆密封盒的第二开盒机构；用于将晶圆从第一晶圆密封盒中转移至第二晶圆密封盒的机械手；用于控制所述机械手和开盒机构的控制单元。本发明一种晶圆传输系统及传输方法，能够完成不同尺寸的晶圆在不同密封盒之间的传输，同时也兼顾了相同尺寸晶圆在相同尺寸的晶圆在相同密封盒之间的传输。适应同样尺寸晶圆的分批或合批操作，或者不同尺寸晶圆在特定尺寸晶圆加工设备上加工的问题。
一种传输系统方法

[发明专利]CMOS图像传感器封装载具、设计方法及洁净度提高方法-CN202211012533.2在审
发明人：王佳龙;叶武阳;王冠智;李闯;吕磊;姜舫 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器封装载具、设计方法及洁净度提高方法，其中CMOS图像传感器封装载具包括：载具主体；限位结构，设置于载具主体，限位结构用于放置CMOS图像传感器，限位结构使CMOS图像传感器被夹具吸附或夹持；传送耳边，设置于载具主体，传送耳边用于被传送带传输；夹持槽，设置于载具主体，夹持槽用于使载具主体被夹持。采用本技术方案的CMOS图像传感器封装载具能够适应多种载具运输方式和工艺载台的吸附方式，减少不同工艺机台转换时人为参与程度，减少CMOS图像传感器表面污染，从而提高CMOS图像传感器产品表面洁净度，提高生产的CMOS图像传感器的质量。
cmos 图像传感器装载设计方法洁净提高

[实用新型]胶管夹持装置-CN202221980959.2有效
发明人：吕磊;叶武阳;方小磊;王佳龙;王冠智 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种胶管夹持装置，包括点胶针头与夹持器，点胶针头包括UV胶管连接部分与针头连接部分，在点胶针头整体的内部开设有便于胶体通过的圆柱形空心结构，UV胶管连接部分与UV胶管通过螺纹连接，针头连接部分呈锥形，夹持器包括夹持器固定板与夹持器主体，在夹持器主体开设有便于与UV胶管固定的通孔。本实用新型能够减少点胶过程的控制点，实现胶管和针头直接相连，避免胶水污染与胶水堵塞的问题。
胶管夹持装置

[发明专利]背照式图像传感器焊盘打开方法-CN202210904503.6在审
发明人：方小磊;叶武阳;陈涛;李天成;陶继闯 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式图像传感器焊盘打开方法，包括：根据载片晶圆的图形面通过苏斯光刻机在所述载片晶圆的背面上制作识别图案；将所述载片晶圆与所述传感器晶圆键合为一体式结构，并对所述传感器晶圆进行减薄；通过所述苏斯光刻机识别所述识别图案并在所述传感器晶圆上曝光焊盘图案；对所述焊盘图案进行后期处理实现焊盘打开。采用本技术方案能够采用低成本设备实现背照式图像传感器焊盘的打开。
背照式图像传感器打开方法

[发明专利]在GOI生产中减少CMP大面积边缘剥落的方法-CN202210694560.6在审
发明人：陶继闯;孙萱;李闯 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在GOI生产中减少CMP大面积边缘剥落的方法，包括以下步骤：S1、通过化学气相沉积法分别在长锗硅片和普通硅片表面沉积预设厚度的二氧化硅；S2、对长锗硅片进行改良磨边工艺处理；S3、对普通硅片进行常规化学机械抛光处理，对长锗硅片进行改良化学机械抛光工艺处理，分别得到表面二氧化硅厚度为和长锗硅片和普通硅片；S4、将长锗硅片和普通硅片依次进行键合、退火和减薄处理。本发明通过将普通硅片和长锗硅片相键合的方式，可使GOI硅片在CMP后的边缘剥落控制在7mm左右，大大减少了其边缘剥落的面积，可用面积增加了50％左右，大大提高了GOI硅片的生产良率。
goi 生产减少 cmp 大面积边缘剥落方法

[发明专利]晶圆键合力的测试方法-CN202011616573.9有效
发明人：陈艳明;李闯;刘佳;温丽娜 -专利权人： 长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆键合力的测试方法，通过使用晶圆键合机台将晶圆与晶圆键合、晶圆键合后使用超声波扫描显微镜进行键合空洞扫描、晶圆通过高温退火、退火后使用超声波扫描显微镜再次进行键合空洞扫描、使用刃形刀片匀速插入进晶圆键合界面，等待1分钟后由于虹吸作用去离子水会进入晶圆之间裂缝处，形成去离子水界面介质、将多余的去离子水用氮气枪吹干，将晶圆放入载片盒内使用超声波扫描显微镜进行第三次扫描，扫描到裂缝的形状，大小和位置、通过超声波扫描显微镜给的位置数据，得到裂缝的精准长度、重复多点测试、将裂缝长度代入公式、计算该处键合力，将多点键合力数据算出平均值。
晶圆键合力测试方法

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