“H·钱德拉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果26个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]硅介电膜的选择性淀积-CN202280018485.X在审
发明人： H·钱德拉;R·M·珀尔斯坦;雷新建 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了选择性沉积含硅和氧的介电膜到衬底上的方法。所述方法包括向反应器提供包含电介质表面和金属或金属氢化物表面的衬底的步骤。可将卤化的含硅化合物引入反应器以相比于在金属或金属氢化物表面上更大量地在电介质表面上形成含硅层。可将氮源引入反应器中以与含硅层反应而形成氮化硅膜或碳掺杂氮化硅膜。可将含氧源引入反应器以与氮化硅膜或碳掺杂氮化硅膜反应而形成含硅和氧的介电膜。
硅介电膜选择性

[发明专利]卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法-CN201710325154.1有效
发明人：萧满超;雷新建;M·L·奥内尔;韩冰;R·M·皮尔斯泰恩;H·钱德拉;H·R·伯文;A·德雷克斯凯-科瓦克斯 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体：XmR1nHpSi(NR2R3)4‑m‑n‑pI其中X选自Cl、Br、I；R1选自直链或支链C1‑C10烷基、C2‑C12烯基、C2‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R2选自直链或支链C1‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R3选自支链C3‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。
有机氨基硅烷包含薄膜沉积方法

[发明专利]制备具有高碳含量的含硅膜的方法-CN201910809682.3有效
发明人：雷新建;H·钱德拉;金武性 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种组合物和使用该组合物制造电子器件的方法。本发明公开了用于沉积低介电常数(5.0)和高氧灰化抗性的含硅膜的化合物、组合物和方法，例如但不限于碳掺杂的氧化硅。
制备具有含量含硅膜方法

[发明专利]用于制备含硅和氮的膜的方法-CN202210697477.4在审
发明人： H·钱德拉;雷新建;金武性 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：公开了一种用于电子器件的制造中的组合物和使用该组合物的方法。还公开了用于沉积高质量氮化硅或碳掺杂氮化硅的化合物、组合物和方法。
用于制备方法

[发明专利]用于沉积膜的方法-CN202080090123.2在审
发明人： H·钱德拉;雷新建;D·P·思朋斯;萧满超;R·M·皮尔斯坦;M·R·麦克唐纳;M·B·拉奥 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于将膜沉积到衬底的表面特征中的原子层沉积方法。所述方法可以包括将具有表面特征的衬底放置到反应器中的步骤。有机钝化剂可引入所述反应器中，其可与表面特征内的一部分暴露的羟基反应。随后，可以吹扫未反应的有机钝化剂，并且然后可以引入前体。前体可与未与有机钝化剂相互作用的剩余的暴露羟基反应。随后，可以吹扫未反应的前体，并且可以将氧源或氮源引入所述反应器中以在表面特征内形成膜。
用于沉积方法

[发明专利]用于制备含硅和氮的膜的方法-CN201910809779.4有效
发明人： H·钱德拉;雷新建;金武性 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：公开了一种用于电子器件的制造中的组合物和使用该组合物的方法。还公开了用于沉积高质量氮化硅或碳掺杂氮化硅的化合物、组合物和方法。
用于制备方法

[发明专利]碳掺杂氧化硅的沉积-CN202080012410.1在审
发明人：王美良;雷新建;H·钱德拉;M·R·麦克唐纳 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：用于将包含硅和氧的膜沉积到衬底上的方法包括(a)在反应器中提供衬底；(b)将至少一种选自本文所述的式A、B和C的硅前体化合物引入反应器中，(c)用吹扫气体吹扫反应器；(d)将含氧源和含氮源中的至少一种引入反应器中；和(e)用吹扫气体吹扫反应器，其中重复步骤b至e直到沉积所需厚度的所得含硅膜；以及(f)用R3xSi(NR1R2)4‑x处理所得含硅膜，其中R1‑3与前述相同，优选为甲基或乙基；并且x＝1、2或3；并且其中该方法在约20℃至300℃范围的一个或多个温度下进行。
掺杂氧化沉积

[发明专利]用于沉积氧化硅膜的组合物和方法-CN202110368055.8在审
发明人： A·麦利卡尔珠南;H·钱德拉;萧满超;雷新建;K·S·卡思尔;M·L·奥尼尔 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文描述了用于形成氧化硅膜的组合物和方法。在一个方面，所述膜由具有下式的至少一种前体沉积：R1nSi(NR2R3)mH4‑m‑n，其中R1独立地选自直链C1‑C6烷基、支链C2‑C6烷基、C3‑C6环烷基、C2‑C6烯基、C3‑C6炔基和C4‑C10芳基；其中R2和R3各自独立地选自氢、C1‑C6直链烷基、支链C2‑C6烷基、C3‑C6环烷基、C2‑C6烯基、C3‑C6炔基和C4‑C10芳基，其中R2和R3连接以形成环状的环结构或者不连接；n＝1、2或3；且m＝1或2。
用于沉积氧化组合方法

[发明专利]含硅薄膜的高温原子层沉积-CN202110169653.2在审
发明人：王美良;雷新建;A·麦利卡尔珠南;H·钱德拉;韩冰 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了用于在650℃或更高的一个或多个温度下以原子层沉积工艺沉积氧化硅薄膜的方法和组合物。一方面，提供了一种沉积氧化硅薄膜或材料的方法，包括以下步骤：在反应器中提供衬底；将至少一种选自具有本文描述的式I和II的化合物的卤代硅氧烷前体引入所述反应器中；用吹扫气体吹扫反应器；将氧源引入所述反应器中；和用吹扫气体吹扫反应器；且其中重复步骤直到沉积所需厚度的氧化硅；和所述方法在约650‑1000℃的一个或多个温度下进行。
薄膜高温原子沉积

[发明专利]含硅薄膜的高温原子层沉积-CN201710047967.9有效
发明人：王美良;雷新建;A·麦利卡尔珠南;H·钱德拉;韩冰 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了用于在650℃或更高的一个或多个温度下以原子层沉积工艺沉积氧化硅薄膜的方法和组合物。一方面，提供了一种沉积氧化硅薄膜或材料的方法，包括以下步骤：在反应器中提供衬底；将至少一种选自具有本文描述的式I和II的化合物的卤代硅氧烷前体引入所述反应器中；用吹扫气体吹扫反应器；将氧源引入所述反应器中；和用吹扫气体吹扫反应器；且其中重复步骤直到沉积所需厚度的氧化硅；和所述方法在约650‑1000℃的一个或多个温度下进行。
薄膜高温原子沉积

[发明专利]用于沉积碳掺杂含硅膜的组合物和方法-CN201610536821.6有效
发明人：萧满超;雷新建;R·M·佩尔斯泰恩;H·钱德拉;E·J·小卡瓦基;韩冰;M·L·奥尼尔 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本文描述用于沉积碳‑掺杂含硅膜的组合物，其中所述组合物包含第一前体，该第一前体包括至少一种选自下述的化合物：具有式R5Si(NR3R4)xH3‑x的有机氨基烷基硅烷，其中x＝1、2、3；具有式R6Si(OR7)xH3‑x的有机烷氧基烷基硅烷，其中x＝1、2、3；具有式R8N(SiR9(NR10R11)H)2的有机氨基硅烷，具有式R8N(SiR9LH)2的有机氨基硅烷，及其组合；和任选的第二前体，其包含具有式∶Si(NR1R2)H3的化合物。本文还描述了使用所述组合物沉积碳‑掺杂含硅膜的方法，其中所述方法是选自下述的一种：循环化学气相沉积(CCVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)和等离子体增强CCVD(PECCVD)。
用于沉积掺杂含硅膜组合方法

[发明专利]有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法-CN201610141031.8有效
发明人：萧满超;雷新建;D·P·斯彭斯;H·钱德拉;韩冰;M·L·奥内尔;S·G·玛约加;A·玛利卡尔朱南 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法。本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供式I的前体：其中R1选自直链或支链C3‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C1‑C6二烷基氨基、吸电子基团和C6‑C10芳基；R2选自氢、直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C6烯基、直链或支链C3‑C6炔基、C1‑C6二烷基氨基、C6‑C10芳基、直链或支链C1‑C6氟化烷基、吸电子基团和C4‑C10芳基；任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环；且n＝1或2。
有机氨基硅烷包含薄膜沉积方法

[发明专利]有机氨基硅烷前体和包含该前体的沉积膜的方法-CN201410486674.7有效
发明人： M·L·奥尼尔;萧满超;雷新建;R·霍;H·钱德拉;M·R·麦克唐纳德;王美良 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本文描述了形成含硅膜的前体和方法。一方面，所述前体包含由下式A‑E之一表示的化合物：在一个特定的实施方式中，所述有机氨基硅烷前体对低温(例如，350℃或更低)下的氧化硅或碳掺杂的氧化硅膜的原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)有效。此外，本文描述了包含本文所述的有机氨基硅烷的组合物，其中所述有机氨基硅烷基本上不含选自胺、卤化物(例如Cl、F、I、Br)、较高分子量物质和痕量金属中的至少一种。
有机氨基硅烷包含沉积方法

[发明专利]用于碳掺杂含硅膜的组合物以及使用所述组合物的方法-CN201680019197.0有效
发明人： H·钱德拉;K·S·卡西尔;A·马利卡朱南;雷新建;M·R·麦克唐纳;萧满超;M·B·拉奥;李建恒 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文描述了用于在沉积工艺中形成含硅膜的组合物以及使用所述组合物的方法，所述含硅膜例如是但不限于碳掺杂氧化硅膜、碳掺杂氮化硅、碳掺杂氮氧化硅膜。在一个方面，所述组合物至少包含具有至少一个Si‑C‑Si键和选自卤素原子、氨基及其组合的至少一个锚定基团的环状碳硅烷。
用于掺杂含硅膜组合以及使用方法

[发明专利]用于碳掺杂含硅膜的组合物以及使用所述组合物的方法-CN201780055135.X在审
发明人： H·钱德拉;雷新建;A·马力卡琼南;金武性 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本文公开了一种组合物和在电子器件的制造中使用该组合物的方法。公开了用于沉积低介电常数(<4.0)和高氧灰化抗性的含硅膜(例如但不限于碳掺杂氧化硅)的化合物、组合物和方法。
含硅膜沉积低介电常数碳掺杂氧化硅电子器件碳掺杂抗性高氧灰化制造

1
2
下一页»
尾页
共 26 条