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[发明专利]半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法-CN201310068740.4有效
发明人：迫田尚和;高松弘行;乾昌广;尾岛太 -专利权人：株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明所涉及的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法是利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性的装置及方法。在进行该半导体膜的结晶性评价时，具有指定厚度的介电体板被设置在所述半导体膜中激发光及电磁波所照射的面侧。因此，这样的半导体结晶性评价装置及半导体结晶性评价方法在利用μ-PCD法来评价半导体膜的结晶性时，即使在半导体膜下形成有导电性膜的情况下，也因为设置了所述介电体板而能够评价半导体膜的结晶性。
半导体结晶评价装置方法

[发明专利]结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、薄膜晶体管-CN201080008734.4无效
发明人：加藤智也;尾田智彦;大高盛 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2010-05-10 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶性半导体膜的制造方法、带结晶性半导体膜的基板、以及薄膜晶体管。结晶性半导体膜的制造方法，包括：第1工序，对非结晶性半导体膜照射在短轴和长轴上具有向上凸的连续的光强度分布的连续振荡型激光，使得非结晶性半导体膜的温度成为600℃～1100℃的范围；第2工序，使该非结晶性半导体膜对应于所述600℃～1100℃的温度范围结晶化；以及第3工序，利用通过照射连续振荡型激光而使非结晶性半导体膜结晶化时产生的潜热，使非结晶性半导体膜的面内的预定的温度成为1100℃～1414℃，与1100℃～1414℃的温度范围对应，使结晶化了的非结晶性半导体膜的结晶粒径扩大，所述向上凸的连续的光强度分布具有在所述长轴方向上为预定的强度以上的区域范围，所述区域范围与利用潜热而成为1100℃～1414℃的温度范围的非结晶性半导体膜上的区域对应由此制造具有面内均匀性良好的结晶组织的结晶性半导体膜。
结晶半导体制造方法薄膜晶体管

[发明专利]结晶性氧化物半导体膜、半导体装置及半导体系统-CN201710772734.5有效
发明人：德田梨绘;织田真也;人罗俊实 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。
结晶氧化物半导体装置系统

[发明专利]薄膜晶体管阵列器件、有机EL显示装置以及薄膜晶体管阵列器件的制造方法-CN201080002966.9无效
发明人：斋藤彻;加藤智也 -专利权人：松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：薄膜晶体管阵列器件(100)具备：驱动用TFT(10a)，其具有由第一平均结晶粒径的晶粒构成的第一结晶性半导体膜(5a)；和开关用TFT(10b)，其具有由平均结晶粒径比第一平均结晶粒径小的第二平均结晶粒径的晶粒构成的第二结晶性半导体膜对于第一结晶性半导体膜(5a)和第二结晶性半导体膜(5b)，通过使用具有高斯分布的光强度分布的激光以使非结晶性半导体膜的温度变成600℃～1100℃的范围的方式对非结晶性半导体膜进行激光照射来形成，第一结晶性半导体膜第二结晶性半导体膜(5b)与形成第一结晶性半导体膜(5a)同时地形成。
薄膜晶体管阵列器件有机 el 显示装置以及制造方法

[发明专利]结晶性氧化物半导体膜及氧化镓膜的制造方法、以及纵向型半导体装置的制造方法-CN202080095445.6在审
发明人：渡部武纪;桥上洋 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶性氧化物半导体膜的制造方法，该方法包括以下工序：在衬底上层叠结晶性氧化物半导体层及光吸收层，通过对该光吸收层照射光，使所述光吸收层分解，将所述结晶性氧化物半导体层与所述衬底分离，由此制造结晶性氧化物半导体膜的工序由此，本发明提供一种能够有利于工业上制造结晶性氧化物半导体膜、例如能够用于半导体装置(特别是纵向型的元件)的结晶性氧化物半导体膜的方法。
结晶氧化物半导体氧化制造方法以及纵向装置

[发明专利]半导体薄膜及使用这种薄膜的半导体器件的制造方法-CN94112771.0无效
发明人：船井尚;牧田直树;山元良高;森田达夫 -专利权人：夏普公司
申请日： 1994-12-27 - 公布日： 1999-10-13 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明之半导体膜的制造方法，包含$（ａ）于表面具有绝缘性的基板上形成非晶半导体膜的工艺步骤；$（ｂ）将可促进该非晶半导体膜结晶化的物质导入该非晶半导体膜的至少一部分区域的工艺步骤；$（ｃ）借助于加热该非晶半导体膜使之结晶化，而从该非晶半导体膜得到结晶性半导体膜的工艺步骤；$（ｄ）使该结晶性半导体膜的表面氧化，该结晶性半导体膜的表面形成一含有可促进结晶化的物质的一部分的氧化半导体膜的工艺步骤。
半导体薄膜使用这种半导体器件制造方法

[发明专利]结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置-CN201910634324.3在审
发明人：人罗俊实;织田真也 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的是提供结晶性氧化物半导体薄膜以及半导体装置，所述结晶性氧化物半导体薄膜用于形成半导体特性出色的结晶性层叠结构体。所述结晶性氧化物半导体薄膜具有刚玉结构，所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，膜厚为1μm以上，并且至少含有镓。
结晶性氧化物半导体薄膜半导体装置表面粗糙度Ra 半导体特性层叠结构体结晶性刚玉膜厚

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201810759140.5在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人： FLOSFIA株式会社
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶性半导体膜板状体半导体装置氧化物半导体半导体结构半导体特性半导体膜放热性漏电流耐压性氧化物刚玉膜厚半导体

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201911117985.5在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶半导体板状体以及装置

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201911118113.0在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶半导体板状体以及装置

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201911118243.4在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶半导体板状体以及装置

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201911118416.2在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶半导体板状体以及装置

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201911118471.1在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶半导体板状体以及装置

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201911118630.8在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶半导体板状体以及装置

[发明专利]结晶性半导体膜和板状体以及半导体装置-CN201911118500.4在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
结晶性半导体膜板状体半导体装置氧化物半导体半导体结构半导体特性半导体膜放热性漏电流耐压性氧化物刚玉膜厚半导体

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