[发明专利]半导体超结功率器件在审
| 申请号： | 201811541595.6 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111326585A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 袁愿林;刘磊;刘伟;王睿 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
1.一种半导体超结功率器件，其特征在于，包括：
n型漏区；
位于所述n型漏区之上的第一n型外延层；
位于所述第一n型外延层之上的第二n型外延层；
位于所述第二n型外延层内的交替排列的p型体区和p型柱状掺杂区，所述p型柱状掺杂区向靠近所述n型漏区的一侧延伸至所述第一n型外延层内，所述p型柱状掺杂区接源极电压；
位于所述p型体区内的n型源区；
位于所述第二n型外延层内且介于所述p型体区和所述p型柱状掺杂区之间的栅沟槽；
位于所述栅沟槽中的控制栅和屏蔽栅，所述控制栅、所述屏蔽栅、所述第二n型外延层、所述p型柱状掺杂区之间由绝缘介质层隔离。
2.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述控制栅接栅极电压，所述屏蔽栅接源极电压。
3.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述第二n型外延层的厚度小于所述第一n型外延层的厚度。
4.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述第二n型外延层的电阻率小于所述第一n型外延层的电阻率。
5.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述控制栅位于所述栅沟槽的上部内，所述屏蔽栅位于所述栅沟槽的下部内。
6.如权利要求5所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述屏蔽栅向上延伸至所述栅沟槽的上部内。
7.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述栅沟槽的上部的宽度大于所述栅沟槽的下部的宽度。
8.如权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述栅沟槽向靠近所述n型漏区的一侧延伸至所述第一n型外延层内。
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