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- [发明专利]一种分栅结构的超结功率器件-CN201711059861.7有效
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袁愿林;刘磊;刘伟;龚轶
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苏州东微半导体有限公司
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2017-11-01
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2020-12-01
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H01L27/06
- 本发明实施例公开了一种分栅结构的超结功率器件，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、第三栅极、体二极管和体区接触二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述体区接触二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述体区接触二极管的阴极与所述源极连接，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第一电流沟道的开启和关断，所述第二栅极、第三栅极与所述源极连接，所述第二栅极通过源极电压来控制所述源极和所述漏极之间的第二电流沟道的开启和关断，所述第三栅极为屏蔽栅极并通过源极电压来提高该分栅结构的超结功率器件的耐压。
- 一种结构功率器件
- [发明专利]半导体超结功率器件-CN201811541595.6在审
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袁愿林;刘磊;刘伟;王睿
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苏州东微半导体有限公司
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2018-12-17
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2020-06-23
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H01L29/78
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体超结功率器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的第一n型外延层；位于所述第一n型外延层之上的第二n型外延层；位于所述第二n型外延层内的交替排列的p型体区和p型柱状掺杂区，所述p型柱状掺杂区向靠近所述n型漏区的一侧延伸至所述第一n型外延层内，所述p型柱状掺杂区接源极电压；位于所述p型体区内的n型源区；位于所述第二n型外延层内且介于所述p型体区和所述p型柱状掺杂区之间的栅沟槽；位于所述栅沟槽中的控制栅和屏蔽栅，所述控制栅、所述屏蔽栅、所述第二n型外延层之间由绝缘介质层隔离。
- 半导体功率器件
- [发明专利]半导体功率器件-CN201811364479.1在审
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袁愿林;刘伟;刘磊;毛振东
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苏州东微半导体有限公司
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2018-11-16
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2020-05-26
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H01L25/07
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：封装在同一个封装体内的第一MOSFET功率器件芯片和第二MOSFET功率器件芯片，其中：所述第一MOSFET功率器件芯片的漏极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的源极金属层电性连接；所述第一MOSFET功率器件芯片的源极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的栅极金属层均接所述封装体的源极引脚；所述第一MOSFET功率器件芯片的栅极金属层接所述封装体的栅极引脚；所述第二MOSFET功率器件芯片的漏极金属层接所述封装体的漏极引脚。本发明能够降低半导体功率器件的特征导通电阻。
- 半导体功率器件
- [发明专利]一种半导体功率器件-CN201811147319.1在审
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王睿;刘伟;毛振东;袁愿林
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苏州东微半导体有限公司
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2018-09-29
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2020-04-07
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H01L29/78
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的至少一个栅沟槽；位于所述栅沟槽中的栅介质层、第一控制栅、第二控制栅、隔离介质层和屏蔽栅；位于所述半导体衬底中且靠近所述第一控制栅一侧的体区；位于所述体区中的源区；位于所述体区上方的一个源极接触孔，所述源极接触孔延伸至所述栅沟槽上方，所述体区、所述源区、所述第一控制栅和所述屏蔽栅均通过所述源极接触孔中的源极金属层外接源极电压。本发明可以减小半导体功率器件中相邻的栅沟槽之间的间距，从而可以提高半导体衬底的掺杂浓度，降低导通电阻。
- 一种半导体功率器件
- [发明专利]一种IGBT功率器件-CN201811147326.1在审
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刘磊;刘伟;毛振东;袁愿林
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苏州东微半导体有限公司
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2018-09-29
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2020-04-07
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H01L29/739
- 本发明属于IGBT功率器件技术领域，具体公开了一种IGBT功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的至少一个栅沟槽；位于所述栅沟槽中的栅介质层、第一控制栅、第二控制栅、隔离介质层和屏蔽栅；位于所述半导体衬底中且靠近所述第一控制栅一侧的体区；位于所述体区中的发射极区；位于所述体区上方的一个发射极接触孔，所述发射极接触孔延伸至所述栅沟槽上方，所述体区、所述发射极区、所述第一控制栅和所述屏蔽栅均通过所述发射极接触孔中的发射极金属层外接发射极电压。本发明可以减小IGBT功率器件中相邻的栅沟槽之间的间距，降低IGBT功率器件芯片的面积。
- 一种igbt功率器件
- [发明专利]半导体功率器件-CN201811147920.0在审
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袁愿林;刘伟;毛振东;刘磊
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苏州东微半导体有限公司
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2018-09-29
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2020-04-07
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H01L29/78
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的至少一组相邻的第一栅沟槽和第二栅沟槽；位于所述第一栅沟槽和第二栅沟槽之间的体区；位于所述体区中的源区；分别位于所述第一栅沟槽和第二栅沟槽中的栅介质层和控制栅；位于所述体区上方的一个源极接触孔，所述源极接触孔延伸至所述第一栅沟槽上方，所述体区、所述源区和所述第一栅沟槽中的控制栅均通过所述源极接触孔中的源极金属层外接源极电压。本发明可以减小半导体功率器件中相邻的栅沟槽之间的间距，从而可以提高半导体衬底的掺杂浓度，降低导通电阻。
- 半导体功率器件
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