“zno”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13733个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种固相生长ZnO纳米棒的制备方法-CN200910244970.5无效
发明人：袁志好;张平;段月琴 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：一种固相生长ZnO纳米棒的制备方法，属于化学、化工领域，特别是关于一种ZnO纳米棒的制备方法。其具体步骤如下：将氢氧化锂、醋酸锌和无水乙醇混合，水浴加热制备ZnO纳米颗粒溶胶；真空干燥，得到ZnO纳米颗粒凝胶；所得凝胶研磨成粉后，经过热处理，即可获得ZnO纳米棒。本发明的优点和积极效果：该方法实验条件温和、工艺简单、成本低；获得的ZnO纳米棒比表面积大、分散性好，这特别有利于ZnO纳米材料在气敏和光催化领域的应用。
一种相生 zno 纳米制备方法

[发明专利]一种在ITO PET薄膜上生长ZnO纳米棒阵列的制备工艺-CN200910272850.6无效
发明人：胡安正;黄新堂 -专利权人：襄樊学院
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在柔性氧化铟锡导电聚酯薄膜(ITO PET)上制备ZnO纳米棒阵列(ZnO-NRDs)的制备工艺，先利用磁控溅射设备在柔性ITO PET上预制备ZnO种晶，再用低温液相法大面积生长出ZnO-NRDs，这种制备工艺不仅很好地解决了无法直接在ITO PET上生长ZnO-NRDs的问题，还可以根据需要调控ZnO-NRDs的疏密度和与基底粘附力。本发明在ITO PET上制备出的一维ZnO-NRDs，可广泛应用于纳米电子、纳米光电子，尤其是柔性电致变色器件等许多领域。
一种 ito pet 薄膜生长 zno 纳米阵列制备工艺

[发明专利]一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用-CN200310113384.X无效
发明人：张洪洲;徐向宇;俞大鹏 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-11-18 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌纳米线及其制备方法与应用，目的是提供一种ZnO纳米线及其制备方法与ZnO纳米线阵列。本发明所提供的ZnO纳米线，它的直径为20－60nm，尖端曲率半径3－10nm。本发明所提供的ZnO纳米线阵列，是在金属网格均匀生长的ZnO纳米线，所述ZnO纳米线的直径为20－60nm，尖端曲率半径3－10nm。本发明的方法可以在厘米量级上的大面积生长高取向(垂直于金属网格)、高纯度、高密度且直径均一的ZnO纳米线。
一种氧化锌纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种Mg-K共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法-CN201010220372.7无效
发明人：叶志镇;张利强;蒋杰;黄靖云;张银珠;张维广;张俊;朱丽萍 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L33/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mg-K共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法。Mg-K共掺的ZnO基发光二极管包括Al2O3单晶衬底，在所述Al2O3单晶衬底的一个面上沉积有Ga掺杂n型ZnO薄膜层，在所述Ga掺杂n型ZnO薄膜层上沉积有Mg-K共掺p型ZnO薄膜层，且所述Ga掺杂n型ZnO薄膜层上还沉积有负电极，在所述Mg-K共掺p型ZnO薄膜层上沉积有正电极。与V族元素掺杂相比，本发明的Mg-K共掺p型ZnO薄膜层以金属K离子掺杂，固溶度高，受主能级浅，所得的Mg-K共掺p型ZnO薄膜层具有良好的稳定性和可重复性；且该p型ZnO薄膜层由于使用Mg和K两种元素共掺杂，进一步地提高了p型层性能的稳定性；并使Mg-K共掺p型ZnO薄膜层的空穴浓度可高达1.0×1017cm-3～5.0×1018cm-3。
一种 mg zno 发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种丝网印刷辅助溶胶‑凝胶法制备掺杂ZnO薄膜的方法-CN201610557652.4在审
发明人：何哲;余梅;陈恒雷;张红燕;陈艳华 -专利权人：新疆大学
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种丝网印刷辅助溶胶‑凝胶法制备掺杂ZnO薄膜的方法，该方法包括衬底材料的筛选及表面处理、掺杂ZnO溶胶的配制、丝网印刷掺杂ZnO薄膜和高温退火等步骤。优选地，在丝网印刷辅助溶胶‑凝胶法制备掺杂ZnO薄膜的步骤中还包括丝网印刷掺杂ZnO薄膜过程中丝网目数的优化、薄膜厚度和退火温度的调控的步骤，经过上述处理可得到室温下低电阻率和高效率紫外激光发射的掺杂ZnO
一种丝网印刷辅助溶胶凝胶法制掺杂 zno 薄膜方法

[发明专利]一种多孔碳包覆ZnO纳米复合材料及其制备方法-CN201610600408.1在审
发明人：李星;赵亚云;刘素娟 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： B01J23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔碳包覆ZnO纳米复合材料及其制备方法。本发明采取一种简单的包覆再煅烧的方法来合成多孔碳包覆ZnO纳米复合材料，制备过程简单，首先以2‑甲基咪唑与ZnO纳米颗粒为原料构建ZnO异质结构材料，再将获得的材料煅烧，获得在ZnO表面负载一层多孔碳纳米复合材料即获得多孔碳包覆ZnO纳米复合材料；所制备的材料在降解有机染料领域具有极大的应用前景。
一种多孔碳包覆 zno 纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]一种ZnO负载的复合材料、其制备方法及其应用-CN202210508684.0在审
发明人：吴文龙;李洪良;陈悦;曾杰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B01J23/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种ZnO负载的复合材料，由六方纤锌矿的002晶面ZnO纳米片和负载在所述002晶面ZnO纳米片表面的Cu单原子组成。本申请还提供了ZnO负载的复合材料的制备方法及其应用。本申请提供的ZnO负载的复合材料由于002晶面ZnO纳米片以及Cu单原子的协同作用，使得其用于CO2加氢制备甲醇具有催化活性好、选择性高和稳定性强的优点。
一种 zno 负载复合材料制备方法及其应用

[发明专利]NiO-ZnO球链状纳米材料及其制备方法和应用-CN201910077570.3有效
发明人：郭海中;李顺方;董子斌;罗毅;相文峰 -专利权人：郑州大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B01J23/78 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料领域，具体而言，提供了一种NiO‑ZnO球链状纳米材料及其制备方法和应用。所述NiO‑ZnO球链状纳米材料主要由NiO‑ZnO球状颗粒顺次连接而成；所述NiO‑ZnO球状颗粒为以Ni‑Zn为核，以NiO‑ZnO为壳的核壳结构的颗粒。该材料具有p‑n异质结结构，呈球链状，该材料具有NiO半导体和ZnO半导体所不能达到的优良的光催化特性、光电特性、压敏特性和气敏特性等。
nio zno 球链状纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]空穴注入材料及其制备方法和QLED器件-CN201711349350.9有效
发明人：何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该空穴注入材料包括p型ZnO，所述p型ZnO为磷掺杂ZnO纳米材料，且所述p型ZnO表面修饰有脂肪酸。该空穴注入材料提高了p型ZnO纳米材料的受主能级，减小ZnO的禁带宽度，抑制了自补偿效应，从而提高空穴的注入能力，促进电子‑空穴有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高QLED器件的发光性能。
空穴注入材料及其制备方法 qled 器件

[发明专利]面向ZnO压电传感器制造的介电泳装配方法-CN201010574712.6无效
发明人：田孝军;许可;董再励 -专利权人：中国科学院沈阳自动化研究所
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米操作领域，公开一种面向ZnO压电传感器制造的介电泳装配方法。将酒精分析纯溶液与ZnO混合，经超声振荡和脉冲后，实现ZnO有效分散，即完成预处理。再利用介电泳技术实现对ZnO在微电极上的有效可控装配。本发明提出的方法，对ZnO所具有的物理、化学性质不会产生任何破坏，可操作性与可重复性强，为ZnO压电传感器的制造提供了新的可行技术途径。
面向 zno 压电传感器制造电泳装配方法

[发明专利]ZnO蒸镀材料及由其形成的ZnO膜-CN200780014294.1有效
发明人：黛良享 -专利权人：三菱麻铁里亚尔株式会社
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于成膜透明导电膜的ZnO蒸镀材料，其中包含ZnO纯度为98％以上的ZnO的粒料，粒料含有选自Y、La、Sc、Ce、Pr、Nd、Pm及Sm的1种或2种以上的稀土类元素。ZnO的粒料为多晶体或单晶体。通过以该ZnO蒸镀材料为靶材料的真空成膜法而形成的ZnO膜，能够得到良好的导电性。该真空成膜法优选为电子束蒸镀法、离子镀法或溅射法。
zno 材料形成

[发明专利]一种ZnO/NiFe2O4纳米阵列复合异质结材料及其制备的太阳能电池-CN201710302712.2在审
发明人：何祖明;黄正逸;唐斌;江兴方;伊聪 -专利权人：常州大学怀德学院
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO/NiFe2O4纳米阵列复合异质结材料,采用以下步骤制备1)、NiFe2O4凝胶的制备；2)、将ZnO纳米棒阵列安装在镀膜机上，镀膜机的旋转速度为1200转/min，把NiFe2O4凝胶滴加到ZnO纳米棒阵列，180℃燥30分钟，将NiFe2O4凝胶循环重复滴加至ZnO纳米棒阵列中，至NiFe2O4自下而上充分填充到ZnO纳米棒阵列的空隙中，NiFe2O4薄膜将ZnO纳米棒的全面包覆，经过热处理形成ZnO/NiFe2O4复合纳米异质结。同时公开了一种太阳能电池，依次包括ITO或FTO导电玻璃基底、ZnO晶种层、ZnO纳米棒阵列、NiFe2O4薄膜、金属电极或导电氧化物电极和ITO或FTO导电玻璃基底。
一种 zno nife2o4 纳米阵列复合异质结材料及其制备太阳能电池

[发明专利]一种基于电场分布调控的高增益紫外雪崩探测器及其制备方法-CN202110074074.X在审
发明人：于吉;田宁 -专利权人：沈阳师范大学
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电场分布调控的高增益紫外雪崩探测器，该探测器为Ag纳米颗粒修饰的Au/MgO/ZnO/Al结构的ZnO肖特基型紫外雪崩探测器；包括衬底层，所述衬底层上设有紫外光吸收层ZnO薄膜，在ZnO薄膜的一侧设有载流子雪崩倍增层MgO介电薄膜，所述ZnO薄膜和MgO介电薄膜上分别设有铝电极和金电极，其中ZnO薄膜上还设有Ag纳米颗粒修饰层。本发明所设计的器件结构有利于将电场限定在倍增层，从而有利于在倍增层中实现高电场，由于高电场能够实现载流子的高雪崩增益，因此在该结构中能够实现高增益的ZnO紫外雪崩探测器。本发明与已有的ZnO紫外雪崩探测器相比，具有高增益的优点，进而将达到实现高性能ZnO紫外雪崩探测器的目的。
一种基于电场分布调控增益紫外雪崩探测器及其制备方法

[发明专利]一种ZnO紫外光电探测器及制备方法-CN202211285871.3在审
发明人：赵艳芳;李鹏;包凯琦;庄光亮;封士锐;肖原彬 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明属于紫外探测器技术领域，具体涉及一种ZnO紫外光电探测器及制备方法。本发明包括从下至上依次设置的ITO玻璃衬底、n型低维ZnO纳米线结构层、Mg或Cd掺ZnO薄膜层、p型低维ZnO纳米线结构层和上电极层。本发明在p层和n层之间加入Mg或Cd掺ZnO薄膜层可有效拓宽p‑n结耗尽区，同时Mg掺ZnO不但与纯ZnO导电性相似且禁带宽度连续可调，构成自驱动型紫外光电探测器结构，能够有效解决现有的p‑n同质结ZnO紫外光电探测器的p‑n结耗尽区较窄的问题，同时在低维p型低维ZnO纳米线结构层表面沉积Ag纳米颗粒，提高光生电流的产生以及光生载流子的输运最终制备出具有高光响应度紫外光电探测器。
一种 zno 紫外光电探测器制备方法

[发明专利]应用于染料废水处理的Ce掺杂花状ZnO光催化剂及其制备方法-CN201510383834.X有效
发明人：马建中;惠爱平;刘俊莉 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：本发明涉及应用于染料废水处理的Ce掺杂花状ZnO光催化剂及其制备方法。ZnO作为一种光催化剂，存在可见光的利用率低、光生电子复合率高等缺陷，限制了ZnO光催化的性能。本发明以氢氧化钠为碱源，六水合硝酸锌为ZnO的晶种来源，十二烷基硫酸钠为分散剂，六水合硝酸铈为掺杂剂，乙醇和水的混合液为溶剂，经机械搅拌、超声、微波辅助水热法合成、离心、干燥等步骤制备的ZnO形貌为花状结构光催化降解实验表明，向ZnO晶格结构中引入杂原子Ce可以有效的抑制ZnO内部光生电子与光生空穴（e‑/h+）的复合，拓宽ZnO的光谱响应范围，这对于提高纳米ZnO光催化对可见光的利用效率提供了切实可行的参考依据
应用于染料废水处理 ce 掺杂 zno 光催化剂及其制备方法