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- [发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层的原子层沉积制备方法-CN201510444958.4有效
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杨雯;赵恒利;杨培志;段良飞;李学铭
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云南师范大学
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2015-07-27
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2023-07-07
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H01L31/0296
- 本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层的沉积方法，该方法的特征是采用二乙基锌（DEZn）、双环戊二茂镁（MgCP2）、H2S作为Zn、Mg和S的前躯体源进行原子层沉积，得到Zn1‑xMgxS缓冲层材料。此方法具有沉积速度稳定、薄膜致密性好、性能优异等特点。Zn1‑xMgxS作为CIGS薄膜太阳电池的一种新型缓冲层材料，具有无镉、环境友好的特点；通过调节ZnS的Mg掺杂比例，可得到比ZnS更合适的晶格参数，降低了其与吸收层CIGS界面间的失配度，改善了界面质量；随着Mg含量x的变化，还能调节Zn1‑xMgxS薄膜的带隙，弥补硫化锌带隙偏小的缺点；Zn1‑xMgxS的带隙增加还可增强紫外区的透光率，进而提高铜铟镓硒薄膜太阳电池的光电转换效率；采用原子层沉积（ALD）制备的薄膜由于致密性好，还可抑制由于薄膜致密性不理想产生的微针孔而导致的电池内部短路现象，改善电池的性能。
- 一种铜铟镓硒薄膜太阳电池缓冲原子沉积制备方法
- [发明专利]一种梯度界面态增强的自供能光电探测器-CN202310412313.7在审
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王兆娜;朱蒙
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北京师范大学
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2023-04-18
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2023-06-23
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H01L31/0296
- 本发明公开了一种梯度界面态的实现方法和一种梯度界面态增强的自供能光电探测器，包括p‑Si基底，梯度界面态分布的n型氧化物半导体薄膜和导电电极；所述的梯度界面态分布通过同时施加偏置电压和紫外光辐照的方法获得，获得的带负电的界面态浓度沿p‑n结界面向顶部电极方向增大，减小了界面转移电阻，获得了增强的p‑n结等效内建电场，进而降低界面处载流子的复合几率，提升了热释电光电子学效应，提高了光生载流子的瞬态输运效率。所述的梯度界面态产生方法具有灵活、容易实现的特点；所述的梯度界面态增强的自供能光电探测器的响应度和探测能力相较于均匀界面态分布提升显著，并且增强效果具有在紫外‑可见‑近红外光区普遍适用的特点，可广泛应用于热成像、环境监测、智能农业、生物医学、导弹制导和空间通讯等民用和军事领域。
- 一种梯度界面增强自供光电探测器
- [发明专利]一种n型双面碲化镉太阳电池-CN202111387918.2有效
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何帆
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乐山职业技术学院
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2021-11-22
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2023-04-25
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H01L31/0296
- 本发明提供了一种n型双面碲化镉太阳电池，旨在解决现有技术中n型CdTe太阳电池光吸收效果较差，n型CdTe太阳电池综合性能较差的问题。一种n型双面碲化镉太阳电池，从正面到背面依次包括：玻璃衬底、透光前电极、窗口层、n型CdTe吸收层、宽禁带的透明缓冲层和透光背电极；n型CdTe吸收层和过渡金属氧化物薄膜之间形成内建电场；透明缓冲层的功函数低于n型CdTe吸收层的功函数，n型CdTe吸收层和透明缓冲层之间形成背电场；窗口层为高功函数的过渡金属氧化物薄膜。解决了现有技术中n型CdTe太阳电池吸光效果差的问题，结合n型CdTe吸收层容易与材料形成欧姆接触，解决了现有技术中p型CdTe吸收层的高背面势垒的问题。
- 一种双面碲化镉太阳电池
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