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- [发明专利]Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法-CN200910153719.8有效
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叶志镇;潘新花
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浙江大学
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2009-11-02
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2010-06-23
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C30B25/02
- 本发明公开的Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法,首先采用反应分子束外延方法在Si衬底上生长Lu2O3或Sc2O3或Gd2O3单晶薄膜缓冲层;然后在带有单晶薄膜缓冲层的Si衬底上采用周期生长ZnO薄膜,先在200~280℃下,沉积一层5~20nm厚的ZnO缓冲层,然后升温至500~700℃,沉积一层厚度小于500nm的ZnO薄膜,将其以小于等于5℃/min的速率降温至200~280℃,再次沉积一层5~20nm厚的ZnO缓冲层,升温至500~700℃,再次沉积一层厚度小于500nm的ZnO薄膜,重复上述生长步骤,生长多个周期,得到几个微米厚且无微裂纹的ZnO外延薄膜,本发明方法简单,易于实现。
- si衬底生长zno外延薄膜方法
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