专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法-CN201710933791.7在审
  • 叶建东;张彦芳;任芳芳;朱顺明;唐东明;杨燚;顾书林 - 南京大学
  • 2017-10-10 - 2018-04-06 - H01L31/0216
  • 一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法,ZnO基薄膜是在蓝宝石衬底上使用MOCVD方法生长的外延层薄膜,采用先低温缓冲层然后现高温外延生长相结合的两步生长法,解决蓝宝石衬底与ZnO材料之间的失配;低温缓冲层厚度约为200‑400nm,高温外延层厚度约为2‑5μm;然后采用激光剥离的方法将制备的ZnO基外延层与蓝宝石衬底的分离激光剥离外延层时,调节激光光束聚焦于样品,从蓝宝石一侧照射样品,蓝宝石对该入射激光透明,而ZnO对该激光有强烈吸收。本发明提出的获得ZnO基自支撑薄膜的剥离工艺简单,成本低,易于制备,有利于改善ZnO基光电子器件性能和制备柔性电子器件。
  • 一种zno支撑薄膜制备方法
  • [发明专利]Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法-CN200910153719.8有效
  • 叶志镇;潘新花 - 浙江大学
  • 2009-11-02 - 2010-06-23 - C30B25/02
  • 本发明公开的Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法,首先采用反应分子束外延方法在Si衬底上生长Lu2O3或Sc2O3或Gd2O3单晶薄膜缓冲层;然后在带有单晶薄膜缓冲层的Si衬底上采用周期生长ZnO薄膜,先在200~280℃下,沉积一层5~20nm厚的ZnO缓冲层,然后升温至500~700℃,沉积一层厚度小于500nm的ZnO薄膜,将其以小于等于5℃/min的速率降温至200~280℃,再次沉积一层5~20nm厚的ZnO缓冲层,升温至500~700℃,再次沉积一层厚度小于500nm的ZnO薄膜,重复上述生长步骤,生长多个周期,得到几个微米厚且无微裂纹的ZnO外延薄膜,本发明方法简单,易于实现。
  • si衬底生长zno外延薄膜方法

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