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[发明专利]一种核壳结构发白光器件及其制备方法-CN201710706337.8在审
发明人：王彩凤 -专利权人：滨州学院
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及光电集成技术领域，具体地说是一种核壳结构发白光器件及其制备方法，其特征在于所述的该发白光器件的底部衬底为GaN衬底层，GaN衬底层的上方设有ZnO薄膜种子层，ZnO薄膜种子层上方设有ZnO纳米棒，所述的ZnO纳米棒周围包覆ZnSMn薄膜壳层，ZnO纳米棒和ZnSMn薄膜壳层构成ZnO/ZnSMn核壳纳米棒阵列，ZnSMn薄膜壳层、ZnO纳米棒、ZnO薄膜种子层、GaN衬底层构成ZnSMn/ZnO/GaN核壳纳米棒阵列器件，ZnSMn/ZnO/GaN核壳纳米棒阵列器件在325nm波长的紫外光激发下，GaN衬底层发出的蓝光可以透过上面材料，并与ZnO纳米棒的黄绿光和ZnSMn薄膜壳层的橙红光叠加在一起
一种结构白光器件及其制备方法

[发明专利]一种基于CFs/ZnO纳米阵列的PEC型紫外探测器的制备方法-CN202310352315.1在审
发明人：潘孝军;张鑫淼;王纲;白兆文;李江;谢二庆;周金元 -专利权人：兰州大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于CFs/ZnO纳米阵列的PEC型柔性紫外探测器的制备方法；包括：步骤(1)，对基底进行预处理；步骤(2)，利用浸泡法在基底上制备CFs/ZnO种子层；步骤(3)，在CFs/ZnO种子层上利用水热法制备CFs/ZnO光阳极；步骤(4)，将CFs/ZnO光阳极与对电极封装，注入电解液，得到基于CFs/ZnO纳米阵列的PEC型柔性紫外探测器。本发明首次提出了一种基于CFs/ZnO纳米阵列的PEC型紫外探测器的制备方法，将碳纤维作为基底，利用浸泡法在碳纤维表面制备CFs/ZnO种子层；并利用水热法在种子层上制备CFs/ZnO光阳极；将制备的CFs/ZnO的光阳极、对电极与参比电极封装，注入电解液，得到基于CFs/ZnO纳米阵列的PEC型紫外探测器，该紫外探测器柔性高，可以实现自供能，制作方法简单，制备成本低廉。
一种基于 cfs zno 纳米阵列 pec 紫外探测器制备方法

[发明专利]应用于染料废水处理的Ce掺杂球形ZnO光催化剂及其制备方法-CN201510383733.2有效
发明人：刘俊莉;惠爱平;李妍;马建中 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：本发明涉及应用于染料废水处理的Ce掺杂球形ZnO光催化剂及其制备方法。ZnO作为一种光催化剂，存在可见光利用率低、光生电子复合率高等缺陷，限制了ZnO光催化性能。本发明以六水合硝酸锌为ZnO的晶种来源，六亚甲基四胺为碱源，氨水为体系pH调节剂，柠檬酸钠为球形ZnO形貌诱导剂，六水合硝酸铈为掺杂剂，制得Ce掺杂球形ZnO光催化剂。本发明将Ce掺杂到球状ZnO的晶体结构中，可以明显改善ZnO表面状态，有利于产生更多的表面羟基，同时可以抑制光生电子与光生空穴（e‑/h+）的复合，拓宽ZnO的光谱响应范围，提高ZnO对紫外光和可见光的利用率，进而提高ZnO光催化降解染料的活性。
应用于染料废水处理 ce 掺杂球形 zno 光催化剂及其制备方法

[发明专利]ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法-CN202010947161.7有效
发明人：何云斌;汪洋;黎明锴;尹魏玲;卢寅梅;李磊;常钢;李派;张清风;尹向阳;郭启利;李永昌 -专利权人：湖北大学;广州金升阳科技有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明提供了一种ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器及其制备方法，该ZnO基同质结自驱动紫外光光电探测器，包括：衬底；第一n‑ZnO薄膜层，位于衬底表面；第二n‑ZnO薄膜层，位于第一n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧，第二n‑ZnO薄膜层在第一n‑ZnO薄膜层表面的正投影不完全覆盖第一n‑ZnO薄膜层；氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层，位于第二n‑ZnO薄膜层远离衬底一侧；第一金属电极层，位于氮掺杂p型导电BeZnOS薄膜层远离衬底一侧；第二金属电极层，位于第一n‑ZnO薄膜层且位于第二n‑ZnO薄膜层以外的部分表面。
zno 同质驱动紫外光光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种制备ZnO/ZnSeO3/CuSeO3核壳结构纳米复合材料的方法-CN201510044174.2无效
发明人：刘志锋;宏甜甜;韩建华 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： B01J23/835 文献下载
摘要：本发明属于半导体复合材料制备领域，公开了一种制备ZnO/ZnSeO3/CuSeO3核壳结构纳米复合材料的方法，首先通过溶胶凝胶法制备ZnO种子层溶液；采用浸渍-提拉法在ITO玻璃基底上涂覆ZnO种子层，经过热处理后，将长有ZnO种子层的导电玻璃放置在ZnO生长溶液中热水浴处理，得到ZnO纳米棒；再将该玻璃放在Se2-溶液中，得到ZnO/ZnSeO3纳米核壳结构；最后将制得的样品放在Cu2+溶液中，得到一维ZnO/ZnSeO3/CuSeO3核壳结构纳米复合材料。因此本发明所获得的ZnO/ZnSeO3/CuSeO3核壳结构能有效克服ZnO和亚硒酸盐的缺点，提高ZnO/ZnSeO3/CuSeO3核壳结构纳米复合材料光电催化效率，并可达到环保的有益效果。
一种制备 zno znseo3 cuseo3 结构纳米复合材料方法

[实用新型]一种核壳结构发白光器件-CN201721030708.7有效
发明人：王彩凤 -专利权人：滨州学院
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电集成技术领域，具体地说是一种核壳结构发白光器件，其特征在于所述的该发白光器件的底部衬底为GaN衬底层，GaN衬底层的上方设有ZnO薄膜种子层，ZnO薄膜种子层上方设有ZnO纳米棒，所述的ZnO纳米棒周围包覆ZnSMn薄膜壳层，ZnO纳米棒和ZnSMn薄膜壳层构成ZnO/ZnSMn核壳纳米棒阵列，ZnSMn薄膜壳层、ZnO纳米棒、ZnO薄膜种子层、GaN衬底层构成ZnSMn/ZnO/GaN核壳纳米棒阵列器件，ZnSMn/ZnO/GaN核壳纳米棒阵列器件在325nm波长的紫外光激发下，GaN衬底层发出的蓝光可以透过上面材料，并与ZnO纳米棒的黄绿光和ZnSMn薄膜壳层的橙红光叠加在一起，获得白光
一种结构白光器件

[实用新型]ZnO基量子点发光二极管-CN200620108164.7无效
发明人：叶志镇;曾昱嘉 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-09-26 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的ZnO基量子点发光二极管是以ZnO为基，在衬底的一面自下而上依次沉积n－ZnO薄膜层、n－Zn_1－xMg_xO薄膜层、ZnO量子点层、p－Zn_1－xMg_xO薄膜层、p－ZnO薄膜层和第二电极，在衬底的另一面沉积第一电极构成，其中的ZnO量子点层由嵌于ZnO/Zn_1－yMg_yO量子阱层的ZnO量子点构成。本实用新型的发光二极管以ZnO量子点作为有源层，发光效率高；ZnO同质结结构，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能；通过对ZnO量子点尺寸的调节，可得不同波段的出射光，制得紫外光、紫光或蓝光等多种发光器件
zno 量子发光二极管

[发明专利]一种含硒的ZnO光阳极及其制备方法和应用-CN201510702423.2在审
发明人：张晓丹;王宁;葛阳;许盛之;魏长春;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：一种含硒的ZnO光阳极，包括FTO衬底和在FTO衬底表面依次沉积的ZnO:B薄膜、ZnO薄膜和ZnSe薄膜；以含硒的ZnO光阳极组装光电化学电池用于光电化学电解水，提高ZnO光阳极的光电化学性能。本发明利用热蒸发设备在绒面的ZnO:B-ZnO光阳极上蒸硒原子，降低了光阳极内光生载流子复合速度、提供了PEC性能；利用MOCVD沉积系统和热蒸发沉积系统来制备含硒的ZnO光阳极，制备步骤简单，易操作，
一种 zno 阳极及其制备方法应用

[发明专利]一种提高ZnO导电薄膜电导率的方法以及高电导率ZnO导电薄膜和应用-CN202310064723.7在审
发明人：唐正;潘海琳;陈志;王明;马在飞 -专利权人：东华大学
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高ZnO导电薄膜电导率的方法以及高电导率ZnO导电薄膜和应用，涉及光电器件技术领域。本发明提供的提高ZnO导电薄膜电导率的方法，包括以下步骤：将含N元素可溶性化合物修饰的ZnO薄膜进行紫外处理，得到高电导率ZnO导电薄膜。本发明采用含N元素可溶性化合物修饰的ZnO薄膜可提高ZnO薄膜氧空位的浓度；通过紫外处理，激发电子跃迁形成自由载流子，使得ZnO导电薄膜具有更高的电导率。
一种提高 zno 导电薄膜电导率方法以及应用

[发明专利]一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法-CN202310291018.0在审
发明人：王霖;黄海丽;张冬冬;陈善亮;高凤梅;胡丰;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明属于传感器技术领域，涉及一种ZnO/SiC纳米异质结高温乙醇气敏传感器及其制备方法。本发明通过水热法在SiC纳米线表面原位生长ZnO纳米颗粒，且ZnO/SiC纳米异质结的ZnO纳米颗粒团聚程度可控；本发明采用ZnO纳米颗粒生长时间为300‑1200min的ZnO/SiC纳米异质结构作为高温乙醇传感器的气敏材料，ZnO/SiC纳米异质的响应度明显高于单一ZnO纳米颗粒及单一SiC单晶纳米线制备的高温气敏传感器，具有较高的响应度。
一种 zno sic 纳米异质结高温乙醇传感器及其制备方法

[发明专利]氧化锌/氧化亚铜异质结的制备方法-CN201110311015.6有效
发明人：贾伟;张竹霞;许并社;党随虎;董海亮;梁建 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化锌/氧化亚铜异质结的制备方法,该方法首先将ZnO晶种附着在基片上，实现了n型ZnO材料和基片的牢固结合；再将附着有ZnO材料的基片放入锌氨络离子溶液中，利用水热法依靠ZnO晶种生长成形为ZnO纳米棒阵列；之后，通过选择适宜的溶剂，使得ZnO纳米棒阵列表面可以适宜溶解，从而更容易实现p型Cu2O材料在ZnO纳米棒阵列上的结合生长，保证了n-ZnO/p-Cu2O异质结的稳定性。
氧化锌氧化亚铜异质结制备方法

[发明专利]用于水二次处理的二维蜂窝状ZnO/沸石的制备方法-CN201310673726.7在审
发明人：刘志锋;刘志超;张晶;崔婷 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： B01J29/03 文献下载
摘要：本发明属于环境复合材料制备领域，具体为用于水二次处理的二维蜂窝状ZnO/沸石的制备方法。首先利用粉煤灰制备出人工合成沸石；然后通过溶胶凝胶法配制ZnO种子层溶液；接着然后将沸石放入上述配好的ZnO种子层溶液中，得到ZnO种子层/沸石复合材料；最后将制备好的ZnO种子层/沸石材料在配置好的ZnO生长溶液中水热处理，得到二维蜂窝状ZnO/沸石复合材料。同时探讨了煅烧温度、ZnO生长溶液浓度、水浴时间等工艺参数对复合材料性能的影响，得到了制备二维蜂窝状ZnO/沸石的最佳工艺参数。该工艺过程简单，便于控制，易于实现。
用于二次处理二维蜂窝状 zno 制备方法

[发明专利]一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器及其制备方法-CN201510687944.5在审
发明人：李红霞;席俊华;季振国 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器及其制备方法。本发明低功耗柔性ReRAM从上至下依次包括TE层、ZnO层、ITO/PET层，其中TE层为功函数大于ZnO功函数的Pt、Cu或Au。该方法是ITO/PET柔性衬底作为下电极，通过溅射法制备ZnO薄膜，得到ZnO/ITO/PET；将ZnO/ITO/PET基体放于沉积室内，用掩模法通过电子束蒸发金属上电极，使得ZnO薄膜上沉积金属薄膜电极，最终得到柔性TE/ZnO/ITO/PET器件。本发明通过ZnO薄膜本身的压电效应来调控其set和reset电压，以期减小器件的操作电压，降低器件的功耗，从而延长器件的寿命。
一种基于 zno 压电效应功耗柔性存储器及其制备方法

[发明专利]一种沥青改性材料及其应用-CN201510496624.1有效
发明人：王振军;刘亮;蒋玮;张婷;雷奔张申;吴佳育;安等等;徐闯;王红飞;王本盼 -专利权人：长安大学
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C08L95/00 文献下载
摘要：所涉及的沥青改性材料的制备方法包括将纳米ZnO与白炭黑混合溶液干燥后得到ZnO/SiO2复合材料，其中SiO2与ZnO质量比为(1％～3％)1；再将ZnO/SiO2复合材料与硬脂酸溶于甲苯溶液中，混匀后干燥得沥青改性材料，硬脂酸与ZnO/SiO2复合材料质量比按照(0.5％～2％)1配制。本发明借助SiO2对ZnO具有较好分散性，提高纳米ZnO在沥青中分散均匀性，利用SiO2对ZnO的包覆遮蔽性，降低纳米ZnO对沥青的光催化效应。
一种沥青改性材料及其应用

[发明专利]ZnO同轴同质pn结纳米棒及其制备方法-CN201310026868.4有效
发明人：苏海林;梁金坤;吴玉程;黄荣俊 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：针对在一维纳米材料领域无法制备ZnO同轴同质pn结纳米棒的技术难题，本发明提供了一种ZnO同轴同质pn结纳米棒及其制备方法。本发明所提供的ZnO同轴同质pn结纳米棒的一端为未掺杂的ZnO区，ZnO同轴同质pn结纳米棒的余下部分为掺杂Sb的ZnO区，其中，Sb的掺杂浓度为1~7at.%。本方法的显著特征在于使用电化学沉积方法连续外延生长n型无掺杂ZnO区和p型Sb掺杂ZnO区。本发明能够在80℃的低温条件下制备出ZnO同轴同质pn结纳米棒，且设备简单、成本低廉，可为制作纳米光电器件提供参考。
zno 同轴同质 pn 纳米及其制备方法