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[发明专利]ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜及制备方法-CN201510067375.4有效
发明人：汪牡丹;陈陈旭;方攸同;孟亮;刘嘉斌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底清洗好的基底备用；制备均匀透明的种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置均匀的前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；使基底的表面覆盖有ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列；将ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列薄膜和纯度为99.5%的升华硫粉封装于石英管中；硫化ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列成为ZnO/ZnS/FeS2核壳纳米棒阵列。
zno zns fes2 结构阵列薄膜制备方法

[发明专利]一种纳米Pd-ZnO_1-x@PEG@DOX基因导入材料及其制备方法和应用-CN201710209179.5有效
发明人：王深明;林颖;张德元;周鸿雁;邵楠;叶润仪;张展强;史雅微 -专利权人：中山大学附属第一医院
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C12N15/87 文献下载
摘要：本发明涉及基因导入材料技术领域，具体涉及一种纳米Pd‑ZnO_1‑x@PEG@DOX基因导入材料及其制备方法和应用。一种纳米Pd‑ZnO_1‑x@PEG@DOX基因导入材料的制备方法，包括：步骤一，制备ZnO_1‑x；步骤二，制备Pd‑ZnO_1‑x；步骤三，制备Pd‑ZnO_1‑x@PEG；步骤四，制备Pd‑ZnO1‑x@PEG@DOX，得到纳米Pd‑ZnO_1‑x@PEG@DOX基因导入材料。
一种纳米 pd zno1 peg dox 基因导入材料及其制备方法应用

[发明专利]半焦负载ZnO的烧结烟气脱硫剂及其电化学制备方法-CN201711012037.6有效
发明人：桑蓉栎;张玉柱;赵凯;窦冠雄 -专利权人：华北理工大学
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B01D53/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种半焦负载ZnO的烧结烟气脱硫剂，包括质量百分比为95％的半焦以及负载在半焦上的质量百分比为5％的ZnO。此外，本发明还公开了一种半焦负载ZnO的烧结烟气脱硫剂的制备方法。本发明因使用电化学沉积方法制备ZnO，不需要高温和高真空条件，也不需要特殊的反应仪器，制备条件简单，成本低廉。并且电化学沉积ZnO因为ZnO的形貌厚度等与电化学反应中的溶液浓度反应时间等条件存在着正相关关系，所以可以通过简单的调控反应液浓度和生长时间来调控ZnO的形貌，从而达到调控脱硫性能的目的。
负载 zno 烧结烟气脱硫及其电化学制备方法

[发明专利]一种负载型ZnO抗菌复合材料及其制备方法-CN201610073406.1有效
发明人：张崇淼;高敏;高倩;詹莉莉;刘强强 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： A01N25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种负载型ZnO抗菌复合材料，制得的该复合材料以硅酸钠为粘结剂，5～8mm沸石为载体，并在其表面均匀负载片状结构的ZnO层，ZnO晶型为单一的六方纤锌矿相。该复合材料的制备是将5～8mm的沸石用5％的冰醋酸酸化，超声清洗，然后再用蒸馏水洗涤至中性，烘干；将纳米ZnO粉末和粘结剂硅酸钠在蒸馏水中充分分散，配成均匀的悬浮液；然后再将预处理过的沸石置于ZnO悬浮液中浸渍、干燥多次，高温煅烧后得到ZnO/沸石复合材料。该复合材料负载ZnO均匀牢固、对光照条件无特殊要求、抗菌活性高、便于回收再利用。
一种负载 zno 抗菌复合材料及其制备方法

[发明专利]一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法-CN201610257101.6有效
发明人：伍叶龙;裴东泽;陈光德;段向阳;郭路安;耶红刚;竹有章 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种波纹状ZnO纳米棒及其制备方法，结合水热合成技术和高温选择性刻蚀技术制备波纹状ZnO纳米棒。首先在反应釜中合成六棱柱状ZnO纳米棒，离心清洗提纯后取其粉末放入反应炉中，在650～950℃之间保温刻蚀5～30min，即可制得波纹状ZnO纳米棒。采用本发明提供的方法能够快速、低成本、高产能的制备得到波纹状ZnO纳米棒，其侧面被交替的(11‑21)和(11‑2‑1)高指数晶面包裹，能够稳定的合成出ZnO高指数晶面并提高样品比表面积，从而实现了对普通纳米棒的表面改性，提高了材料的催化、气敏性能，为后续基于低维ZnO纳米结构器件提供了新的思路。
一种波纹 zno 纳米及其制备方法

[发明专利]一种核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列及其制备方法-CN201910781875.2有效
发明人：刘仲武;唐春梅;余红雅;钟喜春;邱万奇 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明属于光电材料领域，公开了一种核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列及其制备方法。所述核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列以CuO纳米棒为核，以ZnO纳米晶层为壳。所述制备方法为：直接采用Cu片为基底或在非Cu材料基底上生长一层Cu膜，然后采用电场辅助热氧化法加热处理，在基底上得到CuO纳米棒；采用溅射沉积的方法在CuO纳米棒表面制备ZnO纳米晶层，得到所述核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列。本发明通过ZnO壳来调节CuO纳米棒的电学和光学性质，CuO/ZnO核壳纳米棒展现出新的基于p型半导体的自整流电阻开关行为，提供了一个克服非易失存储器中潜电流问题的有效途径。
一种结构 cuo zno 纳米阵列及其制备方法

[发明专利]像素化结构ZnO:Ga单晶纳米棒阵列α粒子闪烁转换屏及其制备方法和应用-CN201910682302.4有效
发明人：刘小林;李乾利;郝书童;顾牡 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种像素化结构ZnO:Ga单晶纳米棒阵列α粒子闪烁转换屏及其制备方法和应用，该α粒子闪烁转换屏包括镀有ZnO种子层薄膜的基片、垂直于基片在ZnO种子层薄膜上生长出的ZnO:Ga单晶纳米棒阵列和蒸镀于ZnO:Ga单晶纳米棒阵列上的铝膜，ZnO:Ga单晶纳米棒阵列的ZnO的晶格中掺杂有氢原子；可应用于高空间和时间分辨率、高信噪比的α粒子探测与成像，尤其是氘氚反应快中子伴随α粒子探测与成像的探测器中。
像素结构 zno ga 纳米阵列粒子闪烁转换及其制备方法应用

[发明专利]基于D-A型有机小分子掺杂ZnO电子传输层的太阳能电池及其制备方法-CN202110273335.0有效
发明人：温善鹏;王晨;郭文滨;沈亮;董玮;周敬然;张歆东;刘彩霞;阮圣平 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：一种基于D‑A型有机小分子掺杂ZnO电子传输层的太阳能电池及其制备方法，属于有机太阳能电池技术领域。电池结构为玻璃/ITO或PET/ITO衬底，低温制备的TPTS掺杂ZnO电子传输层，PBDB‑T‑2F:IT‑4F活性层，氧化钼层和Ag电极，入射光从玻璃/ITO或PET/ITO衬底方向入射。在本发明中我们利用TPTS掺杂来抑制ZnO中的缺陷态和载流子复合，提高ZnO的电子传输和抽取能力，进而改善以ZnO作为电子传输层的聚合物太阳能电池的光伏性能。通过对纯ZnO电子传输层以及TPTS掺杂ZnO电子传输层(TPTS占比1wt％)进行缺陷荧光测试和霍尔效应测试来检验发明所述方法的有效性。
基于有机分子掺杂 zno 电子传输太阳能电池及其制备方法

[发明专利]CuO纳米颗粒修饰ZnO纳米线阵列的光电材料、制备及应用-CN201910498571.5有效
发明人：吕媛媛;张志勇;翟春雪;闫军峰;赵武;赵丽丽 -专利权人：西北大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了CuO纳米颗粒修饰ZnO纳米线阵列的光电材料、制备及应用，首先采用溶胶凝胶法制备ZnO种子层薄膜，在ZnO种子层薄膜上采用水热法生长ZnO纳米线阵列，再采用溶胶凝胶法在ZnO纳米线上粘附CuO纳米颗粒，得到表面均匀分散有CuO纳米颗粒的ZnO纳米线，从微观结构上，该复合材料具有很大的比表面积；该复合材料存在大量的异质结，光生载流子复合减少，电子空穴对有效分离，从而增加了载流子的寿命和载流子浓度；从物性融合上看，该复合材料既具有ZnO纳米线对光吸收的能力，也具有CuO纳米颗粒对光吸收的能力，是一种优异光电材料，在光电器件的应用中具有很大的前景。
cuo 纳米颗粒修饰 zno 阵列光电材料制备应用

[发明专利]一种分形结构ZnO薄膜的制备方法-CN202011354084.0有效
发明人：董如林;亓智信;朱雪珂 -专利权人：常州大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种分形结构ZnO薄膜的制备方法，属于无机功能材料制备技术领域，该方法将平整的纳米晶ZnO基底经过一系列的处理，转化为具有树枝状分形结构的ZnO薄膜。以碱式醋酸锌为前驱体，采用刮胶法及400℃‑500℃、1h的煅烧处理，合成平整的纳米晶ZnO基底；将纳米晶ZnO基底在硫酸锌溶液中浸渍，使其转化为碱式硫酸锌；碱式硫酸锌薄膜经热处理后，用氢氧化钠溶液洗涤，接着在100℃条件下干燥1h，最后在高温条件下煅烧即可得到树枝状分形结构ZnO薄膜，ZnO的分形结构对于提高薄膜表面的水接触角起到了重要的作用。
一种结构 zno 薄膜制备方法

[发明专利]一种原位合成纳米ZnO改性的CMA/TP-PLA同轴纳米纤维膜的制备方法-CN202010927520.2有效
发明人：孙彤;丁洁;韩英;李秋莹;王莉丽 -专利权人：渤海大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： D04H1/4382 文献下载
摘要：一种原位合成纳米ZnO改性的CMA/TP‑PLA同轴纳米纤维膜的制备方法，属于食品保鲜材料和抗菌材料应用领域，该方法具体步骤如下：步骤一：制备ZnO溶胶；静置后待用；步骤二：制备PLA溶液，取相应体积的ZnO溶胶与PLA溶液混合，得到含ZnO溶胶的PLA壳层静电纺丝溶液，将CMA和TP溶解得CMA/TP芯层静电纺丝混合溶液；步骤三：采用静电纺丝方法制备原位合成纳米ZnO改性的ZnO/CMA/TP‑PLA本发明采用纳米粒子原位合成技术将纳米氧化物溶胶引入到聚合物壁材中，获得理化性能和抗菌性能优良的ZnO/CMA/TP‑PLA同轴纳米纤维膜，可在食品包装领域及其他抗菌材料领域应用。
一种原位合成纳米 zno 改性 cma tp pla 同轴纤维制备方法

[发明专利]一种取向ZnO纳米棒薄膜及其制备方法-CN201010146883.9无效
发明人：王连英;章定恒;岳爽;何静 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C23C26/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备取向ZnO纳米棒薄膜及其制备方法。该向ZnO纳米棒薄膜是ZnO纳米棒垂直于基片向同一方向生长，具有c轴取向性，ZnO纳米棒直径为50-100nm，长度为100-400nm，且长度和大小较均一。该ZnO纳米棒薄膜的制备方法是以锌铁水滑石为前驱体，经溶剂蒸发组装成膜，再在保护气环境下高温焙烧处理，得到取向ZnO纳米棒薄膜。该取向ZnO纳米棒薄膜具有很好的紫外发光性能，其在390nm处具有很强的紫外带边发射峰，其半峰宽仅为7.9nm。
一种取向 zno 纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]一种宽光谱双层透明导电薄膜及其制备方法-CN201410170858.2无效
发明人：朱丽萍;张翔宇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开的宽光谱双层透明导电薄膜自下而上依次为柔性衬底，ZnO薄膜和ZnO:F薄膜，其中，ZnO:F薄膜的F与Zn的原子比为1%～5%。该薄膜的制备采用的是磁控溅射法，在柔性衬底上先以纯ZnO陶瓷靶为靶材溅射一层ZnO薄膜，再以F与Zn原子比为1%～5%的ZnO陶瓷靶为靶材，溅射一层ZnO:F薄膜。
一种光谱双层透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]气相阴离子交换合成氧化锌/硒化锌同轴纳米结构的方法-CN201310603658.7无效
发明人：杜希文;王琰 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种气相阴离子交换合成ZnO/ZnSe同轴纳米结构的方法，先将载有ZnO种子层的基片放于30mL含有0.05M Zn(NO3)2,0.05M HMT（次六甲基四胺）混合溶液中，置于反应釜中100℃下保温9h，得到白色物质ZnO纳米棒；再将ZnO纳米棒放于真空管式炉的炉腔中部，另将装有1.58g Se粉瓷舟放入真空管式炉的炉腔末端，抽真空至1.37kPa，加热至600℃，待反应结束后自然冷却，制得ZnO/ZnSe同轴纳米棒阵列。本发明ZnO/ZnSe同轴纳米棒结晶性良好，操作方法简单，是一种新的模板气相阴离子交换法合成ZnO/ZnSe同轴纳米棒材料的方法。
阴离子交换合成氧化锌硒化锌同轴纳米结构方法

[发明专利]双壳层ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列电极及其制备方法-CN201210191330.4无效
发明人：王浩;刘荣;王喜娜;王甜;汪宝元;胡芸霞;许扬;丁浩;张军 -专利权人：湖北大学
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了双壳层ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列电极的结构及其制备方法。用水热法实现单晶ZnO纳米线阵列垂直于ITO衬底生长，直径和高度分别在50～100nm、0.5～3μm内可调，然后在ZnO纳米线阵列上制备CdTe纳米电缆层和ZnS纳米晶钝化层，形成ZnO/CdTe/ZnS通过退火工艺，有效的提高了ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列的结晶质量，实现了ZnO/CdTe纳米电缆阵列的饱和光电流密度从6.5mA/cm2提高到ZnO/CdTe/ZnS纳米电缆阵列的13.78mA
双壳层 zno cdte zns 纳米电缆阵列电极及其制备方法