“zno”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13733个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用-CN201310325790.6有效
发明人：巩金龙;吕睿;王拓;苏凤莉;张鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法和应用，氧化锌纳米铅笔阵列电极是ZnO主干纳米棒顶端生长有ZnO针状尖端；制备方法由ZnO种子层的制备，ZnO纳米棒阵列的制备，ZnO纳米铅笔阵列的制备三步构成本发明的氧化锌纳米铅笔阵列电极采用液相合成方法，条件温和，操作容易，成本低廉；ZnO纳米铅笔结构能够提高光生电子-空穴对的密度，增大光生电流的强度，在外加电压为1V vs Ag/AgCl时的光电流密度为1.14mA/cm2，比同样尺寸的ZnO纳米棒高出约2倍，提高了材料的光解水效率，使得ZnO纳米铅笔能够作为光电阳极材料，应用于光电化学池光解水制氢领域。
一种氧化锌纳米铅笔阵列电极及其制备方法应用

[发明专利]多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制备方法和应用-CN201410326754.6有效
发明人：傅邱云;王文化;周东祥;刘欢;胡云香;郑志平;罗为 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：该浆料包括Ni‑ZnO复合粉体和有机粘合剂，其中，Ni‑ZnO复合粉体的质量百分比为70～80％，有机粘合剂的质量百分比为20～30％；Ni‑ZnO复合粉体为ZnO包裹的Ni粉。该方法包括如下步骤制备Ni‑ZnO复合粉体；将质量百分比为70～80％的Ni‑ZnO复合粉体和质量百分比为20～30％的有机粘合剂混合后球磨，得到导电浆料。本发明以Ni‑ZnO复合粉体为导电相，采用溶液法合成Ni‑ZnO复合粉体，提高了内电极的抗氧化性能，改善了电极与陶瓷的共烧匹配性，且工艺简单，成本低，具有广泛的应用前景。
多层陶瓷元件电极导电浆料及其制备方法应用

[发明专利]一种改善ZnO薄膜形貌和电学特性的方法-CN201110189292.4有效
发明人：张晓丹;赵颖;焦宝臣;魏长春 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种改善ZnO薄膜形貌和电学特性的方法，步骤如下：1）以醋酸锌为Zn源、醋酸铟为掺杂铟源、水和无水乙醇的混合液为溶剂，将醋酸锌加入溶剂中制得前驱物混合液并加入冰乙酸，以空气为载气，采用超声喷雾热分解法在玻璃衬底上制备具有三角块形貌的铟掺杂ZnO薄膜；2）以锌铝合金为靶材，采用磁控溅射法在上述铟掺杂ZnO薄膜上制备铝掺杂ZnO薄膜。本发明的优点是：制备的铟掺杂ZnO/铝掺杂ZnO复合薄膜具有圆锥型绒面形貌，消除了棱角和锐利的尖峰，对入射光具有较强的散射作用，同时利用了溅射技术制备的ZnO薄膜具有低电阻率的特点，使ZnO透明薄膜的导电特性得到明显的提高和改善
一种改善 zno 薄膜形貌电学特性方法

[发明专利]具有疏水性能的ZnO纳米涂层玻璃的制备方法-CN201610345996.9有效
发明人：刘志锋;刘军启;林少华;耿学敏;王俊凯 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有疏水性能的ZnO纳米涂层玻璃的制备方法。首先用溶胶凝胶法配制ZnO复合种子层溶胶；然后采用浸渍提拉法在ITO玻璃上镀ZnO复合种子层薄膜，在马弗炉中以一定温度进行热处理；接着将上述制备好的ZnO复合种子层薄膜基片放入ZnO生长溶液中水热反应处理，制备ZnO纳米涂层，得到具有疏水性能的ZnO纳米涂层玻璃材料。本发明所获得的具有疏水性能的ZnO纳米涂层玻璃，经紫外可见光分光光度计测试后，对可见光的透过率以及对紫外光吸收、屏蔽效率均能达到65％以上；经接触角测试仪(DSA series)测试后，对水的接触角达到
具有疏水性能 zno 纳米涂层玻璃制备方法

[发明专利]ZnO/Ni蜂窝状电池负极材料、制备及电池组装方法-CN201610977487.8有效
发明人：钟文武;陈恺;黄小华;刘彦平;李志刚;詹白勺 -专利权人：钟文武;台州学院;上海电气集团上海电机厂有限公司;詹白勺
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及电池材料技术，尤其涉及一种ZnO/Ni蜂窝状电池负极材料、制备及电池组装方法，该材料包括衬底、设置在衬底上的ZnO层、设置在ZnO层上的Ni层；所述ZnO层为多孔蜂窝状纳米阵列。制备方法包括清洗Ni衬底；制备胶体球模板；沉积ZnO薄膜；去除胶体球模板，得到多孔ZnO阵列薄膜；溅射一层Ni薄膜，制备ZnO/Ni蜂窝状电池负极材料。本发明用胶体球模板法制备的蜂窝状多孔ZnO阵列材料具有极大的比表面积，有效增大反应界面，提高材料的利用率并增大反应速度。
zno ni 蜂窝状电池负极材料制备组装方法

[发明专利]ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法-CN201510383734.7有效
发明人：于灵敏;刘盛;祁立军;杨冰;郭芬;范新会 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器及其制备方法。现有技术中存在因ZnO与石墨烯接触差而导致的传感器工作温度高、响应‑恢复时间长的问题。本发明采用真空抽滤结合热还原法在Ag叉指电极上制备还原石墨烯薄膜；然后在还原石墨烯薄膜表面利用水溶液法原位生长单晶ZnO纳米墙；最后将构筑好的ZnO纳米墙/RGO异质结在Ar气氛下高温热处理，获得ZnO本发明的ZnO纳米墙/RGO异质结，ZnO纳米墙原位生长在RGO薄膜上，实现了共价键或化学键强作用力连接，既可以发挥ZnO纳米墙在高灵敏度检测方面独特的优势，又可以利用石墨烯做为端电极提高电子传输速率。
zno 纳米 rgo 异质结气敏传感器及其制备方法

[发明专利]一种碳修饰多孔ZnO纳米材料及其制备方法和用途-CN201910160782.8有效
发明人：丁燕怀;孙金磊;蒋运鸿;刘行 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳修饰多孔ZnO纳米材料及其制备方法和用途，多孔ZnO纳米材料在孔隙中填充有碳，多孔ZnO纳米材料的重量百分比为80～99％，碳的重量百分比为20～1％。所述制备方法：(1)以锌盐和尿素为原料，用微波反应技术制备多孔ZnO纳米材料；(2)用低聚糖对多孔ZnO纳米材料进行修饰；(3)将低聚糖修饰多孔ZnO纳米材料进行热处理得到碳修饰多孔ZnO纳米材料。本发明的优点为：一是碳修饰碳源的成本低、产量丰富；二是本制备方法工艺简单，合成温度低，重复性好，整个工艺流程对环境友好，适合工业生产；三是本制备方法得到的碳修饰多孔ZnO纳米材料作为负极材料时充放电容量高
一种修饰多孔 zno 纳米材料及其制备方法用途

[发明专利]一种n型ZnO薄膜及其制备方法与QLED器件-CN201711349845.1有效
发明人：何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 -专利权人：深圳TCL工业研究院有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开一种n型ZnO薄膜及其制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将锌盐、镁盐和铟盐溶解于有机溶剂中，形成混合溶液；在混合溶液中加入碱液进行缩聚反应，得到含n型ZnO的溶液；将含n型ZnO的溶液制成薄膜，得到所述n型ZnO薄膜。本发明通过简单的溶胶‑凝胶法，制备得到一种n型ZnO纳米材料（Mg‑In/ZnO），其制成薄膜作为电子传输层，实现ZnO的禁带宽度由本征的3.40 eV到4.20 eV连续可调，通过对eZnO纳米材料的方法十分简单，适合大面积、大规模制备。
一种 zno 薄膜及其制备方法 qled 器件

[发明专利]一种基于石墨烯/ZnO纳米线/p-GaN薄膜的LED点光源及其制备方法-CN201910504881.3有效
发明人：林芳;廖志敏;廖馨 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯/ZnO纳米线/p‑GaN薄膜的LED点光源及其制备方法。本发明采用生长衬底、p‑GaN薄膜层、正电极、绝缘层、凹槽、ZnO纳米线、负电极和单层石墨烯；单根ZnO纳米线放置在p‑GaN薄膜层上的凹槽内，形成ZnO纳米线/p‑GaN异质结，单层石墨烯覆盖在ZnO纳米线和负电极上；单层石墨烯与ZnO纳米线接触面积大，有效增加了载流子注入面积，提高了注入效率；同时，采取此种方法得到的器件对ZnO纳米线不造成损伤，使得发光效率大幅度提升；本发明在ZnO纳米线的一端形成纳米尺度点光源
一种基于石墨 zno 纳米 gan 薄膜 led 光源及其制备方法

[发明专利]一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料及其制备方法和应用-CN201910837847.8有效
发明人：周晓龙;郭艳欣;熊爱虎;詹放;阴树标;曹建春;黎敬涛 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜材料制备技术领域，尤其涉及一种ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料及其制备方法和应用。本发明提供的ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料包括自下而上依次层叠设置的基底、ZnS层、Sn层和ZnO层。本发明提供的ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜由ZnS层、Sn层和ZnO层依次排列构成三明治结构，具有优异的光学吸收能力且其高光吸收系数一直保持到可见光区(次强度吸收峰位于可见光区)；带隙窄、响应速度快。本发明使用的ZnS、Sn和ZnO半导体材料的晶格错配度小，所得ZnS/Sn/ZnO异质结构薄膜材料的内应力及缺陷较小；且以ZnO致密薄膜为包覆层起到了保护内部不易被氧化，从而延长了薄膜材料的使用寿命。
一种 zns sn zno 结构薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种核壳结构ZnO纳米线阵列的生长方法-CN201010545476.5无效
发明人：朱丽萍;蔡芳萍;黄俊;杨治国 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开的核壳结构ZnO纳米线阵列的生长方法，采用的是热蒸发法，步骤如下：1)采用磁控溅射装置在衬底上生长籽晶层。2)将纯ZnO粉末和石墨粉放入一端封口的石英管中，将生长了籽晶层的衬底放在石英管内放入生长室，生长得到在衬底上垂直的ZnO纳米线阵列。3)利用旋涂仪把CH3COCH2COCH3、Ti(OC4H9)4和H2O溶于酒精中得到的混合溶液均匀涂于垂直ZnO纳米线阵列的空隙中，在空气中200℃下退火，得到TiO2包覆的核壳结构ZnO纳米线阵列。本发明制备工艺简单，成本低；可以实现ZnO纳米线阵列的可控生长；制得的核壳结构ZnO纳米线阵列中的ZnO纳米线密度与尺寸分布较均匀。
一种结构 zno 纳米阵列生长方法

[发明专利]一种掺杂ZnO的锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法-CN200910093720.6无效
发明人：曹茂盛;王大伟;袁杰;张德庆 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明的一种掺杂ZnO的锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷技术领域。掺杂ZnO的锆钛酸铅压电陶瓷，其组分质量百分比如下：PZT粉体97％～99.5％，ZnO粉体0.5％～3％。掺杂ZnO的锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法为将ZnO粉体、PZT粉体和乙醇在球磨机内混合，然后加入聚乙烯醇水溶液继续球磨，干燥成固体过筛后，压制成圆片，经排胶、烧结得到掺杂ZnO的锆钛酸铅陶瓷圆片；将陶瓷片进行切割加工、涂银浆、上电极、极化老化后，得到掺杂ZnO的锆钛酸铅压电陶瓷。本发明由于在PZT压电陶瓷中掺杂了纳米ZnO粉体，降低了PZT压电陶瓷的烧结温度，提高了PZT压电陶瓷的机械品质因数。
一种掺杂 zno 锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制作方法-CN200910301765.8无效
发明人：徐静波;张海英 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制作方法。本发明提供一种基于ZnO纳米线的整流二极管的制作方法，其步骤包括生长介质、制作ZnO纳米线定位标记、将ZnO纳米线转移并淀积在介质上、对ZnO纳米线进行定位、制作电极。本发明利用ZnO纳米线材料特性，经过上述工艺流程，制作出有别于传统PN结二极管整流特性的基于ZnO纳米线的整流二极管，基于ZnO纳米线的整流二极管在纳米光电子学和电子学、生物传感等领域具有潜在应用价值，
一种基于 zno 纳米整流二极管制作方法

[发明专利]一种ZnO-SrTaO₂N复合光催化剂及其制备方法-CN201310644493.8无效
发明人：刘玉民;吕华;李爽;丁志伟;汤海波;李紫金 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明的技术方案要点为：一种TiO2-SrTaO2N复合光催化剂，是通过将ZnO与SrTaO2N复合而形成的，其中ZnO与SrTaO2N的摩尔比为5-15:1。本发明与现有技术相比具有以下优点：ZnO与SrTaO2N的复合可以大大拓宽了ZnO的光谱响应范围，使ZnO在可见光区域有良好的吸收，提高了ZnO太阳能的利用率，ZnO与SrTaO2N的复合能够有效减小光生电子和空穴的复合概率，提高ZnO光催化活性。
一种 zno srtao sub 复合光催化剂及其制备方法

[发明专利]仿生壁虎胶带的制备方法-CN201310591623.6无效
发明人：刘宇艳;张恩爽;吴松全;吕通;谭惠丰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明的仿壁虎结构复合微阵列的制备方法步骤如下：（1）采用溶液化学法制备ZnO和ZnO/C微阵列；（2）将上述制备的ZnO和ZnO/C微阵列浸渍在PDMS的三氯甲烷溶液中，取出后经固化得到ZnO/PDMS和ZnO/C/PDMS复合微阵列。本发明的制备方法操作简单，实验参数可控，成本低，可用于制造一种弹性硅橡胶包覆的ZnO和ZnO/C仿壁虎脚微阵列，两种复合微阵列具有很强的吸附力又能轻易脱离吸附表面、且具有超疏水性、自清洁能力。
仿生壁虎胶带制备方法