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[发明专利]一种AlN薄膜的制备方法-CN200810048681.3有效
发明人：刘昌;付秋明;刘博 -专利权人：武汉大学
申请日： 2008-08-01 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种AlN薄膜的制备方法，其独到之处在于：1.1在外延薄膜生长室中，以Al₂O₃、SiC或Si为衬底，于800～850℃温度下对衬底进行氮化10～30分钟；1.2.在500～765℃下生长10～20nm的AlN缓冲层；1.3.在大于780℃的环境下生长AlN外延层；1.4.在生长AlN外延层的过程中，每生长100～500nm的AlN外延层，就在500～765℃下生长一层10～20nm的AlN插入层，并采用生长中断方法，中断AlN生长0.5～3分钟，然后继续在大于780℃的环境下生长AlN外延层，如此循环往复直至得到需要的层数。本发明的优点在于：可以获得具有镜面光滑无裂纹表面的AlN膜，并达到高分辨X射线衍射(002)面摇摆曲线的半高宽≤255arcsec，(105)面摇摆曲线的半高宽≤290arcsec，刃位错密度低于5×10
一种 aln 薄膜制备方法

[发明专利]一种AlN陶瓷基板金属化、热沉一体化制备方法-CN202110352595.7有效
发明人：宋忠孝;田悦;李雁淮;王永静 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN陶瓷基板金属化、热沉一体化制备方法，该制备方法采用物理气相沉积技术在AlN陶瓷基板上依次形成Ti金属化层、Ti‑Cu梯度过渡层和Cu热沉层，在沉积过程中，AlN和Ti层间形成过渡层Al3Ti+TiN；具体包括步骤：对AlN陶瓷基板进行表面抛光处理；将抛光处理后的AlN陶瓷基底进行浸泡，清洗，之后烘干；在清洗后的AlN陶瓷基板表面利用磁控溅射沉积方法依次镀覆Ti金属化层、Ti‑Cu梯度过渡层和Cu热沉层，在沉积过程中，AlN和Ti层间自行成过渡层Al3Ti+TiN，最终形成金属化、热沉一体的AlN陶瓷基板。本发明利用高真空磁控溅射技术在AlN陶瓷基底上沉积金属化、热沉一体化的镀层，整体封装强度大幅度提高，缩短了封装工艺流程，减少了封装消耗，显著降低了生产成本。
一种 aln 陶瓷金属化一体化制备方法

[实用新型]生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜-CN201420288969.9有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种生长在蓝宝石衬底上的高均匀性AlN薄膜，包括Al₂O₃衬底及其(0001)面往(10-10)面方向偏0.2°依次外延生长的AlN形核层和AlN本实用新型的AlN薄膜成本低、质量优、均匀性高，应用广泛。
生长蓝宝石衬底均匀 aln 薄膜

[发明专利]氮化镓基氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及生长方法-CN201711099224.2在审
发明人：张东国;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及生长方法，晶体管外延结构包括衬底以及由下至上依次生长的AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层和势垒层；AlN成核层生长在衬底表面，原位退火进行图形化处理，形成图像化AlN成核层，图形化AlN成核层的成核岛呈线性排列。本发明原位制作图形化AlN成核层，有效避免升温与降温过程中的杂质引入；同时本发明的生长方法具有简单易行、重复性好等优点。
氮化氮化物电子迁移率晶体管外延结构生长方法

[发明专利]一种用于干法蚀刻中去除PSS衬底AlN涂层的方法-CN201911392843.X在审
发明人：张洋洋;于玉斋;丁建峰;魏明德 -专利权人：徐州同鑫光电科技股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开一种用于干法蚀刻中去除PSS衬底AlN涂层的方法，包括以下步骤：1)将带有AlN涂层的PSS衬底，装载到ICP进行干法蚀刻；2)在干法蚀刻时，使用氯基气体，在一定温度和压力下对PSS衬底进行电离；3)通过偏置射频电压对等离子体进行加速，将沉积在PSS衬底表面的AlN涂层去除，保留原PSS衬底表面的图形。本发明将带有AlN涂层的PSS衬底通过干法蚀刻的方法，将AlN涂层均匀的去除，能够降低成本，且去除AlN均匀性佳，保持原PSS图形尺寸基本不变。
一种用于蚀刻去除 pss 衬底 aln 涂层方法

[发明专利]一种高晶体质量AlN外延层的生长方法-CN201410542542.1有效
发明人：许福军;沈波;秦志新;王嘉铭;张立胜;何晨光;杨志坚 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应导致的宏台阶降低位错密度；AlN表面形貌控制，提高生长速度修正表面形貌，促进所述宏台阶的减弱和消失，以获得表面平整的AlN表面。本发明提供了一种生长低位错密度和表面平整的高晶体质量AlN外延层的方法。本发明方法简单易行，且对MOCVD系统不会造成任何污染。
一种晶体质量 aln 外延生长方法

[发明专利]一种氮化铝增强金属铝的双纳米复合材料-CN200410050349.2无效
发明人：丛洪涛;唐永炳;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2004-08-31 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： C22C32/00 文献下载
摘要：本发明具有下述优点：1)Al和AlN相互润湿无不良界面反应，AlN－Al相界面结合很好；2)用等离子电弧法通过改变氮化条件，原位生成不同配比的AlN与Al均匀混合的纳米粉体；3)由于Al和AlN的结合形式主要是Al包裹AlN，而Al极易成型；弥散分布的高熔点AlN提高了材料的热稳定性，该双纳米复合材料具有良好热稳定性和成型性能。
一种氮化增强金属纳米复合材料

[实用新型]一种高导热高出光的紫光封装结构-CN201720649866.4有效
发明人：杨帆 -专利权人：深圳市同一方光电技术有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高导热高出光的紫光封装结构，包括AlN基板，所述AlN基板上设有一层氮化铝绝缘导热底层，所述AlN基板上焊接有两组正负电极，所述氮化铝绝缘导热底层上焊接有均匀排布的DPC焊盘，所述DPC焊盘上安装UV芯片，所述AlN基板背部为龟纹形状的金属焊接背镀，所述UV芯片采用合晶粉共晶至AlN基板上，其之间形成共晶焊接层，所述AlN基板的边缘设有耐UV挡墙，本实用新型不需要进行二次组装，而且本实用新型的结构设计结构简单
一种导热高出光紫光封装结构

[发明专利]III族氮化物半导体基板及其制造方法-CN201980034452.2在审
发明人：松本光二;小野敏昭;天野浩;本田善央 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：在Si基板上隔着AlN缓冲层生长III族氮化物半导体层时，抑制III族原料扩散至Si基板中。基于本发明的III族氮化物半导体基板的制造方法具备在炉内形成AlN覆膜的工序(S12)、将Si基板投入至被AlN覆膜覆盖的炉内并在所述Si基板上形成AlN缓冲层的工序(S13、S14A、S14B)以及在AlN缓冲层上形成III族氮化物半导体层的工序(S15)。
iii 氮化物半导体及其制造方法

[发明专利]氮化铝衬底的制造方法、氮化铝衬底以及形成氮化铝层的方法-CN202180028128.7在审
发明人：金子忠昭;堂岛大地;松原萌子;西尾佳高 -专利权人：学校法人关西学院;东洋铝株式会社;丰田通商株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明要解决的问题在于提供一种能够制造大口径的AlN衬底的新颖技术。本发明涉及一种AlN衬底的制造方法，包括在具有贯通孔(11)的SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)的晶体生长步骤(S30)。此外，本发明还涉及一种形成AlN层(20)的方法，包括在SiC基底衬底(10)的表面上形成AlN层(20)之前在SiC基底衬底(10)上形成贯通孔(11)的贯通孔形成步骤(S10)。
氮化衬底制造方法以及形成

[发明专利]一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺-CN201110054870.3有效
发明人：宋忠孝;徐可为;田增瑞 -专利权人：西安宇杰表面工程有限公司
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN/ZrN纳米多层膜制备工艺，采用脉冲电源溅射Zr靶与Al靶，在N2/Ar混合气体中反应溅射获得AlN层与ZrN层，通过改变各靶溅射功率和基体在靶前停留时间获得AlN/ZrN纳米多层膜本发明采用脉冲发应磁控溅射，通过调整AlN层与ZrN层单层厚度改变薄膜硬度与抗氧化性，本发明所沉积的AlN/ZrN纳米多层膜具有高的硬度和抗氧化温度。
一种 aln zrn 纳米多层制备工艺

[发明专利]半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法-CN200810090314.X有效
发明人：今西健治;吉川俊英;田中丈士;守谷美彦;乙木洋平 -专利权人：富士通株式会社;日立电线株式会社
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。
半导体外延衬底化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]取向AlN烧结体及其制法-CN201780073408.3有效
发明人：小林义政;小林博治;饭田和希 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：取向AlN烧结体的制法的第一工序中，在包含板面为c面、纵横尺寸比为3以上、平均厚度为0.05～1.8μm的板状AlN粉末的AlN原料粉末中混合烧结助剂，得到混合物，将该混合物成型，制作成型体，且该工序中，以所述板状AlN粉末的板面沿着所述成型体的表面的方式将所述混合物成型。第二工序中，对成型体的表面进行加压，同时，在非氧化气氛下，对成型体进行热压烧成，得到取向AlN烧结体。
取向 aln 烧结及其制法

[发明专利]晶体管、功率放大器及电子设备-CN202110831326.9在审
发明人：王东盛;田凯;姜腾;曹梦逸;谢荣华 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该晶体管包括AlN势垒层及层叠于AlGaN层上的AlGaN层及SiN层，由于AlGaN层能够与AlN势垒层之间形成AlGaN/AlN复合势垒，SiN层与AlN势垒层之间形成SiN/AlN复合势垒，从而使得本申请的晶体管为增强型晶体管并且，由于SiN层为绝缘材料，SiN层部分覆盖AlN势垒层，可以起到表面钝化的作用，进一步提供该晶体管能够有更高的安全性能。
晶体管功率放大器电子设备

[发明专利]ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用-CN201710493812.8有效
发明人：罗景庭;全傲杰;范平;钟爱华;郑壮豪;张东平;梁广兴 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开ZnO/AlN/Si多层结构薄膜及制备方法与应用，包括Si衬底，及Si衬底上依次叠层的具有c轴择优取向的AlN薄膜和ZnO薄膜。本发明以传统半导体工艺兼容性好的单晶Si（100）作为衬底材料，采用反应磁控溅射法，首先利用Al靶材反应溅射在Si衬底上生长出AlN（110）薄膜，然后通过AlN薄膜（110）晶面与ZnO（110）薄膜晶面较低的晶格适配度，利用Zn靶材反应溅射在AlN（110）薄膜上成长出ZnO（110）薄膜，最终形成ZnO(110)/AlN(110)/Si多层结构薄膜。
zno aln si 多层结构薄膜制备方法应用