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[发明专利]一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法-CN201810010913.X有效
发明人：贺龙飞;陈志涛;赵维;张康;吴华龙;何晨光 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高光效的AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。此器件的外延结构包括衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN发光有源区、最后一个AlGaN量子垒层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和接触层，其中0.01≤xy≤1，发光有源区包括多个量子阱层与多个量子垒层，多个量子阱层与多个量子垒层交替设置，最后一个AlGaN量子垒层为铝组分渐变层。在紫外器件中引入铝组分渐变的最后一个AlGaN量子垒层，优化器件的能带结构，能有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，从而提高半导体紫外器件的量子效率和发光效率。
一种提高 algan 半导体紫外器件及其制备方法

[发明专利]一种深紫外发光二极管结构及其制备方法-CN202111286135.5有效
发明人：李祈昕;刘宁炀;何晨光;陈志涛;赵维;吴华龙 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种深紫外发光二极管结构及其制备方法，包括从下至上依次叠加的衬底、缓冲层、具有台面结构的N型AlGaN层、多量子阱层、P型层，所述N型AlGaN层的台面结构上设置有N型金属电极，所述P型层上设置有P型金属电极，所述N型AlGaN层台面结构区域与N型金属电极之间设置有不连续成膜的微纳图形。深紫外发光二极管结构的制作方法中通过修复型ICP刻蚀对所述不连续成膜的微纳图形及露出的N型AlGaN层台面结构区域进行刻蚀，消除了刻蚀形成的表面态并修复刻蚀损伤，改善金属与N型AlGaN层的欧姆接触特性。
一种深紫发光二极管结构及其制备方法

[发明专利]增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法及应用其制备增强型氮化物HEMT的方法-CN202110389654.8有效
发明人：程川;刘宁炀;何晨光;李成果;陈志涛;李述体;姜南 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型HEMT的p型氮化物栅及增强型氮化物HEMT的制备方法，其中，该p型氮化物栅的制备方法在制备p型氮化物栅时，先在势垒层和p型氮化物层之间采用热脱附温度高于p型氮化物层的热脱附温度的材料制备第一保护层，且其厚度范围设置为1nm‑5nm，再通过高温热脱附去除栅极区域以外的p型氮化物层；在对栅极区域以外的p型氮化物层进行高温热脱附之前，还在栅极区域的p型氮化物层上设置采用耐高温介质材料制备的第二保护层。在第一保护层和第二保护层的保护作用下，可以通过高温热脱附对栅极区域以外的p型氮化物层进行选择性刻蚀，从而可以实现可重复且一致性较好的刻蚀效果，而且可以保证增强型氮化物HEMT性能的可靠性。
增强 hemt 氮化物制备方法应用

[发明专利]纳米图形衬底的制备方法-CN202111651524.3有效
发明人：刘宁炀;李祈昕;杨荣宜;曾昭烩;任远;何晨光;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种纳米图形衬底的制备方法，其通过对依次设置在透明衬底上的透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥台形的第二孔洞和在透光层上形成第三孔洞；并通过去除第一掩膜，形成第一坯体，以及在第二孔洞和第三孔洞中制备第二掩膜，再对透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥形的第一凸起和在透光层上形成第二凸起的方式，在衬底上形成具有严格周期的图形，而且，由于在衬底上形成的图形的图案可以根据第二孔洞的设置实现，且刻蚀过程无需借助昂贵的专用设备，可以在不提高成本的基础上，在大尺寸的衬底上灵活地制备图案复杂的图形。
纳米图形衬底制备方法

[发明专利]实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用-CN202310748247.0在审
发明人： 何晨光;张康;刘宁炀;吴华龙;廖乾光;刘云洲;贺龙飞;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用，涉及半导体器件技术领域。通过在蓝宝石衬底表面形成凹陷区和凸起区，且在凸起区上形成Si介质层和高Al含量的预缓冲层，由于凸起区之间相互独立，使得Al基材料在Si介质层上生长时能够释放应力，避免出现缓冲层开裂或表面粗糙的情况，然后将生长得到的预缓冲层进行高温退火，缓冲层的Al基材料重结晶，晶格重新排列，从而获得质量更好的缓冲层。此外，通过形成相互连通的网状凹陷区，使得在剥离衬底时，剥离剂能够在网状凹陷区内相互流通，并腐蚀凸起区与衬底接触的Si介质层，从而使得缓冲层与衬底迅速剥离，剥离方法简单，剥离成功率高。
实现衬底重复利用器件制备方法及其应用

[发明专利]一种开关的传动系统-CN202210297049.2有效
发明人：张鑫;程立;张会杰;马冲;何晨光;麻强强 -专利权人：西安西电开关电气有限公司;中国西电电气股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01H33/02 文献下载
摘要：本发明涉及高压开关领域，尤其涉及一种开关的传动系统，包括第一传动单元、第二传动单元、第三传动单元、第一滑道约束和第二滑道约束，所述第二传动单元包括第二定轴、第三连杆、第四连杆和第五连杆，所述第二定轴固定设置，所述第一连杆驱动第三连杆转动，所述第五连杆驱动动额定电流触头在第一滑道约束的作用下沿滑道运动；所述第三传动单元包括第三定轴和第八连杆，所述第四连杆与第八连杆转动连接，所述第八连杆驱动动弧触头在第二滑道约束的作用下沿滑道运动。本发明解决动额定电流触头和动弧触头运动质量和速度的优化，设计机械传动结构，将电弧动触头和额定电流动触头及其他辅助系统分别按照设定的不同运动行程和速度运动，以满足要求。
一种开关传动系统

[发明专利]便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用-CN202310578228.8在审
发明人：贺龙飞;赵维;李娟;何晨光;高轮添;刘宁炀;吴华龙;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用，其中，便于探测的紫外发光芯片包括依次设置的电子传输层、复合有源区和电子阻挡层；其中，复合有源区包括依次设置的可见光量子阱区和深紫外量子阱区，且可见光量子阱区设在深紫外量子阱区的背离电子阻挡层的一侧，以使复合有源区在正向电流注入下能够同时发射可见光和深紫外光。本发明通过将可见光量子阱区设置在深紫外量子阱区的背离电子阻挡层的一侧，使得可将光量子阱区产生的可见光在经过深紫外量子阱区时也不会被吸收，不会影响深紫外量子阱辐射深紫外光。
便于探测紫外发光芯片制备方法应用

[发明专利]深紫外发光器件中的量子点的制备方法及深紫外发光器件外延方法-CN202310599824.4在审
发明人： 何晨光;吴华龙;张康;刘云洲;廖乾光;贺龙飞;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种深紫外发光器件中的量子点的制备方法及深紫外发光器件外延方法，其中，深紫外发光器件中的量子点的制备方法包括以下步骤：S20:制备上表面具有锯齿形宏台阶形貌的垒层；S30:在垒层上外延生长GaN层；S40:对GaN层进行脱附处理，直至在锯齿形宏台阶形貌的凹陷处形成GaN量子点结构。由于本发明的GaN层是外延生长在具有锯齿形宏台阶形貌的垒层上的，由此，在脱附处理时，该GaN层的生在在锯齿形宏台阶形貌的凹陷位置的GaN相对于该GaN层的生长在其他位置的GaN更难脱附，呈现选择性脱附的情况，因此，在经过脱附处理后，该GaN层的仅锯齿形宏台阶形貌的凹陷最低点位置的GaN未脱附，该未脱附的GaN即为所需制备的GaN量子点结构。
深紫发光器件中的量子制备方法外延

[发明专利]一种基于光纤振动信号的盲人定位与偏航预警的装置、系统及方法-CN202310301329.0在审
发明人：马琳;梁耀朗;常浩泽;何晨光 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01C21/20 文献下载
摘要：本发明提出一种基于光纤振动信号的盲人定位与偏航预警的装置、系统及方法。所述装置包括光时域反射仪模块、信号预处理模块、盲人/非盲人判别模块和定位与偏航预警模块。该系统在无需视频监控设备以及可穿戴式传感设备的情况下提供了较高的盲人用户识别率与较高的定位精度，更全面有效地为盲人出行领域提供了应用支持。该系统增强了针对不同人体识别的适应性，以较低的时延和较高的准确率识别视障用户的位置，并在视障用户行走偏离时及时地为用户提供预警，以便为未来针对视障用户提供相关服务。
一种基于光纤振动信号盲人定位偏航预警装置系统方法

[发明专利]一种紫外光电器件及其制备方法-CN202011567039.3有效
发明人：吴华龙;何晨光;贺龙飞;张康;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外光电器件及其制备方法，制备方法包括：采用沉积方法在大倾角蓝宝石衬底上沉积200nm‑4μm的AlN材料；将AlN材料放置于高温热退火炉中进行高温热退火处理，在完成高温热退火后，将蓝宝石衬底放置于MOCVD设备中生长紫外光电器件结构，其中，紫外光电器件结构包括但不限于紫外LED结构和紫外光电探测器结构。本发明实施例通过采用大倾角蓝宝石衬底进行外延生长后高温热退火得到锯齿状宏台阶，锯齿状宏台阶能够将注入到量子阱中的载流子限制在宏台阶褶皱处，从而能够避免遇上位错发生而非辐射复合，进而能够有效地提高紫外光电器件的发光效率和光电转换效率。
一种紫外光电器件及其制备方法

[发明专利]一种衬底剥离方法-CN202010943817.8有效
发明人： 何晨光;张康;吴华龙;陈志涛;赵维;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底剥离方法。本发明的衬底剥离方法包括以下步骤：(1)在第一衬底上沉积AlN材料，形成复合基板，其中，沉积AlN材料过程中的环境气氛掺有氧元素，使得AlN材料中氧原子浓度高于1E16cm‑3；(2)将复合基板置于退火炉中，升温至1400‑2000℃，并在此温度退火0.5‑24h，在退火过程中，在AlN材料与第一衬底的界面上方形成反型边界，退火后降温将复合基板取出；(3)在经过退火的复合基板上外延生长外延层，形成完整的外延片；(4)将激光从第一衬底面照射，激光光斑聚焦在反型边界，使得反型边界上方和下方分离，实现第一衬底的剥离。本发明的剥离方法简单，低成本，良率高，且不受限于短波长、大功率激光器。
一种衬底剥离方法

[发明专利]氮化物半导体材料的制备方法及其退火处理方法-CN202011574313.X有效
发明人：吴华龙;何晨光;张康;贺龙飞;赵维;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物半导体材料的制备方法及其退火处理方法，其中，退火处理方法包括以下步骤：步骤S1，在第一晶片的氮化物材料层表面上沉积采用能够通过化学腐蚀方式去除的耐高温材料保护层，其中，第一晶片通过在异质衬底上沉积氮化物材料层制得；步骤S2，对沉积有保护层的第一晶片进行高温退火处理；步骤S3，通过化学腐蚀方式去除经过高温退火处理的第一晶片上的保护层。本发明的方案通过设置保护层，使得在进行高温退火处理以降低氮化物材料层位错密度时，氮化物材料层不会出现表面分解，且能避免气氛中的碳、氧等杂质并入；且通过化学腐蚀的方式去除保护层，不会损伤氮化物材料层和异质衬底。
氮化物半导体材料制备方法及其退火处理

[发明专利]一种基于智能超表面的图像语义通信系统-CN202310269806.X在审
发明人：陈舒怡;惠英哲;孟维晓;秦一凡;叶亮;何晨光 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H04N19/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于智能超表面的图像语义通信系统，采用基于智能超表面的深度联合信源信道图像压缩编码方法，具体包括离线训练过程和物理推演过程。本发明采用上述的一种基于智能超表面的图像语义通信系统，具备计算速度高、系统容量大、计算功耗低、宽频谱范围、实时可编程等诸多优势，在未来无线网络中具备光明前景。
一种基于智能表面图像语义通信系统

[发明专利]半导体单晶材料的制备方法-CN202211717074.8在审
发明人：吴华龙;何晨光;张康;赵维;贺龙飞;廖乾光;刘云洲;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体单晶材料的制备方法，其包括以下步骤：采用异质衬底进行材料制备；在200℃‑700℃的温度下，在异质衬底上溅射化合物半导体材料，以得到第一晶圆；对第一晶圆进行次数不少于两次的热处理，以得到热处理成品晶圆，其中，每次热处理的温度比前一次热处理的温度高，第一次热处理的温度高于溅射温度，最后一次热处理温度范围为1300℃‑1800℃；在热处理成品晶圆上沉积化合物半导体材料，以制得半导体单晶材料。由此，化合物半导体材料经过前期低温热处理材质得到了致密化，避免后续进行高温热处理重排形成单晶时因结构松散而出现热分解的问题，以便后续沉积的化合物半导体材料保持单晶状态。
半导体材料制备方法

[发明专利]高出光的深紫外LED薄膜芯片结构及其制备方法-CN202211526880.7在审
发明人：张康;何晨光;吴华龙;廖乾光;刘云洲 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种高出光的深紫外LED薄膜芯片结构及其制备方法，结构包括合拢层和与合拢层邻接的深紫外LED发光本体，合拢层包括至少二个离散布置的凸台结构，且所有离散布置的凸台结构在其与深紫外LED发光本体邻接端相互连接形成连续的合拢表面，深紫外LED发光本体形成在所述合拢表面上；各凸台结构的侧边与所述合拢表面之间形成有合拢倾角，且合拢倾角α均满足α≥90°‑θc，其中，θc用于表征光线在所述合拢层的临界角。本发明实施例提供的深紫外LED薄膜芯片结构使得TM模式下的大部分光线都能通过各凸台结构的离散端的侧边斜面折射出去，提高了深紫外LED薄膜芯片结构在TM模式下的光提取效率。
高出光深紫 led 薄膜芯片结构及其制备方法

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