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[发明专利]提高晶体质量的掺硼硅衬底HEMT外延片制备方法-CN202210099672.7在审
发明人：蒋媛媛;刘旺平 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在掺硼硅衬底的表面先生长第一AlN层，可以起到阻挡掺硼硅衬底的杂质的延伸。在生长完第一AlN层之后，向反应腔通入氯气对第一AlN层进行腐蚀，氯气可以腐蚀第一AlN层的表面以去除延伸至第一AlN层表面的部分缺陷，也可以使第一AlN层内部积累的应力可以被释放一部分。在通入氯气之后，对反应腔进行换气处理，生长第二AlN层，底层缺陷的减少以及晶体质量的提高，可以降低得到的HEMT外延片出现漏电的可能性，提高HEMT的可靠性。
提高晶体质量掺硼硅衬底 hemt 外延制备方法

[发明专利]一种基于自停止刻蚀的pGaN栅极GaN HEMT及其制备方法-CN202310016178.4在审
发明人：魏进;余晶晶 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自停止刻蚀的pGaN栅极GaN HEMT及其制备方法，采用特定的晶圆外延结构，在栅极pGaN帽层中靠近势垒层的部分插入了一层AlN层，形成pGaN/AlN/pGaN帽层结构；在制备时首先利用AlN与pGaN之间的高刻蚀选择比，在刻蚀上层pGaN时实现AlN表面的自停止刻蚀，然后刻蚀AlN层与下层pGaN，完成晶体管有源区pGaN/AlN/pGaN帽层结构的均匀刻蚀。该方法可以精确控制pGaN栅极GaN HEMT器件有源区pGaN/AlN/pGaN帽层结构的刻蚀深度，并且能有效避免损伤pGaN帽层与势垒层的界面，最终制备得到器件特性一致性好的高性能pGaN栅极氮化镓高电子迁移率晶体管
一种基于停止刻蚀 pgan 栅极 gan hemt 及其制备方法

[发明专利]一种在Si衬底上外延生长的高质量AlN薄膜及其制备方法-CN201610553007.5有效
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在Si衬底上外延生长的高质量AlN薄膜及其制备方法，具体地，该方法包括以下步骤：1)选取Si衬底；2)外延预铺Al层；3)生长AlN成核层和4)生长AlN薄膜，其中，在AlN薄膜生长过程中该方法有利于得到较厚(>1μm)的无裂纹AlN薄膜，实现AlN岛间愈合呈二维生长。相比多步多层或高温生长AlN薄膜的技术而言，本发明有利于缩短薄膜制备所耗时间，生长工艺独特而且简单易行，便于大规模生产。该薄膜可广泛应用于LED、紫外与深紫外器件、表面声波器件用压电薄膜等领域。
一种 si 衬底外延生长质量 aln 薄膜及其制备方法

[发明专利]半导体发光装置及其制造方法-CN200810165771.0有效
发明人：山口勉;田代贺久;森健三;坂本博夫;西田武弘 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-09-23 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明的半导体发光装置是将半导体激光芯片(11)以结向下方式接合到AlN衬底(12)上，并将该AlN衬底(12)接合到Cu管座(13)(封装)上而形成的。将与半导体激光芯片(11)的激光照射方向垂直的方向作为AlN衬底(12)的宽度W的方向。对AlN衬底(12)厚度H和宽度W进行设定，使得半导体激光芯片(11)与AlN衬底(12)发生接合的面的中心部受到的等效应力与AlN衬底(12)的宽度W方向的应力相乘后所得的数值∑不会超过通过改变AlN
半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]一种含纳米Ti2-CN202010908265.7有效
发明人：周俊全;韩延峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种含纳米Ti2AlN粒子的铝基合金及其制备方法，含纳米Ti2AlN粒子的铝基合金包括：纳米级Ti2AlN粒子相和Al基体，其中，纳米级Ti2AlN粒子相呈弥散状分布于Al基体中，Ti2AlN粒子能同时起细化铝晶粒和强化铝基体的作用。本发明制备方法采用熔体反应原位自生纳米级Ti2AlN粒子，使反应可以在较低温度下进行，并且解决了反应物易被氧化的问题，纳米级Ti2AlN粒子可以同时起到细化铝晶粒和强化铝基体的作用
一种纳米 ti base sub

[发明专利]一种添加多元烧结助剂的AlN陶瓷低温烧结制备方法-CN201410428584.2在审
发明人：汤文明;詹俊 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明公开了一种添加多元烧结助剂的AlN陶瓷低温烧结制备方法，该方法以AlN粉体为原料，其中AlN粉的平均粒径为1.1-1.5μm，比表面积为2.8-3.2m²/g，在其中加入两种或以上稀土金属化合物和一种或两种碱土金属化合物构成多元烧结助剂；多元烧结助剂与AlN粉体原料混匀、烘干后，加入固体石蜡成形剂造粒，压制成形，580-600℃保温20-30min，排胶排胶后在N₂保护气氛中、1600-1750℃温度下烧结2-6h，得到AlN陶瓷材料及制品。本发明方法可以较大幅度地降低AlN陶瓷的烧结温度，大大提高AlN陶瓷的低温烧结致密程度，制备的AlN陶瓷及制品性能更优良，微观结构更均匀，晶粒细小。
一种添加多元烧结助剂 aln 陶瓷低温制备方法

[发明专利]一种新型白光LED器件的制备方法-CN201910149693.3在审
发明人：刘舸;王优;田青;周玲;孙光东;魏晓慧 -专利权人：惠州学院
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型白光LED器件的制备方法，包括以下步骤：制备AlN晶体材料；对AlN晶体材料进行切割、打磨和抛光，制成表面平整的AlN薄片；对制成的AlN薄片进行清洗，清洗后对其进行烘烤以除去表面的水气与溶剂残留物；在AlN薄片上图形化电极并蒸镀金属电极；最后再进行氮气氛下的退火处理，制成新型白光LED器件。本发明直接采用气相传输法制备的AlN晶体材料作为功能材料，在晶体上制备电极后直接通电发光。该方法实现单一材料的白光输出，无需荧光粉的二次转换，因此器件结构更加简单紧凑，单晶状态的AlN功能层也能承载更大的功率密度。由于利用宽禁带半导体AlN材料禁带内的缺陷发光，使器件的发射光谱十分丰富，可覆盖整个可见光区域，且光色品质出色。
制备晶体材料新型白光发光清洗荧光粉宽禁带半导体可见光区域溶剂残留物图形化电极表面平整单晶状态单一材料发射光谱功能材料金属电极器件结构气相传输退火处理直接通电功能层电极抛光烘烤水气白光光色禁带蒸镀打磨紧凑切割承载输出转换覆盖

[发明专利]衬底、半导体器件及衬底制作方法-CN201710317803.3有效
发明人：李雪威;张纪才;王建峰;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种衬底、半导体器件及衬底制作方法，该衬底包括蓝宝石衬底、以及形成于蓝宝石衬底上的图形化的AlN薄膜。该半导体器件包括所述的衬底、以及形成于所述衬底上的外延层。衬底的制作方法包括：先蒸镀掩膜材料，然后再进行干法刻蚀掩膜，再通过湿法腐蚀AlN，最后在除去掩膜材料，从而形成图形化AlN薄膜的方法。本发明使用常规的工艺，就可以在AlN/蓝宝石模板上制备出图形化的AlN薄膜。使用的是干法刻蚀与湿法腐蚀结合的方法，既保证刻蚀精度又保证刻蚀速率。对于制备工艺的要求十分简单，且测试手段方便。本发明使用了在AlN/蓝宝石模板上通过刻蚀AlN，制备AlN薄膜上周期性的图形，从而达到提高晶体生长质量，提高器件效率的目的。
衬底蓝宝石半导体器件图形化刻蚀干法刻蚀湿法腐蚀掩膜材料制备制作测试手段晶体生长器件效率制备工艺常规的外延层掩膜蒸镀保证申请

[发明专利]LED的ALN缓冲层及其外延生长方法-CN201810662612.5有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED的ALN缓冲层及其外延生长方法，包括：生长AlN‑1薄膜层、冷却蓝宝石衬底、生长AlN‑2薄膜层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长发光层、生长p型AlGaN层、生长高温p型GaN层、降温冷却；其中，生长AlN‑1薄膜层为：将蓝宝石衬底放入磁控溅射反应设备加热到650℃，通入Ar、N₂、以及O₂，控制溅射偏压由3000V减少至2200V，设定靶基距为3‑4cm，溅射厚度为15‑20nm的AlN‑1薄膜层；生长AlN‑2薄膜层为：将生长有AlN‑1薄膜层的蓝宝石衬底放入MOCVD反应腔，控制温度由850℃逐渐增加至950℃，保持反应腔压力在250mbar，通入H₂、NH₃、TMAl源，生长厚度为15‑20nm的AlN‑2薄膜层。
薄膜层生长蓝宝石衬底外延生长放入溅射反应腔压力磁控溅射反应设备降温冷却逐渐增加靶基距发光层反应腔加热冷却掺杂

[发明专利]一种氮化铝纳米粒子改性变压器油的制备方法-CN201510397698.X有效
发明人：周远翔;杨颖;刘东霖 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C10M125/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝(AlN)纳米粒子改性变压器油的制备方法，属于电力工业变压器油制作技术领域。AlN纳米粒子改性分为两步。第一步：将AlN纳米粒子溶解于无水乙醇中，采用超声和球磨的方法将KH550接枝到AlN纳米颗粒的表面，经过加热、干燥后得到改性颗粒(1)；第二步：采用球磨的方法将油酸接枝到改性颗粒(1)的表面，经过加热后得到最终改性好的AlN纳米粒子。将改性好的AlN纳米粒子与变压器油混合并进行超声分散，得到AlN粒子改性变压器油。本制备方法使制得的AlN纳米粒子改性变压器油有优异的导热性能和电气性能，具有良好的长期稳定性，更保证了其在服役期间的稳定性和可靠性。
一种氮化纳米粒子改性变压器制备方法

[发明专利]一种AlN增强镁锂基复合材料及其制备方法-CN202010327514.3有效
发明人：吴国华;冀浩;刘文才;丁德华;廖光澜 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C22C23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN增强镁锂基复合材料及其制备方法；所述复合材料的组分为：Li 10‑15％，Zn 1‑5％，Ca 0.1‑0.5％,AlN 3‑13％，余量为Mg。其制备方法包括：AlN/镁屑预制块的制备，氩气保护熔炼和塑性变形。其中，采用球磨和热压法来制备AlN/镁屑预制块；氩气保护熔炼包括：熔配好的金属原料，添加AlN/镁屑预制块，机械搅拌和超声处理熔体，浇铸。塑性变形包括均匀化处理和塑性变形。本发明通过制备AlN/镁屑预制块、机械搅拌和超声处理熔体，实现AlN颗粒在镁锂基体中的均匀分散，对铸锭进行后续塑性变形后获得具有高强度和弹性模量的AlN增强镁锂基复合材料。
一种 aln 增强镁锂基复合材料及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202110125820.3有效
发明人：刘旺平;梅劲;刘春杨;葛永晖;张武斌 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：在衬底与n型层之间增加复合缓冲层，且复合缓冲层包括依次层叠的AlN子层及AlGaN子层。AlN子层包括层叠在衬底上的AlN膜及多个间隔分布在AlN膜上的AlN柱状凸起。AlGaN子层包括对应同轴覆盖在一个AlN柱状凸起的外周壁上的多个AlGaN筒，每个AlGaN筒的外径由每个AlGaN筒靠近AlN膜的一端至每个AlGaN筒远离AlN膜的一端减小，则相邻的AlGaN筒的外周壁之间会留存有类似倒锥形的间隙
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种AlN薄膜的制备方法-CN202110032642.X在审
发明人：梁晓平;门阔;刘皓;连紫薇;魏峰;李洋 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN薄膜的制备方法，采用Mo靶、Al靶作为溅射靶材，(100)取向的Si作为衬底，将其预处理，采用磁控溅射方法，先制备Mo过渡层，再制备AlN薄膜，溅射过程通入Ar、N2混合气，通过改变两种气体比例进而调控AlN薄膜取向。该方法制得的AlN薄膜(100)择优取向生长，且薄膜质量优良，提高了AlN薄膜制备效率，同时节约了成本。
一种 aln 薄膜制备方法

[发明专利]一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法-CN201310031174.X无效
发明人：张骏;田武;吴峰;戴江南;陈长清 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法，其步骤：1)在蓝宝石衬底上生长AlInN薄层；2)在AlInN薄层上生长一层薄的低温AlN层；3)高温退火获得自图形化AlN缓冲层；4)在自图形化AlN缓冲层上生长AlN材料。
一种利用 alinn 图形模板提高 aln 质量方法

[实用新型]生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜-CN201220629414.7有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜，其包括金属Ag衬底层、生长在金属Ag衬底层上的外延AlN薄膜层。与现有技术相比，本实用新型的AlN薄膜采用Ag作为衬底，在金属Ag上生长AlN薄膜，无论是在缺陷密度、表面粗糙度、还是在结晶质量方面均具有优异性能，该AlN薄膜应用在电器元件中能够提高散热效率和出光效率
生长金属 ag 衬底 aln 薄膜