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- [发明专利]一种低温快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的方法-CN202310705267.X在审
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单英春;郗雪敏;徐久军;马莉娅;韩晓光
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大连海事大学
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2023-06-14
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2023-09-22
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C04B35/581
- 本发明涉及一种低温快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的方法，属于透明陶瓷材料制备领域。一种低温快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的方法，其特征在于：在AlON粉体中仅添加掺量为0.15‑0.40wt.％的La2O3作为烧结助剂，通过球磨调控粉体粒度，获得AlON/La2O3混合粉体；氮气氛围下，采用无压烧结制得高致密度的具有高红外透过率的AlON陶瓷，其中，球磨后AlON/La2O3混合粉体的D50为0.8‑2.2μm，且粒度分布范围为0.3‑7μm，0.5μm的颗粒含量5vol.％，4μm的颗粒含量10vol.％。该方法AlON粉体粒度适中，减少了球磨细化引入过多杂质的风险，仅使用La2O3作为烧结助剂，配料过程可控性更强，无压烧结方法易实现，设备成本低，烧结温度低、保温时间短，节能效果好、效率高、制备成本低，易实现产业化。
- 一种低温快速烧结制备alon透明陶瓷方法
- [发明专利]AlON粉体的抗水化方法-CN202310740573.7在审
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王军;李屹立;原保平;苏学剑;匡波
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成都光明光电有限责任公司
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2023-06-21
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2023-09-19
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C04B35/581
- 本发明公开了AlON粉体的抗水化方法，包括以下步骤：将Al2O3粉、碳粉和无水乙醇混合均匀；对混合均匀的物料进行干燥，干燥后过筛；将过筛后的物料置于氮化硼坩埚中，在流动氮气气氛条件下反应得到单相AlON粉体；向制备所得单相AlON粉体中加入无水乙醇混合均匀，得到AlON陶瓷粉体浆料；对所得AlON陶瓷粉体浆料进行干燥，干燥后过筛；将过筛后的AlON粉体置于氧化铝坩埚中并一同进行保温，使AlON粉体表面形成氧化铝层。本发明在AlON粉体的表面形成很薄的氧化铝层，通过氧化铝层将所包裹的AlON粉体与水隔绝开，从而避免AlON粉体与水反应而出现水解现象，使得AlON粉体在水中具有良好的稳定性，为AlON粉体赋予了良好的抗水化能力。
- alon水化方法
- [发明专利]一种半导体用AlN组成成分及其制造方法-CN202310735097.X在审
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金时渊
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苏州艾成科技技术有限公司
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2023-06-20
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2023-09-19
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C04B35/581
- 本发明公开了一种半导体用AlN组成成分及其制造方法，包括CAS玻璃、Y2O3、MgO与CaCO3，所述CAS玻璃添加量以0.5～2wt％为宜，所述Y2O3、MgO与CaCO3烧结添加剂含量以0.5～2wt％为宜，所述CAS玻璃包括CaO、SiO2与Al2O3，所述CaO的组成成分为20～60mol％，所述Al2O3的组成成分为10～40mol％，所述SiO2的组成成分为0.1～10mol％。本发明所述的一种半导体用AlN组成成分及其制造方法，改善了AlN烧结时使用的烧结助剂的组成成分，从而改善了绝缘特性，将glass作为AlN的烧结添加剂应用，在开发新组成成分的同时，改善半导体用AlN的电气特性本质问题。
- 一种半导体aln组成成分及其制造方法
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