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[发明专利]一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法-CN201410056560.9无效
发明人：毛德丰;李维;王维颖;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种高Al组分AlGaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlGaN连续渐变缓冲层或AlGaN/AlN或AlGaN/GaN超晶格缓冲层；步骤4：在连续渐变缓冲层上生长AlGaN薄膜。本发明通过优化缓冲层设计，能够有效降低传统AlN缓冲层带来的高位错影响。减小高Al组分AlGaN与GaN缓冲层的晶格失配影响，改善AlGaN外延薄膜质量。
一种 al 组分 algan 薄膜制备方法

[发明专利]一种LED外延生长方法-CN201510454406.1有效
发明人：周少将;徐迪;卢国军;刘为刚 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了LED芯片外延生长方法，LED芯片包括自下而上顺序设置的衬底、低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层、浅量子阱层、有源层MQW、AlGaN/GaN超晶格、低温P型GaN层、P型AlGaN/InGaN超晶格结构、高温P型GaN层及P型接触层。方法包括在衬底上从下而上顺序生长低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层及浅量子阱层；在浅量子阱层上生长出有源层MQW，有源层MQW为低温多量子阱结构；在有源层MQW上生长非刻意掺杂的AlGaN/GaN超晶格结构；在AlGaN/GaN超晶格结构上生长低温P型GaN层；在低温P型GaN层上生长P型AlGaN/InGaN超晶格结构；在P型AlGaN/InGaN超晶格结构上生长高温P型GaN层；在高温P型GaN层上生长P型接触层；以及降温得到LED芯片外延结构。
一种 led 外延生长方法

[发明专利]AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法-CN201610898680.2在审
发明人：陈立人;陈伟;刘恒山 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种AlInGaN基紫外LED外延结构及其制造方法，LED外延结构依次包括：衬底；高温u‑AlGaN层；位于高温u‑AlGaN层上的高温n‑AlGaN层；位于高温n‑AlGaN层上的n‑AlGaN粗化层；位于n‑AlGaN粗化层上的低温AlInGaN/AlGaN超晶格层，低温AlInGaN/AlGaN超晶格层包括层叠设置的低温AlInGaN层和低温AlGaN层；位于低温AlInGaN/AlGaN超晶格层上的高温p‑AlGaN电子阻挡层；位于高温p‑AlGaN电子阻挡层上的高温p‑AlGaN披覆层；位于高温p‑AlGaN披覆层上的高温p‑GaN接触层；其中，衬底与高温u‑AlGaN层之间设置SiO2图形化掩模和缓冲层。本发明采用n型AlGaN粗化层，后续外延层延续此粗化表面生长，从而打断连续的二维平面生长，使发光区所产生的光得以从侧面输出，避免光于平面内多次反射最终被吸收损耗。
alingan 紫外 led 外延结构及其制造方法

[发明专利]Si衬底的AlGaN薄膜结构及制备方法-CN202011551635.2在审
发明人：高芳亮;杨金铭 -专利权人：深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了Si衬底的AlGaN薄膜结构及制备方法，所述Si衬底的AlGaN薄膜结构包括：生长在Si衬底上的基础AlN层、生长在所述基础AlN层上的第一高温AlN层、生长在所述第一高温AlN层上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的第二高温AlN层、生长在所述第二高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层，其中所述第二AlGaN层的厚度比所述第一AlGaN层的厚度大本发明在Si衬底上制备AlN缓冲层，并采用低温结合高温AlN缓冲层技术，能够有效避免降低Si和Ga之间在高温下的回熔刻蚀反应，克服现有技术的不足，获得高性能的AlGaN薄膜。
si 衬底 algan 薄膜结构制备方法

[实用新型]Si衬底的AlGaN薄膜结构-CN202023154012.X有效
发明人：高芳亮;杨金铭 -专利权人：深圳市昂德环球科技有限公司;惠州市三航无人机技术研究院
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了Si衬底的AlGaN薄膜结构，所述Si衬底的AlGaN薄膜结构包括：生长在Si衬底上的基础AlN层、生长在所述基础AlN层上的第一高温AlN层、生长在所述第一高温AlN层上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的第二高温AlN层、生长在所述第二高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层，其中所述第二AlGaN层的厚度比所述第一AlGaN层的厚度大本实用新型在Si衬底上制备AlN缓冲层，并采用低温结合高温AlN缓冲层技术，能够有效避免降低Si和Ga之间在高温下的回熔刻蚀反应，克服现有技术的不足，获得高性能的AlGaN薄膜。
si 衬底 algan 薄膜结构

[发明专利]一种在硅衬底上生长高质量氮化镓薄膜的方法-CN201811377063.3在审
发明人：白俊春;周小伟;景文甲;李培咸;平加峰 -专利权人：江苏晶曌半导体有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在硅衬底上生长高质量氮化镓薄膜的方法，包括如下步骤：（1）对Si衬底进行表面去除氧化物操作；（2）在Si衬底上沉积AlN缓冲层，包含低温AlN缓冲层和高温AlN缓冲层；（3）在高温AlN缓冲层上沉积AlGaN‑1缓冲层；（4）在AlGaN‑1缓冲层上沉积AlGaN‑2缓冲层；（5）在AlGaN‑2缓冲层上生长GaN外延层。本发明AlGaN/AlN外延结构通过预先引入压应力使外延片凸起，GaN生长完毕降温过程中，GaN薄膜收缩比Si衬底快，GaN‑Si外延片由凸型变为无翘曲。本发明中提出两层AlGaN缓冲层结构成功实现了高质量无裂纹的GaN薄膜外延生长。
缓冲层衬底沉积生长氮化镓薄膜硅衬底外延片表面去除氧化物缓冲层结构降温过程外延结构外延生长收缩比压应力两层翘曲凸起凸型引入成功

[实用新型]紫外GaN基LED外延结构-CN201620155376.4有效
发明人：冯猛;陈立人;刘恒山 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种紫外GaN基LED外延结构，LED外延结构依次包括：衬底；位于衬底上的低温缓冲层；位于低温缓冲层上的高温u‑GaN层；位于高温u‑GaN层上的高温n‑GaN层；位于高温n‑GaN层上的低温AlGaN/GaN超晶格层，低温AlGaN/GaN超晶格层包括层叠设置的低温AlGaN层和低温GaN层。本实用新型采用低温AlGaN/GaN超晶格层取代传统的InGaN/GaN应力释放层，通过调整低温AlGaN/GaN超晶格层的生长工艺，可以沿着位错缺陷产生V‑pits，从而阻挡载流子在位错缺陷处产生非辐射复合
紫外 gan led 外延结构

[发明专利]紫外GaN基LED外延结构及其制造方法-CN201610114803.9有效
发明人：冯猛;陈立人;刘恒山 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外GaN基LED外延结构及其制造方法，LED外延结构依次包括：衬底；低温缓冲层；高温u‑GaN层；高温n‑GaN层；低温AlGaN/GaN超晶格层；低温InGaN/AlGaN紫外发光层；高温p‑AlGaN电子阻挡层；高温p‑GaN层。本发明采用低温AlGaN/GaN超晶格层取代传统的InGaN/GaN应力释放层，通过调整低温AlGaN/GaN超晶格层的生长工艺，可以沿着位错缺陷产生V‑pits，从而阻挡载流子在位错缺陷处产生非辐射复合
紫外 gan led 外延结构及其制造方法

[发明专利]一种非极性紫外LED及其制备方法-CN201810233112.X在审
发明人：王文樑;李国强;郑昱林;阳志超 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种非极性紫外LED及其制备方法，该非极性紫外LED自下而上依次包括r面蓝宝石衬底、生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlGaN缓冲层、高温AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN/AlGaN超晶格层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源区、非掺杂AlGaN盖帽层、低温p型掺杂AlGaN层、p型掺杂AlGaN层和p型重掺杂AlGaN层。
紫外LED 非极性非掺杂衬底制备高温AlGaN缓冲层多量子阱有源区超晶格层发光波长盖帽层缓冲层生长

[发明专利]一种以GaN和AlGaN循环结构作为Buffer层的生长方法-CN201610272726.X在审
发明人：栾政;李毓峰;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种以GaN和AlGaN循环结构作为Buffer层的生长方法，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上依次生长GaN低温缓冲层和GaN高温缓冲层；(2)在GaN高温缓冲层上生长GaN层；(3)通入Al和Ga的反应源，在GaN层上生长AlGaN阻挡层；(4)通入Al和Ga的反应源，在AlGaN阻挡层上生长AlGaN补偿层；(5)通入Al和Ga的反应源，在AlGaN补偿层上生长AlGaN层；(6)重复步骤(2)到步骤(5)，循环生长，直到完成GaN和AlGaN循环结构周期。该方法通过在异质界面处插入超薄的阻挡－补偿对层，实现了有效阻挡界面元素互扩散现象，获得了高对称的超陡峭循环结构。
一种 gan algan 循环结构作为 buffer 生长方法

[发明专利]一种具有自组装模板的AlGaN复合薄膜及其制备方法-CN202010830369.0有效
发明人：张骏;岳金顺;梁仁瓅 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有自组装模板的AlGaN复合薄膜及其制备方法，所述具有自组装模板的AlGaN薄膜由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN低温缓冲层、高温AlN层、AlGaN自组装模板层和高温AlGaN薄膜层；所述AlGaN自组装模板层由紧贴设置的AlInGaN薄膜层和AlGaN低温层升温退火至In升华后制得，且升温退火前所述AlInGaN薄膜层位于靠近所述高温AlN层一侧，所述AlGaN低温层位于靠近所述高温AlGaN薄膜层一侧。本发明通过AlInGaN薄膜层和AlGaN低温层经升温退火至In升华后，形成具有图形化的AlGaN自组装模板层，该AlGaN自组装模板层可以有效过滤来源于高温AlN层的穿透位错，并释放生长过程中积累的热应力，从而显著提高AlGaN复合薄膜的质量并防止薄膜开裂。
一种具有组装模板 algan 复合薄膜及其制备方法

[发明专利]In-Si共掺杂量子阱的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法-CN202111167141.9在审
发明人：王新强;康俊杰;罗巍;袁冶;刘上锋;王后锦;李永德;王维昀;李泰;万文婷 -专利权人：中紫半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-10-03 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种In‑Si共掺杂量子阱的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法，其包括按从下至上的顺序依次分布衬底、低温AlGaN缓冲层、高温AlN层、AlGaN/AlGaN超晶格应力缓冲层、n型AlGaN层、有源发光区AlGaN/AlGaN多量子阱、电子阻挡p型AlGaN层、电流扩展p型AlGaN层和p型GaN接触层。本发明在多量子阱区域引入In‑Si共掺杂原子，能够实现对多量子阱有源区的非辐射复合中心的湮灭，增强有源区的辐射复合发光，提升深紫外LED外延结构的内量子效率，同时In‑Si原子能钳制住高温下的位错迁移，
in si 掺杂量子 algan 深紫 led 外延结构及其制备方法

[实用新型]一种非极性紫外LED-CN201820383010.1有效
发明人：王文樑;李国强;郑昱林;阳志超 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非极性紫外LED，该非极性紫外LED自下而上依次包括r面蓝宝石衬底、生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlGaN缓冲层、高温AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN/AlGaN超晶格层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源区、非掺杂AlGaN盖帽层、低温p型掺杂AlGaN层、p型掺杂AlGaN层和p型重掺杂AlGaN层。本实用新型的非极性紫外LED使用AlGaN材料作为器件基础材料，不仅能有效调控LED发光波长，更有效利用了非极性III族氮化物发光器件具有的光偏振特性，在紫外光区间的如半导体激光器、紫外探测器等氮化物元件中具备极大的应用前景
非极性紫外LED 本实用新型非掺杂衬底高温AlGaN缓冲层多量子阱有源区半导体激光器光偏振特性紫外探测器超晶格层基础材料有效调控紫外光氮化物盖帽层缓冲层波长生长应用

[发明专利]Mg掺杂电子阻挡层的外延片，生长方法及LED结构-CN201410407703.6有效
发明人：周少将;徐迪;卢国军;刘为刚 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种Mg掺杂电子阻挡层的外延片，生长方法及LED结构，所述的外延片从下至上依次为衬底，低温GaN缓冲层，高温GaN缓冲层，n型GaN层，n型AlGaN层，n型接触层，多量子阱层，GaN垒层，在所述的GaN垒层上为AlGaN/GaN电子阻挡层，所述的AlGaN/GaN电子阻挡层上为低温P型GaN层，所述的低温P型GaN层上为掺杂Mg的高浓度的AlGaN/InGaN电子阻挡层，所述的AlGaN/InGaN电子阻挡层上为高温P型GaN层，所述的高温P型GaN层上为P型接触层。本发明的优点是提高P层向多量子阱中注入的空穴浓度；同时，增强电子阻挡作用，以提高出光效率，可显著提升亮度。
mg 掺杂电子阻挡外延生长方法 led 结构

[实用新型]非极性AlGaN基深紫外LED外延片-CN202022122249.3有效
发明人：高芳亮;杨金铭 -专利权人：深圳市昂德环球科技有限公司;深圳市三航工业技术研究院
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了非极性AlGaN基深紫外LED外延片，包括：生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的非掺杂a面AlGaN缓冲层、生长在所述非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN薄膜，本实用新型所制备的非极性AlGaN基深紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳。
极性 algan 深紫 led 外延

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