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[发明专利]一种利用合金相变校准MOCVD设备温度的装置及方法-CN201911124525.5有效
发明人：朱明星;李华;周少将;王伟明 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种利用合金相变校准MOCVD设备温度的装置，包括：校温片，所述校温片包括相变材料层，所述相变材料层具有预定的相变温度点，所述校温片设置于MOCVD设备的样品处，通过相变材料层发生相变反应时校温片表面激光反射率突变来获得样品处的真实温度。本公开可在没有黑体炉及被测材料发射率参数未知情况下，对红外测温曲线进行校正，解决了MOCVD系统中红外测温曲线偏离真实样品温度的问题。
一种利用合金相变校准 mocvd 设备温度装置方法

[实用新型]光致发光检测装置-CN202020330671.5有效
发明人： 周少将;李华;房春华;王伟明 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光致发光检测装置，用于太阳能电池的检测，光致发光检测装置包括：平台，光源组，所述光源组设置于所述平台的上方的光源平面上；成像组，所述成像组设置于所述光源平面的上方。通过该光致发光检测装置可以实现在一次性照射成像过程中，同时检测单个样品中的所有材料的所有波长、以及同时检测多个样品的成像数据，进一步提高了每次的检测样品数量，结合自动化进料部和出料部的设计，增强了本设备的检测能力和自动化程度，极大地提高了样品检测的效率。最后，通过采用LED光源作为光源组的检测光的激发光源，替代率传统的激光光源，降低了光源成本，利于该光致发光检测装置在工业化生产过程中的应用普及。
光致发光检测装置

[发明专利]光致发光检测装置及检测方法-CN202010185325.7在审
发明人： 周少将;李华;房春华;王伟明 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致发光检测装置及检测方法，用于太阳能电池的检测，光致发光检测装置包括：平台，光源组，所述光源组设置于所述平台的上方的光源平面上；成像组，所述成像组设置于所述光源平面的上方。通过该光致发光检测装置可以实现在一次性照射成像过程中，同时检测单个样品中的所有材料的所有波长、以及同时检测多个样品的成像数据，进一步提高了每次的检测样品数量，结合自动化进料部和出料部的设计，增强了本设备的检测能力和自动化程度，极大地提高了样品检测的效率。最后，通过采用LED光源作为光源组的检测光的激发光源，替代率传统的激光光源，降低了光源成本，利于该光致发光检测装置在工业化生产过程中的应用普及。
光致发光检测装置方法

[发明专利]垂直面腔表面发射激光器及其制备方法-CN201810251636.1在审
发明人：朱明星;周少将;王伟明;李华 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本公开涉及一种垂直面腔表面发射激光器及其制备方法。所述垂直面腔表面发射激光器包括：按顺序层叠设置的第一反射镜层、有源层和第二反射镜层，所述第二反射镜层位于出光侧，所述第一反射镜层位于非出光侧，其特征在于：所述第一反射镜层包括位于非出光侧的金属反射镜层和介于金属反射镜层与有源区之间的第一布拉格反射镜层；以及所述第二反射镜层包括第二布拉格反射镜层。本公开的垂直面腔表面发射激光器及其制备方法，可以提高垂直面腔表面发射激光器的性能。
反射镜层表面发射激光器垂直面制备布拉格反射镜层金属反射镜层层叠设置源层源区

[实用新型]垂直面腔表面发射激光器-CN201820410100.5有效
发明人：朱明星;周少将;王伟明;李华 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本公开涉及一种垂直面腔表面发射激光器。所述垂直面腔表面发射激光器包括：按顺序层叠设置的第一反射镜层、有源层和第二反射镜层，所述第二反射镜层位于出光侧，所述第一反射镜层位于非出光侧，其特征在于：所述第一反射镜层包括位于非出光侧的金属反射镜层和介于金属反射镜层与有源区之间的第一布拉格反射镜层；以及所述第二反射镜层包括第二布拉格反射镜层。本公开的垂直面腔表面发射激光器可以提高垂直面腔表面发射激光器的性能。
反射镜层表面发射激光器垂直面布拉格反射镜层金属反射镜层层叠设置源层源区

[发明专利]一种LED外延生长方法-CN201510454406.1有效
发明人： 周少将;徐迪;卢国军;刘为刚 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了LED芯片外延生长方法，LED芯片包括自下而上顺序设置的衬底、低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层、浅量子阱层、有源层MQW、AlGaN/GaN超晶格、低温P型GaN层、P型AlGaN/InGaN超晶格结构、高温P型GaN层及P型接触层。方法包括在衬底上从下而上顺序生长低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层及浅量子阱层；在浅量子阱层上生长出有源层MQW，有源层MQW为低温多量子阱结构；在有源层MQW上生长非刻意掺杂的AlGaN/GaN超晶格结构；在AlGaN/GaN超晶格结构上生长低温P型GaN层；在低温P型GaN层上生长P型AlGaN/InGaN超晶格结构；在P型AlGaN/InGaN超晶格结构上生长高温P型GaN层；在高温P型GaN层上生长P型接触层；以及降温得到LED芯片外延结构。
一种 led 外延生长方法

[发明专利]Mg掺杂电子阻挡层的外延片，生长方法及LED结构-CN201410407703.6有效
发明人： 周少将;徐迪;卢国军;刘为刚 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种Mg掺杂电子阻挡层的外延片，生长方法及LED结构，所述的外延片从下至上依次为衬底，低温GaN缓冲层，高温GaN缓冲层，n型GaN层，n型AlGaN层，n型接触层，多量子阱层，GaN垒层，在所述的GaN垒层上为AlGaN/GaN电子阻挡层，所述的AlGaN/GaN电子阻挡层上为低温P型GaN层，所述的低温P型GaN层上为掺杂Mg的高浓度的AlGaN/InGaN电子阻挡层，所述的AlGaN/InGaN电子阻挡层上为高温P型GaN层，所述的高温P型GaN层上为P型接触层。本发明的优点是提高P层向多量子阱中注入的空穴浓度；同时，增强电子阻挡作用，以提高出光效率，可显著提升亮度。
mg 掺杂电子阻挡外延生长方法 led 结构