专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010760778.8在审
  • 王楠 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-07-31 - 2022-02-18 - H01L21/768
  • 一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,包括共享接触区,基底上有栅极结构,栅极结构顶部有栅极盖帽,栅极结构两侧有源漏掺杂区,源漏掺杂区顶部有堆叠的源漏互连和源漏盖帽;刻蚀共享接触区的源漏盖帽或栅极盖帽,形成贯穿源漏盖帽或栅极盖帽的第一沟槽;在第一沟槽中形成牺牲,牺牲的耐刻蚀度小于源漏盖帽的耐刻蚀度;形成覆盖牺牲、栅极盖帽和源漏盖帽的顶部介质;在共享接触区中,刻蚀栅极结构顶部的顶部介质、栅极盖帽和牺牲,或者,顶部介质、牺牲和源漏盖帽,形成与第一沟槽相连通的第二沟槽;在第一沟槽和第二沟槽中形成共享接触插塞。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010923861.2在审
  • 呼翔 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-09-04 - 2022-03-04 - H01L21/768
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底、栅极结构、位于栅极结构的顶部上的栅极盖帽、位于栅极结构两侧的基底中的源漏掺杂区、以及位于栅极结构侧部基底上的底部介质;形成贯穿源漏掺杂区顶部的底部介质的源漏互连,源漏互连的顶面与相邻栅极盖帽围成凹槽,用于形成源漏盖帽;通过凹槽对栅极盖帽的侧壁进行离子掺杂,适于提高源漏盖帽和栅极盖帽之间的刻蚀选择比;进行离子掺杂后,在凹槽中形成源漏盖帽;形成覆盖栅极盖帽和源漏盖帽的顶部介质;形成贯穿顶部介质和源漏盖帽的源漏接触孔;在源漏接触孔中形成源漏插塞。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备-CN201910760041.3有效
  • 黄河;向阳辉 - 中芯集成电路(宁波)有限公司
  • 2019-08-16 - 2022-05-17 - H03H3/02
  • 一种谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备,制造方法包括:提供晶圆级衬底,包括压电振荡有效区,压电振荡有效区的衬底上形成有声学换能器;在压电振荡有效区的衬底上形成覆盖声学换能器的牺牲;形成覆盖牺牲的第一盖帽;在第一盖帽中形成至少一个释放孔;通过释放孔去除牺牲,形成空腔;去除牺牲后,形成覆盖第一盖帽的第二盖帽,第二盖帽密封释放孔。所述空腔采用半导体工艺所形成,形成牺牲和去除牺牲的工艺简单,这降低了制造谐振器的工艺复杂度,而且,所述第一盖帽与衬底的结合强度高、第二盖帽和第一盖帽的结合强度高,且第一盖帽和第二盖帽对所述空腔的密封性较好
  • 谐振器及其制造方法滤波器电子设备
  • [发明专利]互连结构的形成方法-CN201510817979.6有效
  • 周鸣;李小雨 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2015-11-23 - 2019-11-01 - H01L21/768
  • 一种互连结构的形成方法,所述互连结构的形成方法包括:提供衬底;在所述衬底表面形成介质;在所述介质表面形成盖帽;在所述盖帽表面形成掩膜,所述掩膜暴露出部分盖帽表面;以掩膜为掩膜,刻蚀盖帽至介质表面,在盖帽内形成开口;刻蚀所述掩膜的侧壁,暴露出部分盖帽的表面;沿所述盖帽内的开口刻蚀部分厚度的介质,形成第一通孔;对开口侧壁未被掩膜覆盖的部分盖帽进行氧化处理,形成氧化;沿第一通孔刻蚀所述介质至衬底表面形成第二通孔,使所述第二通孔的顶部宽度大于底部宽度;形成填充满第二通孔的金属
  • 互连结构形成方法
  • [发明专利]显示面板以及显示装置-CN201811655144.5有效
  • 高威;张磊;朱晴;牛晶华;安平;卢艳;朱红岩 - 武汉天马微电子有限公司
  • 2018-12-29 - 2021-04-30 - H01L51/52
  • 本申请公开一种显示面板以及显示装置,其中包括发光元件,发光元件包括发射第一颜色光线的第一发光元件、发射第二颜色光线的第二发光元件和发射第三颜色光线的第三发光元件;盖帽盖帽覆盖于发光元件的出光侧,且包括叠设置的第一盖帽和位于第一盖帽朝向出光侧的一侧的第二盖帽,第二盖帽包括第一子盖帽、第二子盖帽和第三子盖帽,分别对应设置于第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件的出光侧,第一子盖帽、第二子盖帽和第三子盖帽中的至少一者对与其对应的发光元件所发出光线的折射率大于对其他发光元件所发出光线的折射率
  • 显示面板以及显示装置
  • [实用新型]一种显示面板和显示装置-CN201921726793.X有效
  • 曹方义 - 昆山国显光电有限公司
  • 2019-10-15 - 2020-06-23 - H01L27/32
  • 显示面板,包括:基板;多个发光单元,设置于所述基板上,包括红色子像素单元、绿色子像素单元和蓝色子像素单元;盖帽,设置于所述发光单元远离所述基板的一侧,且覆盖所述发光单元,包括同的第一盖帽和第二盖帽,所述第一盖帽对应设置于所述红色子像素单元的出光侧,所述第二盖帽对应设置于所述蓝色子像素单元的出光侧;其中,所述第一盖帽的折射率和所述第二盖帽的折射率不同,且所述第一盖帽的材料包括第一无机材料,所述第二盖帽的材料包括第二无机材料。
  • 一种显示面板显示装置
  • [发明专利]一种锂电池盖帽镀镍硬度的检测方法-CN202111157902.2在审
  • 邵伟;刘锡军;林有余 - 苏州橙柳电子精密有限公司
  • 2021-09-30 - 2022-01-14 - G01N3/02
  • 本发明涉及一种锂电池盖帽镀镍硬度的检测方法,属于金属材料表面镀层测量技术领域。所述方法包括:将锂电池盖帽放置于光谱仪中,测试并记录锂电池盖帽镀镍厚度;将锂电池盖帽放置于维氏硬度计中,根据测试的镀镍厚度,选择相应的测试压力档位对锂电池盖帽进行硬度检测,并记录测试数据;将锂电池盖帽放置于轮廓仪中,测试并记录锂电池盖帽硬度压痕深度;将锂电池盖帽镀镍厚度与锂电池盖帽硬度压痕深度进行比较,确定锂电池盖帽镀镍硬度。本发明排除了铁基体硬度的干扰,可实现纯镀镍的硬度检测,且测试成本低、硬度检测结果方便精准。
  • 一种锂电池盖帽镀镍层硬度检测方法
  • [发明专利]一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件-CN202110493226.X有效
  • 杨伟锋;帅浩;张明昆 - 厦门大学
  • 2021-05-07 - 2022-09-13 - H01L29/778
  • 本发明公开了一种常关型氧化镓基MIS‑HFET器件,属于半导体器件技术领域,其包括依序层叠设置的衬底、缓冲和沟道,还包括:设置在沟道上端面两侧的第一盖帽和第二盖帽;第一盖帽和第二盖帽之间的沟道上设置有势垒;第一盖帽和第二盖帽上分别设置有源电极和漏电极;势垒、源电极和漏电极上跨设有介质,介质边缘向下延伸,将势垒、源电极、漏电极、第一盖帽、第二盖帽和沟道包覆其中,源电极和漏电极的上端穿出介质;介质还连接有栅电极;本方案采用刻蚀势垒方式形成器件结构,其简单高效地实现器件的常关操作且工艺可控,本方案还通过引入介质,降低了器件的栅极泄漏电流,提高了栅极击穿电压和器件的可靠性。
  • 一种常关型氧化mishfet器件
  • [发明专利]铜互连结构及其形成方法-CN201210142981.4有效
  • 邓浩 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-05-09 - 2013-11-13 - H01L23/528
  • 本发明提供了一种铜互连结构及其形成方法,其中,所述铜互连结构包括:衬底;形成于所述衬底上的低K介质,所述低K介质具有沟槽;形成于所述沟槽内的铜互连线;覆盖所述铜互连线的金属盖帽;及覆盖所述金属盖帽及低K介质的介质盖帽。由于所述铜互连线和介质盖帽之间形成有金属盖帽,而所述金属盖帽与所述铜互连线由于性质接近,从而具有很好的粘附性,由此避免了介质盖帽与金属铜直接连接,其两者间的粘附性较差,铜电迁移特性(Electromigration
  • 互连结构及其形成方法

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