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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202310390280.0在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：单元电容器，所述单元电容器设置在衬底上并且包括第一电极、电介质层结构和第二电极。所述电介质层结构包括：第一电介质层，所述第一电介质层设置在所述第一电极上并且包括铁电材料；第二电介质层，所述第二电介质层设置在所述第一电介质层上并且包括反铁电材料；以及电介质颗粒，所述电介质颗粒分散在所述第一电介质层或所述第二电介质层中的至少一者中并且包括顺电材料。
半导体器件

[发明专利]集成电路器件-CN202310261597.4在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：公开了集成电路器件。所述集成电路(IC)器件包括：下电极，在基底上，下电极包括包含第一金属的含金属膜；介电膜，覆盖下电极；以及上电极，面向下电极，介电膜在上电极与下电极之间。下电极包括：主下电极层，不包括与第一金属不同种类的金属掺杂剂，主下电极层与介电膜间隔开；以及界面下电极层，与介电膜接触，并且包括第一金属掺杂剂和第二金属掺杂剂。第一金属掺杂剂处于第一价态并且包括不同于第一金属的第二金属。第二金属掺杂剂处于小于第一价态的第二价态，并且包括不同于第一金属和第二金属的第三金属。
集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN201811100712.5有效
发明人：宋在烈;裵洙瀯;李东洙;丁炯硕;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括：衬底；在衬底上的第一有源区和第二有源区；与第一有源区交叉的第一凹陷；与第二有源区交叉的第二凹陷；沿着第一凹陷和第二凹陷的侧壁延伸的栅极间隔物；第一下高k电介质膜，其在第一凹陷中并包括第一浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第二下高k电介质膜，其在第二凹陷中并包括大于第一浓度的第二浓度的第一高k电介质材料、以及第二高k电介质材料；第一含金属膜，其在第一下高k电介质膜上并包括第三浓度的硅；以及第二含金属膜，其在第二下高k电介质膜上并包括小于第三浓度的第四浓度的硅。
半导体器件

[发明专利]半导体器件和制造该半导体器件的方法-CN201910342749.7有效
发明人：姜埈求;姜相列;金润洙;李珍秀;丁炯硕;曹圭镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成初级下电极层，该初级下电极层包括铌氧化物；通过在初级下电极层上执行氮化工艺，将初级下电极层的至少一部分转换成包括铌氮化物的第一下电极层；在第一下电极层上形成电介质层；以及在电介质层上形成上电极。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202310246383.X在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括电容器结构。该电容器结构包括在第一方向上顺序堆叠的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括插设在底电极和顶电极之间并在第一方向上交替堆叠的第一电介质层和第二电介质层。第一电介质层包括铁电材料，第二电介质层包括反铁电材料。最下面的第二电介质层插设在最下面的第一电介质层和底电极之间，最上面的第二电介质层插设在最上面的第一电介质层和顶电极之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202310146737.3在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括电容器结构。电容器结构包括在第一方向上堆叠的底部电极、电介质层和顶部电极。电介质层包括第一电介质层、在第一方向上堆叠在第一电介质层上的第二电介质层、以及提供在第一电介质层中的第一杂质。第一电介质层包括铁电材料，第二电介质层包括反铁电材料。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202310045236.6在审
发明人：蔡弘植;金泰均;李珍秀;林义郞;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：衬底；接触插塞，其位于衬底上；下电极，其电连接到接触插塞，并且包括顺序地堆叠的第一电极层、第一缓冲层和第二电极层；第一支撑层，其与下电极的上表面接触并且被设置为与下电极的至少一部分重叠，第一支撑层在平行于衬底的上表面的方向上延伸；电介质层，其设置在下电极和第一支撑层上；以及上电极，其设置在电介质层上。下电极包括：第一区域，其与第一支撑层重叠并且具有第一高度；以及第二区域，其不与第一支撑层重叠，并且具有低于第一高度的第二高度。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN202211309072.5在审
发明人：蔡弘植;金泰均;李珍秀;闵孝善;丁炯硕;崔在亨;韩东旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：提供一种半导体器件。所述半导体器件包括基底上的底部电极。在平面图中，支撑图案设置在底部电极之间。顶部电极覆盖底部电极和支撑图案。介电层设置在底部电极与顶部电极之间以及支撑图案与顶部电极之间。盖图案插置在底部电极与介电层之间以及支撑图案与介电层之间。盖图案覆盖支撑图案的侧表面的至少一部分，并且延伸以覆盖支撑图案的顶表面和底部电极的顶表面。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202211113488.X在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括电容器。电容器包括在第一方向上顺序堆叠的底部电极、介电层和顶部电极。介电层包括介于底部电极与顶部电极之间并在第一方向上堆叠的第一介电层和第二介电层。第一介电层是反铁电的，并且第二介电层是铁电的。第一介电层的热膨胀系数大于第二介电层的热膨胀系数。
半导体器件

[发明专利]集成电路装置-CN202211209632.X在审
发明人：全寅铎;林汉镇;丁炯硕;崔在亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：下电极，设置在基底上；绝缘支撑图案，支撑下电极；介电膜，围绕下电极和绝缘支撑图案；高k界面层，布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间，其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与下电极相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。
集成电路装置

[发明专利]半导体装置-CN202211048423.1在审
发明人：全寅铎;林汉镇;丁炯硕;崔在亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。半导体装置包括下电极、下电极上的下电介质层、下电介质层上的上电极、形成在下电介质层与上电极之间的上电介质层、以及形成在下电介质层与上电介质层之间的插入电极膜，其中，上电介质层包括氧化钛。
半导体装置

[发明专利]沉积系统和处理系统-CN202180006854.9在审
发明人：金洙焕;金铉埈;朴瑛琳;白东官;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的沉积系统包括：反应室；气体供应单元，其用于将气态前体供应到反应室；反应物供应单元，其用于将与前体反应的反应物供应到反应室；以及排放单元，其用于从反应室排出排放物，其中：气体供应单元包括顺序地连接的副箱、液体流量控制器和蒸发器；前体借助于自动填充系统以液态填充到气体供应单元的副箱中，并且经由副箱、液体流量控制器和蒸发器被供应到反应室；并且排放单元包括应用等离子体预处理系统的处理工艺室、泵和洗涤器，从而稳定地供应前体而不更换罐，提高泵的寿命，并且提高洗涤器的效率。因此，通过使用根据本发明的实施例的沉积系统，从大规模生产的视角来看，可以提高设备的维护和管理的容易性。
沉积系统处理

[发明专利]具有拥有不同功函数层的晶体管的半导体器件-CN201811405041.3有效
发明人：任廷爀;金完敦;李钟汉;丁炯硕;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括具有第一区域和第二区域的衬底。第一晶体管可以在第一区域中并包括第一栅极线，第一栅极线包括第一下部含金属层和在第一下部含金属层上的第一上部含金属层。第二晶体管可以在第二区域中并包括第二栅极线，第二栅极线具有与第一栅极线的宽度相等的宽度，并且包括第二下部含金属层和在第二下部含金属层上的第二上部含金属层。第一上部含金属层的最上端和第二下部含金属层的最上端的每个可以在比第一下部含金属层的最上端高的水平处。
具有拥有不同函数晶体管半导体器件

[发明专利]选择性使用内部和外部存储器处理HARQ数据的装置和方法-CN201910031152.0有效
发明人：李海澈;李在鹤;丁炯硕;许峻豪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H04L1/18 文献下载
摘要：公开了一种选择性使用内部和外部存储器处理HARQ数据的装置和方法。提供了一种当处理混合自动重传请求(HARQ)数据时选择性地使用内部存储器和外部存储器的装置和方法。所述装置包括：组合器，被配置为接收第一HARQ突发；内部存储器，位于所述装置内；存储器选择器，被配置为将第一HARQ突发的大小与预定阈值进行比较，根据比较结果选择所述内部存储器和位于所述装置外部的外部存储器中的一个，并将第一HARQ突发存储在选择的存储器中。所述内部存储器的大小和所述预定阈值中的至少一个基于已被预定的第一服务类型的特点来确定。
选择性使用内部外部存储器处理 harq 数据装置方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110577222.X在审
发明人：朴志云;李珍秀;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在基板上形成三维(3D)结构；形成吸附控制层以覆盖3D结构的上部分；以及在吸附控制层上和在3D结构的没有被吸附控制层覆盖的下部分上形成材料层，其中在吸附控制层上的材料层的最小厚度小于在3D结构的下部分上的材料层的最大厚度。
制造半导体器件方法

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