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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于形成封装件的方法以及封装件结构-CN202310528841.9在审
发明人：吴志伟;施应庆;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了一种用于形成封装件的方法包括形成第一封装组件，形成第一封装组件包括形成具有第一顶表面的第一介电层，以及形成第一导电部件。第一导电部件包括嵌入在第一介电层中的通孔，以及具有高于第一介电层的第一顶表面的第二顶表面的金属凸块。该方法还包括分配光敏层，其中光敏层覆盖金属凸块，并且执行光刻工艺以在光敏层中形成凹槽。金属凸块暴露于凹槽，并且光敏层具有高于金属凸块的第三顶表面。第二封装组件接合到第一封装组件，并且焊料区域延伸到凹槽中以将金属凸块接合到第二封装组件中的第二导电部件。根据本申请的其他实施例，还提供了封装件结构。
用于形成封装方法以及结构

[发明专利]一种储能电池生产检测装置及其方法-CN202310719172.3有效
发明人：庄紫玮;李向明;吴楚东;胡天成;邱文智;杨昕 -专利权人：泉州经贸职业技术学院
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R31/385 文献下载
摘要：本发明公开了一种储能电池生产检测装置及其方法，包括放热管、检测箱和安装面板，所述放热管内部设置有储热块，所述放热管两端分别安装有导管，所述检测箱设置于所述放热管一侧，所述安装面板铰接安装于所述检测箱一侧，所述储热块底部设置有支架，本发明在使用的过程中，放电单元为储能电池模拟高温放电环境，便于提高储能电池检测效果，若储能电池高温下出现鼓包起火问题，通过设置灭火单元，对储能电池区域进行气粉喷射灭火处理，灭火过程中可通过气体增压单元对干粉喷射风力进行增压供能，提高单位时间能粉尘的喷射速度，使得粉尘可以快速的喷射到起火电池区域，提高气粉喷射灭火效果。
一种电池生产检测装置及其方法

[实用新型]一种电动车电池散热装置-CN202321532143.8有效
发明人：庄紫玮;李向明;胡天成;邱文智;杨昕 -专利权人：泉州经贸职业技术学院
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电动车电池散热装置，包括箱体、形成于所述箱体上的容纳腔、设置于所述箱体上且位于所述容纳腔内的用于支撑外部电动汽车电池下端面的支撑板、可拆卸设置于所述箱体上的用于在支撑板支撑电动汽车电池下端面后抵顶电动汽车电池上端面以将电动汽车电池固定于支撑板上的压板、设置于所述支撑板与所述箱体之间的用于在压板将电动汽车电池固定于支撑板上且在电动汽车电池发热至预定温度时对电动汽车电池进行散热的散热装置，电动汽车电池不易出现发热现象，对电动汽车电池的散热效果较为优良，且也不会在低温时影响电动汽车电池的使用，有利于电动汽车电池的保护，安全性得到提高。
一种电动车电池散热装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210903442.1在审
发明人：蔡承祐;杨固峰;吴仓聚;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：介绍了半导体器件及其制造方法，该方法在半导体衬底上方形成金属化层；在金属化层上方形成第一焊盘；在第一焊盘上方沉积一个或多个钝化层；以及穿过一个或多个钝化层并且至少部分穿过第一焊盘形成第一接合焊盘通孔。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]半导体装置-CN202221848886.1有效
发明人： 邱文智;谢秉颖;施应庆;王卜;郑礼辉;廖一寰;陈志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种半导体装置包括衬底、封装结构、热界面材料(TIM)结构及盖结构。封装结构设置于衬底上。TIM结构设置于封装结构上。TIM结构包括金属TIM层及与金属TIM层接触的非金属TIM层，且非金属TIM层环绕金属TIM层。盖结构设置于衬底及TIM结构上。
半导体装置

[发明专利]用于接合半导体装置的方法-CN201810495733.5有效
发明人：蔡延佐;廖鄂斌;田馥纲;陈佳吟;邱文智;薛仰志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种用于接合半导体装置的方法和设备。在实施例中，所述方法可包含：将第一管芯附接到倒装模块的倒装头，使用倒装模块倒装第一管芯，在倒装第一管芯之后从倒装模块去除第一管芯，在去除第一管芯之后检查倒装模块的倒装头是否污染，在检查倒装头之后使用就地清洁模块来清洁倒装头，以及在清洁倒装头之后将第二管芯附接到倒装头。
用于接合半导体装置方法

[发明专利]异质电介质键合方案-CN202210116113.2在审
发明人：余振华;邱文智;杨固峰;钟明慈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开涉及异质电介质键合方案。一种方法包括：将第一封装组件置为与第二封装组件接触。第一封装组件包括第一电介质层，该第一电介质层包括第一电介质材料，并且第一电介质材料是基于氧化硅的电介质材料。第二封装组件包括第二电介质层，该第二电介质层包括第二电介质材料，该第二电介质材料不同于第一电介质材料。第二电介质材料包括硅和另外的元素，该元素选自由以下项组成的组：碳、氮、及其组合。执行退火工艺以将第一电介质层与第二电介质层进行键合。
电介质方案

[发明专利]封装器件、封装件和用于形成封装件的方法-CN202210111801.X在审
发明人：侯上勇;陈伟铭;丁国强;胡宪斌;邱文智;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：实施例包括封装件和用于形成封装件的方法，该封装件包括具有由介电材料制成的衬底的中介层。中介层也可以包括位于衬底上方的再分布结构，该再分布结构包括在包括多个横向重叠图案化曝光的图案化工艺中缝合在一起的金属化图案。本申请的实施例还涉及封装器件。
封装器件用于形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210133314.3在审
发明人：陈怡秀;邱文智;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：方法包括：形成第一钝化层；在第一钝化层上方形成金属焊盘；在金属焊盘上方形成具有平坦顶面的平坦化层；以及对平坦化层进行图案化以形成第一开口。金属焊盘的顶面通过第一开口露出。该方法还包括形成延伸至第一开口中的聚合物层，以及对聚合物层进行图案化以形成第二开口。金属焊盘的顶面通过第二开口露出。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]集成电路器件的接合结构及其形成方法-CN202110735826.2在审
发明人：蔡承祐;杨固峰;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种方法，包括：形成位于晶圆的互连结构上方的导电焊盘，形成位于导电焊盘上方的覆盖层，形成覆盖覆盖层的介电层，以及蚀刻介电层，以形成位于介电层中的开口。覆盖层暴露至开口。然后实施湿式清洁工艺至晶圆上。在湿式清洁工艺期间，覆盖层的顶面暴露至用于实施湿式清洁工艺的化学溶液。该方法还包括沉积延伸进入开口的导电的扩散势垒，以及沉积位于导电的扩散势垒上方的导电材料。本申请的实施例提供了集成电路器件的接合结构及其形成方法。
集成电路器件接合结构及其形成方法

[外观设计]汽车充电枪-CN202230032691.9有效
发明人：曹雪林;邱文智;么欣雅 -专利权人：曹雪林
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车充电枪。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于向新能源电动汽车充电。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
汽车充电

[发明专利]对半导体工件进行处理的半导体设备及方法-CN202110269864.3在审
发明人：蔡承祐;杨固峰;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：提供一种对半导体工件进行处理的半导体设备及方法。用于对半导体工件进行预润的半导体设备包括：工艺腔室、设置在工艺腔室内以固持半导体工件的工件固持器、设置在工艺腔室外且容纳预润流体的预润流体槽、以及耦接到预润流体槽且延伸到工艺腔室中的导管。导管将预润流体经由导管的出口从预润流体槽递送出以润湿半导体工件的主表面，主表面包括多个凹陷部分。
对半导体工件进行处理半导体设备方法

[发明专利]用于芯片封装件的结构和形成方法-CN202111543112.8在审
发明人：余振华;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了芯片封装件的结构和形成方法。该芯片封装件包括半导体管芯和部分地或全部地包封半导体管芯的封装层。该芯片封装件还包括位于半导体管芯和封装层上方的聚合物层。该芯片封装件还包括聚合物层上方的介电层。介电层基本由半导体氧化物材料制成。此外，该芯片封装件包括位于介电层中的电连接至半导体管芯的导电焊盘的导电部件。
用于芯片封装结构形成方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构形成方法-CN201910131889.X有效
发明人：余振华;苏安治;吴集锡;叶德强;吴仓聚;邱文智;叶名世 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种用于将垂直取向的组件的顶部电极耦合到衬底的高高宽比通孔，其中组件的顶部电极通过导电桥接件耦合到通孔，且其中组件的底部电极耦合到衬底。一些实施例通过组件晶片来安装组件且在将组件安装到衬底的同时将组件分离。一些实施例将各别的组件安装到衬底。
半导体结构形成方法

[发明专利]用于镀覆半导体晶片的镀覆装置及镀覆方法-CN202110214788.6在审
发明人：蔡承佑;杨固峰;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：一种镀覆装置包括工件固持器、镀覆槽及夹持环。镀覆槽位于工件固持器下。夹持环与工件固持器连接。夹持环包括将夹持环的内表面与夹持环的外表面连通的沟道。
用于镀覆半导体晶片装置方法

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