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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201610214517.X有效
发明人： 权大振;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：所提供的是一种半导体器件。该半导体器件包括：SRAM单元，包括形成在衬底上的第一上拉晶体管、第一下拉晶体管和第一传输晶体管；第一读缓冲晶体管，连接到第一上拉晶体管的栅极端子和第一下拉晶体管的栅极端子；以及第二读缓冲晶体管，与第一读缓冲晶体管共用漏极端子，其中第一读缓冲晶体管包括：第一沟道图案，在垂直于衬底的上表面的第一方向上延伸；第一栅电极，覆盖第一沟道图案的一部分；以及第一漏极图案，不接触第一栅电极，在第一方向上延伸，并电连接到第一沟道图案。
半导体器件

[发明专利]包括金属绝缘体金属电容器的集成电路及其制造方法-CN200610143564.6有效
发明人： 权大振;朴廷珉;元皙俊;宋珉宇;金元洪;金柱然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明提供了包括金属绝缘体金属(MIM)电容器的集成电路器件及其制造方法。MIM电容器可以包括具有第一和第二层的上电极。上电极的第一层包括物理气相沉积(PVD)上电极且上电极的第二层包括在PVD上电极上的离子化的PVD(IPVD)上电极。
包括金属绝缘体电容器集成电路及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的装置、控制方法及制造方法-CN200610005876.0有效
发明人：元皙俊;刘龙珉;金大渊;金永勋;权大振;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社;ASM吉尼泰克韩国株式会社
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供了一种装置和一种制造半导体器件的方法，其采用4通阀，通过防止死容积的产生，改善了气体阀系统，从而提高了吹扫效率。所述装置包：反应室，在其中对衬底进行处理以制造半导体器件；第一处理气体供应管，其将第一处理气体提供至反应室；具有第一入口、第二入口、第一出口和第二出口的4通阀，其安装在所述第一处理气体供应管处，使所述第一入口和第一出口连接至所述第一处理气体供应管；第二处理气体供应管，其连接至4通阀的第二入口，以提供第二处理气体；连接至所述4通阀的第二出口的支管；以及安装在所述支管处的闸阀。
制造半导体器件装置控制方法

[发明专利]微电子器件的电介质多层及其制造方法-CN200510113817.0无效
发明人：元皙俊;权大振;李钟镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-17 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种适合于改善微电子器件性能的电介质多层和制造电介质多层的方法。微电子器件的电介质多层包括：由两种或更多不同元素的氧化物形成并且其中不形成层状结构的复合层，以及形成在复合层的至少一个表面上并由单一元素的氧化物形成的单层。
微电子器件电介质多层及其制造方法

[发明专利]具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法-CN200510092232.5无效
发明人：郑镛国;元皙俊;权大振;宋珉宇;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。
具有混合电介质半导体集成电路器件及其制造方法

[发明专利]具有至少3层高－K介电层的模拟电容器和制造它的方法-CN200410082530.1有效
发明人：郑镛国;元皙俊;权大振;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：提供一种具有至少3层高－k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高－k介电层。该至少3层高－k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高－k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高－k介电层。因此，由于使用至少3层高－k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。
具有至少层高介电层模拟电容器制造方法

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