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[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201911108233.2在审
发明人：金保延;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：在根据一个实施例的非易失性存储器件的制造方法中，在衬底上形成第一隧道氧化物层、氮供应层和密度低于第一隧道氧化物层的密度的第二隧道氧化物层。使在氮供应层中的氮扩散到第二隧道氧化物层中，以将第二隧道氧化物层的至少一部分转化为氮氧化物层。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法-CN202210339962.4有效
发明人：李鹏;田兵;李立浧;刘仲;吕前程;骆柏锋;尹旭;张佳明;王志明;陈仁泽;徐振恒;韦杰;谭则杰;林秉章;樊小鹏;孙宏棣;林力 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于全氧化物单晶薄膜材料的磁隧道结及其制备方法，包括：半金属氧化物自由层；绝缘氧化物隧穿层，位于所述半金属氧化物参考层之上；半金属氧化物参考层，位于所述绝缘氧化物隧穿层之上；其中，所述半金属氧化物参考层和所述半金属氧化物自由层的半金属氧化物材料均为钴酸镍材料，且所述半金属氧化物参考层的厚度大于所述半金属氧化物自由层的厚度，以使所述磁隧道结的阻值在外部磁场的作用下发生改变。采用本发明的制备方法制备得到的磁隧道结材料具有更高的磁阻率和更快的响应速度，功耗更低，而且制备工艺简单，符合当今磁隧道结存储与传感器件小型化、高性能、高响应速率、低功耗的发展需求。
基于氧化物薄膜材料隧道及其制备方法

[发明专利]将非易失性存储器和逻辑件引入单亚0.3微米制造的方法-CN98105970.8无效
发明人：张尚德;李翠萍 -专利权人：可编程微电子设备公司
申请日： 1998-02-20 - 公布日： 1999-08-25 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种半导体制造工艺,能制造高压晶体管、逻辑晶体管以及存储单元,其中根据亚0.3微米器件几何图形的要求,逻辑晶体管的栅氧化物薄于非易失性存储单元的隧道氧化物的厚度,而不会不合乎要求地污染逻辑晶体管的栅氧化物或污染存储单元的隧道氧化物当存储单元的隧道氧化物生长到需要的厚度后,立即在其上淀积一层作为存储单元的浮栅的多晶硅,以保护隧道氧化物不受污染,再将逻辑晶体管和高压晶体管的栅氧化物生长到需要的厚度。
非易失性存储器逻辑引入 0.3 微米制造方法

[发明专利]一种闪存隧道氧化层的制备方法-CN201210279231.1有效
发明人：何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-07 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种闪存隧道氧化层的制备方法，包括提供半导体衬底；氮注入或者氮等离子掺杂所述半导体衬底，形成氮掺杂区；高温氧化所述氮掺杂区，形成氮氧化物层；等离子氮化所述氮氧化物层，以形成顶部和底部富含氮的隧道氧化层本发明所提供的制备隧道氧化物SiON的顶部和底部富含氮的结构，所述隧道氧化物的制备首先在衬底上进行氮离子注入或者掺杂，形成氮化物层，然后对所述氮化物层进行高温氧化，得到氧化物层，最近进行氮化处理，使所述氧化物最上层氮化
一种闪存隧道氧化制备方法

[发明专利]制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法-CN201880061962.4有效
发明人： J-W·杨;C-M·陈;M-T·吴;C-C·范;N·多 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：字线栅极下方的氧化物与浮栅和擦除栅极之间的隧道氧化物分开形成，并且也是第一外围区域中的栅极氧化物。两个外围区域中的字线栅极、擦除栅极和栅极由同一多晶硅层形成。擦除栅极和源极区之间的氧化物比隧道氧化物更厚，隧道氧化物比字线栅极下方的氧化物更厚。
制造具有擦除栅极分裂闪存存储器单元方法

[发明专利]具有多重氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆叠-CN201280000107.5在审
发明人：赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;斐德列克·杰能;萨姆·吉哈 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种包括硅-氧化物-氮氧化物-氧化物-硅结构的半导体装置及其形成方法。一般而言，该结构包含：在包括硅的基板的表面上的隧道氧化物层；多层电荷储存层，其包括该隧道氧化物层上的富氧第一氮氧化物层，其中该第一氮氧化物层的化学计算量组成导致其实质上无陷阱，及该第一氮氧化物层上的贫氧第二氮氧化物层，其中该第二氮氧化物层的化学计算量组成导致其陷阱致密；该第二氮氧化物层上的阻挡氧化物层；及该阻挡氧化物层上的含硅闸极层。
具有多重氧化物氮化物堆叠

[发明专利]磁性隧道结堆叠及其制造方法-CN201911112142.6在审
发明人：富努·义克提阿;穆罕默德·昆恩比;唐学体 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性隧道结堆叠及其制造方法。磁性隧道结堆叠包括：被钉扎层；主氧化物势垒层，位于所述被钉扎层上；自由层，位于所述主氧化物势垒层上；以及混合氧化物/金属盖层，位于所述自由层上。所述混合氧化物/金属盖层包括：第一氧化物层，位于所述自由层上；第二氧化物层，位于所述第一氧化物层上；以及金属盖层，位于所述第二氧化物层上，其中所述自由层不含硼(B)。
磁性隧道堆叠及其制造方法

[发明专利]用于Si和金属纳米晶体成核的等离子体表面处理-CN200810168235.6无效
发明人：菲利普·艾伦·克劳斯;克里斯托弗·肖恩·奥尔森;肖恩·迈克尔·索特;李明 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-06 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该方法包括在衬底上沉积隧道氧化物层，将该隧道氧化物层暴露于等离子体，以便该等离子体改变该隧道氧化物的表面和近表面的形态以形成改性近表面。随后在该隧道氧化物的该改性表面上沉积纳米晶体。
用于 si 金属纳米晶体成核等离子体表面处理

[发明专利]具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈-CN202010010002.4有效
发明人：赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;斐德列克·杰能;萨姆·吉哈 -专利权人：经度快闪存储解决方案有限责任公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一般，设备包括：由覆盖在衬底上的表面的半导体材料形成的沟道，该沟道连接存储设备的源极和漏极；覆盖沟道的隧道氧化物层；以及多层电荷储存层，其包括在隧道氧化物层上的富氧、第一氮氧化物层和在第一氮氧化物层上的贫氧、第二氮氧化物层，其中第一氮氧化物层的化学计量组合物导致其实质上没有陷阱，第二氮氧化物层的化学计量组合物导致其陷阱密集。在一个实施例中，设备包括包含具有邻接沟道的多个表面的栅极的非平面晶体管，并且栅极包括隧道氧化物层和多层电荷储存层。
具有多个氮氧化物氮化物堆栈

[发明专利]具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈-CN201380016893.2在审
发明人：赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;斐德列克·杰能;萨姆·吉哈 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一般，设备包括：由覆盖在衬底上的表面的半导体材料形成的沟道，该沟道连接存储设备的源极和漏极；覆盖沟道的隧道氧化物层；以及多层电荷储存层，其包括在隧道氧化物层上的富氧、第一氮氧化物层和在第一氮氧化物层上的贫氧、第二氮氧化物层，其中第一氮氧化物层的化学计量组合物导致其实质上没有陷阱，第二氮氧化物层的化学计量组合物导致其陷阱密集。在一个实施例中，设备包括包含具有邻接沟道的多个表面的栅极的非平面晶体管，并且栅极包括隧道氧化物层和多层电荷储存层。
具有多个氮氧化物氮化物堆栈

[发明专利]制造磁阻随机存取存储器器件的方法-CN201811285410.X在审
发明人：金晥均;姜德现;金禹珍;林佑昶;郑峻昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道势垒层包括第二金属氧化物，所述第二金属氧化物通过在高于所述第一温度的第二温度下氧化第二金属层而形成；以及在所述第二隧道势垒层上形成第二磁性层。
隧道势垒层金属氧化物磁性层磁阻随机存取存储器第二金属层第一金属层衬底制造

[发明专利]一种快闪存储器隧道绝缘层的制作方法-CN201310723662.7在审
发明人：于法波 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种快闪存储器隧道绝缘层的制作方法，所述方法包括：提供衬底；在700至800摄氏度下在所述衬底上形成隧道氧化物层；在400至550摄氏度下对所述隧道氧化物层的表面进行等离子体氮化处理，以形成氮化层；在700至800摄氏度下对所述隧道氧化物层进行退火处理，以在所述隧道氧化物层和衬底的界面形成氮累积层。
一种闪存隧道绝缘制作方法

[发明专利]高稳定性电子自旋存储器-CN201380074016.0有效
发明人： C·郭;K·奥乌兹;B·多伊尔;E·I·卡尔波夫;R·M·莫亚拉德;D·肯克;R·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：实施例包括磁隧道结(MTJ)，其包括自由磁层、固定磁层、以及所述自由磁层与所述固定磁层之间的隧道势垒；所述隧道势垒直接接触所述自由磁层的第一侧；以及氧化物层，其直接接触所述自由磁层的第二侧；其中，所述隧道势垒包括氧化物并且具有第一电阻‑面积(RA)乘积，并且所述氧化物层具有低于所述第一RA乘积的第二RA乘积。所述隧道势垒和所述氧化物层形成了具有高稳定性的存储器，其RA乘积大体上不高于具有仅单个氧化物层的MTJ的较不稳定的存储器。本文中描述了其它实施例。
稳定性电子自旋存储器

[发明专利]场效晶体管、半导体器件及其制造方法-CN202110654840.X在审
发明人：马礼修;贾汉中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括晶体管及铁电隧道结。铁电隧道结连接到晶体管的漏极接触件。铁电隧道结包括第一电极、第二电极、结晶氧化物层及铁电层。第二电极设置在第一电极之上。结晶氧化物层与铁电层彼此直接接触地设置在第一电极与第二电极的中间。结晶氧化物层包含结晶氧化物材料。铁电层包含铁电材料。
晶体管半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括双隧道氧化物层的闪存单元及其制造方法-CN200610171261.5无效
发明人：郭哲尚 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括双隧道氧化物层的闪存单元及其制造方法。该闪存单元包括：隧道氧化物层，其包括在半导体衬底上具有第一厚度的第一隧道和具有第二厚度的第二隧道；电荷存储层，形成在隧道氧化物层上；绝缘层，形成在电荷存储层上；以及控制栅极，形成在绝缘层上，并供以驱动电源第一隧道的第一厚度比第二隧道的第二厚度薄。
包括隧道氧化物闪存单元及其制造方法

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