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[发明专利]多层阻挡膜、包含这种膜的包装层合体、由这种包装层合体制成的包装容器以及制备这种膜的方法-CN201280030671.1在审
发明人：切萨雷·洛伦泽蒂;莉萨·雷伊 -专利权人：利乐拉瓦尔集团及财务有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本发明涉及双轴取向的多层阻挡聚合物膜，所述膜具有气体阻挡性能并且由聚合物层组成，所述聚合物层包括聚烯烃芯层和在所述芯层第一侧上的乙烯-乙烯醇共聚物（EVOH）阻挡表面层。本发明还涉及包含所述膜或气相沉积涂覆聚合物膜的包装层合体，并涉及由这种包装层合体制造的包装容器。本发明还涉及制备所述阻挡膜的方法。
多层阻挡包含这种包装合体制成容器以及制备方法

[发明专利]阻挡膜、其制造方法和包含其的物品-CN201580025305.0在审
发明人： D·R·布里德;J·W·加尼特四世;M·S·赫德;S·J·柯利克;G·邦克;M·A·克斯滕 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本文公开一种可再循环阻挡膜，其包含含高密度聚乙烯的第一层；和包含除聚乙烯以外的聚合物的阻挡层；其中相对于经由所述第一层的氧气穿透率，所述聚合物有效地减少经由所述阻挡膜的氧气穿透率；其中所述阻挡层以按所述阻挡膜的总重量计小于5重量％的量存在于所述阻挡膜中。本文还公开一种制造所公开阻挡膜的方法。
阻挡制造方法包含物品

[发明专利]用于去除阻挡层的组合物和方法-CN200410092243.9无效
发明人：卞锦儒 -专利权人： CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供了适用于抛光半导体晶片的水性组合物，该晶片在存在电介质和互连金属的情况下包含钽阻挡层材料。该组合物包含具有足以促进钽阻挡层材料去除的浓度的唑类化合物。另外，该唑类化合物不会抑制互连金属的去除。该组合物还包含研磨剂。此外，该组合物具有较大的钽阻挡层材料相对于电介质的选择性。
用于去除阻挡组合方法

[发明专利]无基板柔性显示器及其制造方法-CN201580051235.6在审
发明人：余晓军;魏鹏;袁泽;刘自鸿 -专利权人：柔宇科技有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：无基板显示装置包括阻挡堆叠件。阻挡堆叠件包括多层无机阻挡膜和多层聚合物膜。无机阻挡膜和聚合物膜交替设置。无基板显示装置还包括设置在阻挡堆叠件上的薄膜晶体管(TFT)器件层、设置在薄膜晶体管器件层上的显示介质层、以及设置在显示介质层上的封装层。
无基板柔性显示器及其制造方法

[发明专利]一种放料入盒装置及装盒设备-CN202210876970.2在审
发明人：戴跃锋;戴开波;张二初 -专利权人：水羊化妆品制造有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B65B5/04 文献下载
摘要：放料入盒装置包括支撑件、阻挡件、第一驱动组件和第二驱动组件；支撑件具有支撑部；支撑件通过第一驱动组件与阻挡件相连；支撑件和阻挡件当中的一个与第二驱动组件的输出端相连。先由第二驱动组件驱使支撑件和阻挡件同步朝向包装盒移动，承载于支撑部上的待包装物随支撑部进入包装盒，阻挡件则移动至包装盒的入口处。然后由第一驱动组件或第二驱动组件驱使支撑件朝向远离包装盒的方向移动，同时由第一驱动组件驱使阻挡件相对于支撑件移动，使阻挡件停留在包装盒的入口处，从而将待包装物推离支撑部，使待包装物落入包装盒内，完成待包装物的入盒操作没有推料造成的垫板与待包装物之间的磨损。
一种放料入盒装设备

[发明专利]货架监控系统及方法-CN201810540580.1在审
发明人：朱颖 -专利权人：顺丰科技有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H04N7/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种货架监控系统及方法，包括至少一个直线距离传感器：用于检测货架的取货口是否存在阻挡物；图像采集装置：用于采集货架前方的图像信息；控制装置：用于当直线距离传感器检测到货架的取货口存在阻挡物时，控制图像采集装置开始采集货架前方的图像信息，直至直线距离传感器检测到阻挡物脱离货架的取货口，控制图像采集装置停止采集货架前方的图像信息，当检测货架的取货口存在阻挡物时，开始采集货架前方的图像信息，直至检测到阻挡物脱离货架的取货口
货架图像信息取货口阻挡物采集直线距离传感器检测采集装置控制图像检测图像采集装置监控系统控制装置传感器脱离功耗拿取存储货物申请

[发明专利]地形动态更新方法、装置、电子设备和可读存储介质-CN202011515453.X在审
发明人：假文华 -专利权人：北京像素软件科技股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G06F16/23 文献下载
摘要：本申请提供一种地形动态更新方法、装置、电子设备和可读存储介质，通过在地形图上添加动态阻挡物时，首先确定与动态阻挡物相交的目标四叉树节点，再将目标四叉树节点划分为多个子节点，在此基础上，确定与动态阻挡物相交的目标子节点本方案中，通过检测与动态阻挡物相交的四叉树节点以及子节点的方式，进行相应四叉树节点和子节点的划分，着重对与动态阻挡物相交的区域进行局部处理以更新地形图，在保障后续寻路准确性的基础上，可降低处理量、提高处理效率
地形动态更新方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202010484598.1在审
发明人：游咏晞;吴钧儒 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件制作方法中，在形成金属接触层时，先形成第一阻挡层，然后对第一阻挡层刻蚀，去掉底部，然后再形成钛金属层和第二阻挡层，钛金属层与硅锗材料同样形成钛硅化合物、钛锗化合物和钛硅锗化合物，但是，由于第一阻挡层形成了阻挡侧壁，使得形成的化合物无法扩散至孔壁外侧，因此，阻断了钛锗化合物受到挤压，向外扩散的路径，也即，阻断了电流沿扩散路径产生漏电的路径，从而避免了晶体管的接触层制作过程中产生的漏电流问题
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]车辆座椅滑动装置-CN201610631585.6有效
发明人：佐藤贵纪;酒井章吾 -专利权人：爱信精机株式会社
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B60N2/07 文献下载
摘要：该下导轨包括基部部分(21)和壁部分(22)，该基部部分固定至车体(2)，壁部分连接至基部部分在宽度方向上的端部；上导轨(30)，该上导轨支承座椅(1)并且由下导轨支承以能够在延伸方向上滑动；以及外来物阻挡构件(50)，该外来物阻挡构件布置在下导轨的内侧并且附接至基部部分，其中，在基部部分中外来物阻挡构件所附接的位置中设置有第一通孔和第二通孔(211，212)，外来物阻挡构件包括附接部分(53)以及从外侧端部部分(58)向下突出的突出部分(60，61，62)，并且外来物阻挡构件弹性地变形，使得外侧端部部分向下移位。
车辆座椅滑动装置

[发明专利]对于高迁移率沟道器件的载流子限制-CN201480083476.4有效
发明人： G·杜威;M·V·梅茨;J·T·卡瓦列罗斯;W·拉赫马迪;T·加尼;A·S·默西;C·S·莫哈帕特拉;H·W·肯内尔;G·A·格拉斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例包括一种器件，该器件包括掺杂沟槽材料，所述掺杂沟槽材料具有：(a)(ⅰ)第一体晶格常数以及(a)(ⅱ)Ⅲ‑Ⅴ族材料和Ⅳ族材料中的至少一种；鳍状物结构，其直接位于所述沟槽之上，该鳍状物结构包括鳍状物材料，所述鳍状物材料具有：(b)(ⅱ)第二体晶格常数以及(b)(ⅱ)Ⅲ‑Ⅴ族材料和Ⅳ族材料中的至少一种；阻挡层，其位于所述沟槽内并直接接触所述鳍状物的底表面，所述阻挡层包括具有第三体晶格常数的阻挡层材料；其中，(a)所述沟槽具有至少1.5：1的高宽比(深度比宽度)，并且(b)所述阻挡层具有的高度不大于所述阻挡层材料的临界厚度。
对于迁移率沟道器件载流子限制

[发明专利]逆渗透膜的阻挡率提高剂、阻挡率提高方法及逆渗透膜-CN201380019042.3在审
发明人：川胜孝博;早川邦洋;木幡贤二 -专利权人：栗田工业株式会社
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： B01D65/06 文献下载
摘要：本发明防止含有分子量不同的2种以上的有机化合物的RO膜的阻挡率提高剂中的凝聚物的生成或对水的溶解不良、或水解等，将阻挡率提高剂有效果地使用于RO膜的阻挡率提高处理。本发明提供一种逆渗透膜阻挡率提高剂，其中，在作为分子量不同的2种以上的有机化合物至少含有分子量为60以上且不足500的具有氨基的有机化合物和含单宁酸的逆渗透膜的阻挡率提高剂中，前述具有氨基的有机化合物与前述单宁酸
渗透阻挡提高方法

[发明专利]安装有完整扩散阻挡层的半导体激光器-CN201280040057.3在审
发明人：马蒂亚斯·施里姆佩尔;阿尔弗雷德·菲提施;加比·纽鲍尔 -专利权人：光谱传感器公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：半导体激光器芯片（302）的第一接触（310）表面被形成为具有一表面粗糙度，所述表面粗糙度被选择为具有比扩散阻挡层厚度充分小的最大峰-谷高度。可以将包括非金属导电化合物且具有所述阻挡层厚度的扩散阻挡层施加到第一接触表面，并且通过将焊料组合物加热到比一阈值温度低的温度，利用焊料组合物（306）沿着第一接触表面将半导体激光器芯片焊接到承载底座（304），在所述阈值温度，发生所述阻挡层溶解到焊料组合物中。从而扩散阻挡层保持连续。该非金属导电化合物包括氮化钛、氧氮化钛、氮化钨、氧化铈和氧氮化铈钆中的至少一种。
装有完整扩散阻挡半导体激光器

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310073040.4无效
发明人：周明杰;钟铁涛;张振华;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该有机电致发光器件包括依次层叠结合的透光衬底层、阳极层、有机功能层和阴极层以及在阴极层外表面依次交替层叠设置的有机物阻挡层和无机物阻挡层。其中，无机物阻挡层材料包括互相掺杂的硅化物、氮化物和氧化物；硅化物占无机物阻挡层材料质量的质量百分数为10%～30%，氮化物占无机物阻挡层材料质量的质量百分数为10%～30%。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]氮化物半导体结构及其制造方法-CN201110461299.7无效
发明人：方彦翔;廖宸梓;胡智威;陈威佑;宣融 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种氮化物半导体结构及其制造方法，此结构包括基板、氮化物缓冲层、第一氮化物半导体层以及第一缺陷阻挡层。氮化物缓冲层位于基板上。第一氮化物半导体层位于氮化物缓冲层上。第一缺陷阻挡层位于第一氮化物半导体层与基板之间，其中第一缺陷阻挡层中具有多个纳米孔隙，纳米孔隙的分布密度为3.5×1013/cm2至8.4×1013/cm2。
氮化物半导体结构及其制造方法

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极及其制备方法-CN201810934638.0在审
发明人：彭寿;夏申江;车兆华;黄海青;王伟健;张道清;周建民;徐根保;陈颉 -专利权人：蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极，包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层；杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni；金属导电层为Cu或Cu合金；硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层，单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼，复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成；采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备；在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层，杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散；硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散，避免了硒和金属导电层之间的反应，确保金属导电层的稳定性。
金属导电层阻挡层杂质阻挡层背电极衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池复合阻挡层铜钼合金氮化钼氧化钼制备铜铟镓硒薄膜硅氮氧化物扩散磁控溅射光吸收层硅氮化物硅氧化物依次层叠结构层铜合金硒元素沉积引入