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[发明专利]阻挡膜构造-CN201680048145.6有效
发明人：雅各布·P·约翰逊;弗雷德·B·麦考密克;亚当·J·默勒;理查德·J·波科尔尼;丹尼尔·J·施密特 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括超阻挡膜和阻挡粘合剂的阻挡膜构造。粘合剂层包含阻挡粘合剂组合物，该组合物包含树脂体系和有机改性纳米粘土；其中树脂体系包含增粘剂和具有约100,000至约1,200,000g/mol的粘均分子量的第一聚异丁烯树脂。
阻挡构造

[发明专利]缓冲跳床-CN201410605159.6有效
发明人：刘金国 -专利权人：刘金国
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： A63B5/11 文献下载
摘要：弹性装置包括弹性物和弹性物阻挡物，弹性物设置在助推器连接套管的内部；弹性物阻挡物上设有凸起部位，支撑连接站管上设有与弹性物阻挡物的凸起部位匹配的孔，助推器连接套管上设有与弹性物阻挡物的凸起部位匹配的槽。助推减震装置中的弹性物作为助推、缓冲、减震物质，在人的跳跃运动过程中起到助推、缓冲、减震的作用，并增加承载力，达到了更好的跳跃效果。
缓冲

[发明专利]紧凑涂料体系和方法-CN201080045744.5无效
发明人： T·S·德塞伯;D·R·沃顿 -专利权人：巴斯夫涂料有限公司
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B05D7/00 文献下载
摘要：一种包含UV阻挡涂料组合物、底色漆组合物、清漆组合物和单涂层面漆组合物的紧凑涂料体系，其中：(a)所述UV阻挡涂料组合物、底色漆涂料组合物和单涂层涂料组合物各自包含基于总粘结剂为约0.1-约70重量％的第一粘结剂树脂和(b)所述单涂层涂料组合物和清漆涂料组合物各自包含基于总粘结剂为约0.1-约50％的第二粘结剂树脂。一种汽车车身的涂覆方法，包括：在油漆车间中，将UV阻挡涂料组合物、底色漆涂料组合物和清漆涂料组合物施加至第一车身或零件上，并在油漆车间中，将UV阻挡涂料组合物和单涂层面漆涂料组合物施加至第二车身或零件上，其中在喷漆室中施加单涂层涂料组合物，在所述喷漆室中也施加至少所述清漆涂料组合物。
紧凑涂料体系方法

[发明专利]去除阻挡层和介质层中污染物颗粒的方法-CN200910056663.4无效
发明人：潘继岗;彭澎 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除阻挡层和介质层中污染物颗粒的方法，采用明场扫描方法BFI检测出第一阻挡层、第一介质层、第二阻挡层、第二介质层或第三阻挡层中掺杂有污染物颗粒的晶圆后，该方法包括：采用化学机械研磨工艺CMP依次去除第三阻挡层、第二介质层、第二阻挡层、第一介质层和第一阻挡层。
去除阻挡介质污染物颗粒方法

[实用新型]防桌板意外翻下的翻盖课桌-CN201020578035.0无效
发明人：华孝慧 -专利权人：华孝慧
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： A47B41/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种防桌板意外翻下的翻盖课桌，包括桌面板、桌体和桌脚，其特征是，有防桌面板意外翻下装置，防桌面板意外翻下装置包括阻挡栓和固定物，固定物将阻挡栓固定后阻挡栓仍能滑动或转动，阻挡栓可卡在桌面板与桌体侧板之间，在外力作用下，滑动或转动阻挡栓能让阻挡栓不卡在桌板与桌体侧板之间，翻开课桌面板，又可以让阻挡栓卡在桌面板与桌体侧板之间，防桌板意外翻下。
防桌板意外翻盖课桌

[发明专利]应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层-CN201110146553.4无效
发明人：周帆;林华平;张良;蒋雪茵;张志林;张晓薇 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的新型阻挡层。本器件依次由基板（1）、栅电极（2）、绝缘层（3）、氧化物有源层（4）、刻蚀阻挡层（5）、源漏电极（6）层叠构。本发明中，刻蚀阻挡层由苯酚-甲醛聚合物构成。采用该中刻蚀阻挡层，在氧化物薄膜晶体管阵列制备过程中，较好地保护了氧化物有源层，并使制备工艺大为简化，适用于大面积制备。
应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀阻挡

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201610840081.5在审
发明人：张锡明;黄彦余 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤依序形成栅极、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物半导体层、第一蚀刻阻挡层、第二蚀刻阻挡层及光刻胶结构；以光刻胶结构为掩模，图案化第二蚀刻阻挡层、第一蚀刻阻挡层及金属氧化物半导体层，以形成准第二蚀刻阻挡图案、准第一蚀刻阻挡图案及金属氧化物半导体图案；以残留的光刻胶结构的厚部为掩模，图案化准第二蚀刻阻挡图案及准第一蚀刻阻挡图案，以形成第二蚀刻阻挡图案及第一蚀刻阻挡图案，并移除部分的第二绝缘层
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]显示装置用滤波器-CN200810177660.1无效
发明人：徐知润;申东根;吴商润;朴大出;金志映 -专利权人：三星康宁精密琉璃株式会社
申请日： 2008-11-20 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：一种显示装置用滤波器包括：透明基板；近红外线阻挡层；电磁屏蔽层；外部光阻挡层和颜色补偿层。近红外线阻挡层形成在透明基板上并包括交替涂层的金属薄膜和金属氧化物薄膜，金属薄膜和金属氧化物薄膜均被涂层一次或多次。电磁屏蔽层形成在近红外线阻挡层上并包括金属网状图案。外部光阻挡层包括外部光阻挡图案，该外部光阻挡图案包括具有楔形形状并被填充以光吸收材料和导电材料的多个外部光阻挡部分。颜色补偿层形成在外部光阻挡层上并包括聚合物树脂和选择性吸收光的至少两种着色剂。滤波器具有阻挡近红外线和电磁波的优良性能和较高的可见光透光率。
显示装置滤波器

[发明专利]等离子体振动开关元件-CN03809646.3无效
发明人：吉井重雄;大塚信之;水野纮一;铃木朝实良;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板（101）；在该基板上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层（103），在第一阻挡层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层（104）；在沟道层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第二阻挡层（105）；和在第二阻挡层上设置的源极电极（107）、栅极电极（109）以及漏极电极（108），第一阻挡层具有n型扩散层（103a），第二阻挡层具有p型扩散层（105a），沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层（106）在第二阻挡层上形成
等离子体振动开关元件

[发明专利]一种具有复合极性面电子阻挡层的发光二极管-CN201610327873.2在审
发明人：张雄;王南;崔一平 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合极性面电子阻挡层的发光二极管，该发光二极管包括由下而上依次设置的衬底(101)、金属极性面n型氮化物层(102)、金属极性面多量子阱层(103)、金属极性面p型氮化物层(104)、由金属极性面p型电子阻挡层(1051)和氮极性面p型电子阻挡层(1052)组成的复合极性面p型电子阻挡层(105)、氮极性面p型氮化物层(106)、所述金属极性面n型氮化物层上设置的n电极(107)和所述氮极性面p型氮化物层上设置的p电极(108)。复合极性面电子阻挡层在导带形成较高的电子势垒，阻挡电子越过多量子阱有源区进入p型区，从而可以减小漏电流，增加电子与空穴进行辐射复合的几率。
一种具有复合极性电子阻挡发光二极管

[发明专利]浅沟道隔离结构的制作方法和半导体器件的制作方法-CN201710770747.9有效
发明人：宋冬门;蒋阳波;张静平;吴关平;游晓英 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟道隔离结构的制作方法和半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底结构，所述衬底结构依次包括半导体衬底、氧化物层和阻挡层，所述半导体衬底包括相邻设置的N型掺杂区和P型掺杂区，且所述氧化物层与所述阻挡层之间的预设区域设置有牺牲层；对所述衬底结构具有所述阻挡层一侧刻蚀沟道，且所述沟道将所述N型掺杂区和P型掺杂区隔离；在所述沟道内填充绝缘材料以形成隔离结构；依次去除所述阻挡层和所述牺牲层。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，通过在氧化物层和阻挡层之间的预设区域设置牺牲层，进而在去除阻挡层时通过牺牲层保护氧化物层的预设区域不被影响，改善氧化物层表面出现锐形缺陷的情况，提高产品的良率。
沟道隔离结构及其制作方法半导体器件

[发明专利]一种车辆停泊防盗和车位管理的改进方法-CN201410406919.0无效
发明人：何阳;米奇 -专利权人：西安慧泽知识产权运营管理有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： E04H6/42 文献下载
摘要：本发明公开一种车辆停泊防盗和车位管理的改进方法，其特征在于，包括有主控电路口的和阻挡器,阻挡器包括有底座，驱动机构，控制电路，电源和可以升降的障碍物，所述阻挡器被固定或者部分埋在停车位车辆底部位置的地面上，有可向上伸出，并能接触到车辆底盘的障碍物被安置在阻挡器上,会首先接触车辆底盘的所述障碍物的顶部，安装有能感应障碍物接触到车辆底盘的感应开关连接控制电路，车辆在停车位停泊后，在车辆底部的位置，有阻挡器从地面向上伸出障碍物，接触车辆的底盘的某一处，阻挡车辆移动。
一种车辆停泊防盗车位管理改进方法

[发明专利]水蒸气阻挡性的评价方法-CN201110427069.9无效
发明人：吉田勇气;有泉久美子;樱井英章;黛良享 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明提供水蒸气阻挡性的评价方法，该方法无需实际测定水蒸气透过率，就能够轻松评价水蒸气阻挡膜的水蒸气阻挡性。使用由第1氧化物(X)构成的蒸镀材和由第2氧化物(Y)构成的蒸镀材、或包含第1氧化物(X)及第2氧化物(Y)双方的蒸镀材，对通过真空成膜法成膜的水蒸气阻挡膜的水蒸气阻挡性进行评价的方法，其特征在于，将由下述公式(1)计算的S1的值当作在温度40℃、相对湿度90％RH的条件下放置1小时后以温度40℃、相对湿度90％RH的条件测定的水蒸气阻挡膜的水蒸气透过率S(g/m2·天)进行评价。公式(1)：log10S1＝-0.015×(θ×ΔB)-0.25，公式(1)中，θ表示水滴接触角，ΔB表示第1氧化物(X)的碱度Bx与第2氧化物(Y)的碱度By之差的绝对值。
水蒸气阻挡评价方法

[发明专利]半导体装置-CN201910671212.5在审
发明人：金埈宽;朴在花;安商燻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置可包括第一金属间电介质(IMD)层、第一IMD层上的第一阻挡层、金属布线和第二阻挡层。第一阻挡层可形成在第一IMD层上。第一阻挡层可包括介电常数高于第一IMD层的介电常数的氧化物。金属布线可穿过第一IMD层和第一阻挡层。第二阻挡层可形成在金属布线和第一阻挡层上。第二阻挡层可包括氮化物。第一阻挡层和第二阻挡层可减少或防止气体排出，从而半导体装置可具有良好特性。
阻挡层介电常数金属布线金属间电介质半导体装置低k材料氮化物氧化硅氧化物衬底排出穿过

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN202010841218.5在审
发明人：松仓勇介;稻津哲彦;希利尔·贝诺 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：提供一种既能够提高发光效率又能够提高发光寿命的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件(1)具备：活性层，其发出紫外光；p型AlGaN系的电子阻挡层叠体，其位于活性层上，包含从活性层侧依次层叠第1电子阻挡层、第2电子阻挡层以及第3电子阻挡层而成的结构；以及p型接触层，其位于电子阻挡层叠体上，第2电子阻挡层的Al组分比小于第1电子阻挡层的Al组分比，第3电子阻挡层的Al组分比从第2电子阻挡层侧朝向p型接触层侧减小。
氮化物半导体发光元件