|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 50个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种降低碳化硅外延片表面缺陷的方法-CN202310336236.1在审
-
陈威佑;蔡清富;蔡长祐;胡智威
-
南京百识电子科技有限公司
-
2023-03-31
-
2023-09-29
-
H01L21/04
- 本发明公开了一种降低碳化硅外延片表面缺陷的方法，涉及降低碳化硅外延片表面缺陷的技术领域，包含表面蚀刻、缓冲层成长与外延成长三个阶段；在充满氢气的环境下,升温到摄氏1600度以上,通入含有硅源与碳源的反应气体进行外延,硅和碳的来源气体主要是硅烷和丙烷,氮气与三甲基铝则被用来做参杂浓度的气体来源，本方法在缓冲层成长过程中,除了反应气体外,通入一定占比范围的含氯气体来提高硅气体分子在和碳气体分子的在外延反应过程中键结稳定性,避免产生非碳化硅键结的反应,藉此来降低外延中因产生非碳化硅键结而形成的表面与晶体缺陷,同时并可提高外延成长速率,来获得高质量的碳化硅外延层。
- 一种降低碳化硅外延表面缺陷方法
- [发明专利]氮化物半导体外延结构-CN202310663305.X在审
-
胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑
-
南京百识电子科技有限公司
-
2022-04-21
-
2023-07-18
-
H01L29/06
- 本发明公开了一种氮化物半导体外延结构，包括衬底，所述衬底上依次设有成核层、过渡层、复合缓冲层、顶氮化镓层、被覆层，过渡层为AlxGaN层，所述复合缓冲层包括第一复合缓冲层和第二复合缓冲层。本发明通过复合缓冲层的厚度与GaN层的厚度之间的调整，使相对靠近成核层的过渡层的平均铝含量大于相对远离成核层的复合缓冲层的平均铝含量，有效地减缓氮化镓层与衬底之间因晶格与热膨胀系数不匹配所产生的应力，从而克服前述两者之间缺陷过多的缺点。本发明以超晶格生长外延层，能有效控制翘曲，进而提升氮化镓品质，降低缺陷增加产品良率，超晶格复合缓冲结构生长方法中，加入不同铝含量生长方式，可更进一步有效改善翘曲，增加产品良率。
- 氮化物半导体外延结构
- [发明专利]电连接装置-CN201910922756.4有效
-
陈威佑
-
莫列斯有限公司
-
2019-09-27
-
2023-06-16
-
G02B6/42
- 本发明提供一种电连接装置，包含一壳体、一固持件，以及一导光件。壳体具有一前端插口，以及一后壁，后壁形成有第一夹持结构，第一夹持结构具有由后壁朝后一体形成的片体，片体与后壁之间界定出夹持孔。固持件具有一固持本体，以及自固持本体一体形成且与第一夹持结构对应配合的第二夹持结构，第二夹持结构具有紧配合地插设于夹持孔的一第一臂。导光件具有多个导光管，每一导光管具有一入光端及一出光端，导光管的入光端插设于固持件的固持本体。在一些实施方式中，第二夹持结构还具有与第一臂共同夹持片体的一第二臂。
- 连接装置
|
