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[实用新型]一种防夹手组合装置-CN201420678851.7有效
发明人：魏小雷 -专利权人：魏小雷
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： E05C17/54 文献下载
摘要：一种用于门的防夹手组合装置，包括阻挡物（6）、挂绳（5）、两个铁片（2，3），一个磁铁（7）、一个固定座（4），其特征在于：磁铁（7）垂直镶嵌于阻挡物（6）的中心位置，并且磁铁（7）的两端稍微凸出阻挡物表面，两个铁片（2，3）和一个固定座（4）背面均设有双面胶体以便粘贴到门上，挂绳（5）两端分别连接固定座（4）和阻挡物（6）。
一种防夹手组合装置

[发明专利]柔性基底、制造其的方法、显示设备和聚合物基底-CN201710678971.5有效
发明人：张哲 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供一种柔性基底、制造其的方法、显示设备和聚合物基底。所述柔性基底包括聚合物基底。第一阻挡区的至少一部分形成在聚合物基底的中性面上。顶部区形成在第一阻挡区上方。底部区形成在第一阻挡区下方。第一阻挡区包括设置在聚合物基底的自由体积的至少一部分中的第一无机材料。第一阻挡区中的第一无机材料的密度大于顶部区或底部区中的第一无机材料的密度。
柔性基底制造方法显示设备聚合物

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201410109258.5在审
发明人：明杰;黄辉;张振华;陈吉星;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括玻璃基底、阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极，有机发光功能层至少包括依次层叠设置在阳极导电薄膜表面的电子阻挡层、发光层和空穴阻挡层；电子阻挡层的材质为富勒烯衍生物、锂化合物或有机硅小分子材料；空穴阻挡层的材质为由锂化合物、锌粉和磷光材料组成的第一混合物、或由电子传输材料和铍配合物组成的第二混合物、或由磷光材料和铍配合物组成的第三混合物。本发明通过在发光层两侧分别设置电子阻挡层和空穴阻挡层，使电子和空穴有效地限制在发光层中，使电子和空穴的复合界面位于发光层中，防止了部分电子和空穴复合形成的激子的衰减，从而提高了有机电致发光器件的发光效率
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]防止SMT器件漂浮的阻挡物-CN202180032108.7在审
发明人：克里斯托夫·海登;约翰内斯·施皮策;克里斯托夫·雷纳 -专利权人： ZKW集团有限责任公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H05K3/30 文献下载
摘要：熔化并且随后冷却，以建立在SMD器件(1)的至少一个器件接触面(1a)和电路承载件(2)的至少一个承载板接触面(2a)之间的电的、热的和/或机械的连接，其中借助于至少一个粘接点(4a、4b、4c、4d、4e)构成阻挡物(5)，使得首先能够实现SMD器件在焊膏(3)的熔化状态下竖直地下降，并且其次SMD器件在熔化的焊膏(3)上朝向阻挡物(5)的方向的水平漂浮由阻挡物(5)机械地限界。
防止 smt 器件漂浮阻挡

[发明专利]高速阻挡层抛光组合物-CN200410011819.4有效
发明人：卞锦儒;胡凯;李煦;刘振东;J·匡西;M·R·万哈尼赫姆 -专利权人： CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：适用于从半导体衬底上去除阻挡层材料的溶液。该溶液包含：0.01至25wt％的氧化剂，0至15wt％的非铁金属抑制剂，0至15wt％的研磨剂，0至20wt％该非铁金属的配位剂，0.01至12wt％的阻挡层去除剂，和余量的水；该阻挡层去除剂选自亚胺衍生化合物，肼衍生化合物和它们的混合物。
高速阻挡抛光组合

[实用新型]一种可移动阻挡物-CN201320200831.4有效
发明人：王和能 -专利权人：王和能
申请日： 2013-04-20 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： E01F13/02 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种可移动阻挡物，其特征在于：所述的可移动阻挡物有底座，所述的底座上安装有滚轮，所述的滚轮有四个，所述的底座中端位置固定有圆球，所述的圆球与垂直于地面的支撑杆固定连接，所述的支撑杆上端固定连接条板
一种移动阻挡

[实用新型]一种多功能阻挡物-CN201320200833.3有效
发明人：王和能 -专利权人：王和能
申请日： 2013-04-20 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： E01F13/02 文献下载
摘要：本实用新型是一种多功能阻挡物，其特征在于：所述的多功能阻挡物有底座，所述的底座中端位置固定有圆球，所述的圆球与垂直于地面的支撑杆固定连接，所述的支撑杆上端固定连接条板，所述的条板上依次设有第一缸体、第二缸体和第三缸体
一种多功能阻挡

[发明专利]一种镀膜方法及太阳能电池-CN201811279400.5在审
发明人：陈涛;叶亚宽;李新连;杨立红 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种镀膜方法及太阳能电池，涉及光伏及半导体制造的技术领域，该方法包括以下步骤：提供一太阳能电池基板；在太阳能电池基板表面通过原子层沉淀法形成用于阻挡钠离子的氧化物阻挡层；氧化物阻挡层通过进行预定数值的周期的沉淀，且氧化物阻挡层呈均匀致密沉淀于所述太阳能电池基板处；由于原子层沉淀法形成的氧化物阻挡层均匀性好，通过以单原子膜形成一层一层的膜层镀在太阳能电池基板上，在原子层沉积过程中，氧化物阻挡层质地均匀，致密性高，对于Na离子阻挡效果更好，起到降低PID的效果；缓解了现有技术中存在的通过PVD反应溅射形成的膜层具有性能偏差，造成膜层的不同区域阻挡Na离子的性能不同的技术问题。
氧化物阻挡层太阳能电池基板膜层太阳能电池沉淀法原子层镀膜沉淀原子层沉积过程阻挡半导体制造单原子膜反应溅射均匀性好均匀致密离子阻挡性能偏差致密性高钠离子光伏离子质地缓解

[发明专利]有机电致发光器件及其封装方法-CN201310109591.1无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：该有机电致发光器件包括阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装盖，发光功能层和阴极依次层叠于阳极导电基板上，封装盖将发光功能层和阴极封装于阳极导电基板上，封装盖包括依次罩设于有机发光功能层和阴极上的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层；其中，第一有机阻挡层的材料包括第一空穴传输材料、第一电子传输材料及氟化物，第一无机阻挡层的材料包括碲化物、第一氮化物及第一金属，第二有机阻挡层的材料包括第二空穴传输材料及第二电子传输，第二无机阻挡层的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二金属。
有机电致发光器件及其封装方法

[发明专利]有机电致发光器件及其封装方法-CN201310110273.7无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;梁禄生 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：该有机电致发光器件包括阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装盖，发光功能层和阴极依次层叠于阳极导电基板上，封装盖将发光功能层和阴极封装于阳极导电基板上，封装盖包括依次罩设于有机发光功能层和阴极上的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层；其中，第一有机阻挡层的材料包括第一空穴传输材料、第一电子传输材料及氟化物，第一无机阻挡层的材料包括碲化物、第一氮化物及第一合金，第二有机阻挡层的材料包括第二空穴传输材料及第二电子传输材料，第二无机阻挡层的材料包括第二氮化物、合金氧化物及第二合金。
有机电致发光器件及其封装方法

[发明专利]有机电致发光器件及其封装方法-CN201310109595.X无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;梁禄生 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：该有机电致发光器件包括阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装盖，发光功能层和阴极依次层叠于阳极导电基板上，封装盖将发光功能层和阴极封装于阳极导电基板上，封装盖包括依次罩设于有机发光功能层和阴极上的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层及第二无机阻挡层；其中，第一有机阻挡层的材料包括第一空穴传输材料及第一电子传输材料，第一无机阻挡层的材料包括碲化物、第一氮化物及第一合金氧化物，第二有机阻挡层的材料包括第二空穴传输材料及第二电子传输，第二无机阻挡层的材料包括第二氮化物与第二合金氧化物。
有机电致发光器件及其封装方法

[发明专利]非连续复合阻挡层、其形成方法及包含其的封装结构-CN201210410391.5有效
发明人：陈俊廷;赖丰文;林昆蔚;王登彦 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：发明提出一种非连续复合阻挡层及其形成方法。非连续复合阻挡层包括：一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于第一阻挡层上，其中第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物(organo-silicon material)区，且第一、第二阻挡层的无机材料区与有机硅化合物区上下交替堆叠。本发明还提供包含上述非连续复合阻挡层的封装结构。
连续复合阻挡形成方法包含封装结构

[发明专利]垂直半导体装置及用于制造垂直半导体装置的方法-CN201911379538.7在审
发明人：卞惠炫;金相德;权日荣;权兑烘;宾真昈 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：垂直半导体装置及用于制造垂直半导体装置的方法可以包括：在下部结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；通过蚀刻交替层叠物形成开口；在形成有开口的交替层叠物上形成非共形的阻挡层；将沉积抑制剂吸附在阻挡层的表面上，以将非共形的阻挡层转换为上面吸附有沉积抑制剂的共形的阻挡层；以及在共形的阻挡层上形成电荷储存层。
垂直半导体装置用于制造方法

[发明专利]形成半导体器件的图案的方法-CN200810130771.7无效
发明人：潘槿道;宣俊劦 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-07-17 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种形成半导体器件的图案的方法，所述方法包括：在半导体基板上形成第一硬掩模膜及蚀刻阻挡膜；在所述蚀刻阻挡膜上形成牺牲图案；在所述牺牲图案的侧壁上形成间隔物；移除所述牺牲图案；使用所述间隔物作为蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻阻挡膜及所述硬掩模膜，以形成蚀刻阻挡图案及硬掩模图案；以及移除所述间隔物及所述蚀刻阻挡图案，从而提高所述器件的良率及可靠性。
形成半导体器件图案方法

[发明专利]氧化物薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置-CN201410367658.6在审
发明人：王灿;刘芳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置。该氧化物薄膜晶体管，包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源漏电极；还包括设置在氧化物有源层之上的紫外阻挡层，其中所述紫外阻挡层由包括紫外吸收剂的树脂材料制成。通过设置紫外阻挡层，阻挡紫外线对氧化物薄膜晶体管的影响，提高氧化物薄膜晶体管稳定性。
氧化物薄膜晶体管阵列及其制造方法显示装置

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