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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]新型液体加工装置-CN201180034445.6在审
发明人： M·穆勒;M·希辛格 -专利权人：恰根有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G01N1/40 文献下载
摘要：一种液体加工装置，其包括中空本体，所述中空本体具有至少一个开口端和位于中空本体内部的至少一个阻挡物，所述阻挡物在环境条件下不可透过液体和固体，但是通过对所述阻挡物施加外力如压力、拖曳力或驱动力时其变得可透过液体，其中，所述阻挡物与所述中空本体的至少一个开口端隔开；所述装置在加工液体样品时的用途；所述装置的制备方法以及利用所述装置分离或纯化任何生物分子的方法。
新型液体加工装置

[发明专利]用于沉积氟氧化铝层以快速恢复在蚀刻腔室中的蚀刻量的方法-CN201710728796.6在审
发明人：王建齐;尤吉塔·巴瑞克;朱丽亚·巴文;凯文·A·派克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：腔室部件包括主体，所述主体在等离子体处理腔室中使用；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在主体的暴露表面的至少一部分上，氧化物阻挡层具有约2gm/cm3或更大的密度；以及氟氧化铝层，所述氟氧化铝层形成在氧化物阻挡层上
用于沉积氧化铝快速恢复蚀刻中的方法

[发明专利]具有防溅阻挡物的桨腔室-CN202111204724.4在审
发明人：诺兰·L·齐默尔曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C25D17/02 文献下载
摘要：所述电镀系统可以包括至少一个阻挡物，所述阻挡物定位在该镀敷腔室中。所述至少一个阻挡物可以界定多个槽。所述至少一个阻挡物可以被构造成限制或者防止流体在该镀敷腔室的操作期间溅到该转子或者该镀敷腔室。
具有阻挡桨腔室

[实用新型]机器人-CN202021191602.7有效
发明人：林伟劲;韦家将;佘坤桓 -专利权人：云鲸智能科技（东莞）有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： A47L11/24 文献下载
摘要：所述机器人包括壳体和雷达组件，所述雷达组件安装于所述壳体，所述雷达组件的一端与所述壳体活动连接，所述雷达组件的另一端能够相对于所述壳体发生位移，因此雷达组件能够相对于壳体摆动，以便于雷达组件在机器人遇到阻挡物时相对于壳体摆动，避免雷达与阻挡物发生硬碰硬接触，从而雷达在与阻挡物接触时避免与阻挡物相卡死，提高机器人的灵活性。
机器人

[实用新型]一种出水管口挡口装置-CN200920244718.X无效
发明人：许景天 -专利权人：许景天
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： E03D9/00 文献下载
摘要：一种出水管口挡口装置，它由阻挡物上连接手柄构成，所述阻挡物与出水管口的上部外形相适配，其尺寸大于出水管口的直径。阻挡物表面为光滑表面。所述阻挡物表面也可设置有凸出块或凸形纹或设置有凹形槽或凹形纹，凸出块或凸形纹与出水管口的上部接触。手柄的末端可设置有挂孔或挂钩。本实用新型结构简单，外形适用，能有效防止物品掉入下水道，使用简单方便。
一种出水管口装置

[发明专利]用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层-CN201210411732.0有效
发明人：陈祈铭;邱汉钦;喻中一;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层。本发明涉及集成电路及其形成。在一些实施例中，集成电路包括扩散阻挡层。扩散阻挡层可以布置成阻止来自Si衬底的Si和O2扩散到III族氮化物层内。扩散阻挡层可以包含Al2O3。在一些实施例中，集成电路还包括设置在硅衬底和III族氮化物层之间的晶格匹配结构。
用于衬底 iii 氮化物扩散阻挡

[发明专利]氮化物半导体元件-CN01812428.3在审
发明人：小崎德也 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2001-07-06 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明作为夹入p型氮化物半导体层11、n型氮化物半导体层13的活性层12，至少具有：具有n型杂质的阻挡层2a；由包含In的氮化物半导体构成的井层1a；具有p型杂质的、或者以无掺杂而使其生长的阻挡层2c，通过配置该阻挡层2作为最接近p型层一侧的阻挡层，就可以注入适当的载流子到活性层12。
氮化物半导体元件

[发明专利]包装层压板，制造该包装层压板的方法和由其生产的包装容器-CN200780052506.5有效
发明人：皮埃尔·法耶;吉尔·罗沙;阿兰·保尼鲍尔特;伊夫·莱特瑞尔;坂狄浦·辛格;简·安德斯·曼森 -专利权人：利乐拉瓦尔集团及财务有限公司
申请日： 2007-04-04 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：一种用于食品或饮料包装的阻挡膜，包括聚合物基膜，包括通过气相沉积施加到该寂寞上的无极氧化物的阻挡层。该无机氧化物层进一步涂覆有交联有机聚硅氧烷的修复层，其与该无机层共价结合。本发明还涉及包括该阻挡膜的多层包装层压板、制造该阻挡膜的方法和由该膜制造的包装容器。
包装层压板制造方法生产容器

[发明专利]电容器结构及其形成方法-CN200480019569.7无效
发明人： C·巴斯切里;F·D·吉利;G·S·桑胡 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2004-05-04 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明包括在阻挡层(48)之上淀积金属氧化物电介质材料(50)的方法。该阻挡层包括金属和碳、硼、和氮中的一种或多种的合成物，该电介质材料的金属氧化物可以包括与阻挡层相同的金属。该电介质材料/阻挡层结构可以结合到电容器中。例如，该电容器可以用在DRAM单元中，该DRAM单元可以用在电子系统中。
电容器结构及其形成方法

[发明专利]柔性显示器及其制造方法-CN201410612762.7有效
发明人：姜振圭 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性显示器及制造柔性显示器的方法，其中该方法包括：在柔性基底上形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成第二阻挡层，其中第二阻挡层包括硅氮化物；释放第二阻挡层的应力；在第二阻挡层上形成第一缓冲层，其中第一缓冲层包括硅氮化物；在第一缓冲层上形成第二缓冲层；以及在第二缓冲层上形成薄膜晶体管。
柔性显示器及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201410089112.9有效
发明人：王桂磊;赵超;徐强;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺，在扩散阻挡层上形成填满栅沟槽的钨层，所述扩散阻挡层阻挡形成钨层过程中的前驱物中离子的扩散扩散阻挡层阻挡ALD形成钨层时前驱物中离子的扩散，有效提高了器件的性能以及可靠性。
扩散阻挡层栅沟槽钨层半导体器件金属栅极层前驱物离子阻挡扩散栅介质层衬底填满制造

[发明专利]阶梯膜层的形成方法-CN201610885125.6有效
发明人：夏建军;胡瑞;刘孟勇;刘志攀;邹浩 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种阶梯膜层的形成方法，包括如下步骤：提供基底，在所述基底上形成阻挡层；以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底形成一级阶梯；在所述阻挡层和所述一级阶梯上形成聚合物层；刻蚀靠近所述一级阶梯一侧的部分阻挡层，去除所聚合物层，在所述基底上形成阶梯面；以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述基底形成二级阶梯。在本发明提供的阶梯膜层的形成方法中，通过在阻挡层和形成的阶梯上覆盖一层聚合物层，减少了后续刻蚀工艺的影响，从而减少对阻挡层的损耗，进而使相同厚度的阻挡层能够形成更多级数的阶梯，提高了生产效率，于是降低了生产成本
阶梯形成方法

[实用新型]一种井口防落物设备-CN202222523061.9有效
发明人：王志坚;张继珍 -专利权人：靖边县兴源钻井技术服务有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： E21B41/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种井口防落物设备，涉及井口防落物技术领域。该井口防落物设备，包括底板和阻挡组件，底板的顶部开设有四组孔洞且呈矩形阵列分布，孔洞内固定安装有箱体，阻挡组件设置于箱体的内部，阻挡组件包括有滑动箱、滑动块、阻挡板和拉板，通过拉动拉板使得滑动箱上的滑动块带动阻挡板移动通过滑动箱、滑动板、横杆、第一弹簧、第二弹簧、滑动块、阻挡板和拉板的配合使用，能够通过四组阻挡板对靠近地面的井口内壁进行阻挡，避免施工过程中井口的碎石掉落影响施工，通过竖板、螺纹杆、移动块、横板、连接块和隔挡板的配合使用
一种井口防落物设备

[发明专利]半导体装置结构和其制造方法-CN202080003476.4在审
发明人：杨超;周春华;赵起越 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、阻挡层、第三氮化物半导体层以及栅极结构。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上，并且所述第二氮化物半导体层的能隙大于所述第一氮化物半导体层的能隙。所述阻挡层安置在所述第二氮化物半导体层上，并且所述阻挡层的能隙大于所述第二氮化物半导体层的能隙。所述第三氮化物半导体层掺杂有杂质并且安置在所述阻挡层上。所述栅极结构安置在所述第三氮化物半导体层上。
半导体装置结构制造方法

[发明专利]半导体装置结构和其制造方法-CN202080003725.X有效
发明人：杨超;周春华;赵起越 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、阻挡层、第三氮化物半导体层以及栅极结构。所述第一氮化物半导体层安置在所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置在所述第一氮化物半导体层上，并且所述第二氮化物半导体层的能隙大于所述第一氮化物半导体层的能隙。所述阻挡层安置在所述第二氮化物半导体层上，并且所述阻挡层的能隙大于所述第二氮化物半导体层的能隙。所述第三氮化物半导体层掺杂有杂质并且安置在所述阻挡层上。所述栅极结构安置在所述第三氮化物半导体层上。
半导体装置结构制造方法

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