首页 在售
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
求购
电子信息机械制造新型材料电气自动化新能源安全防护环保资源轻工纺织生物医药包装印刷海洋开发仪器仪表航空航天建材建筑农林牧业食品饮料采矿冶金家居用品化学化工交通运输橡胶塑料教育休闲其他
查询 申请 展会 资讯 专利榜 企服商城 升级VIP
专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果19个，建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]半导体器件的制作方法以及半导体器件-CN202310631093.7有效
  • 李渊;游咏晞 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-08-22 - H01L21/56
  • 本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供包括衬底以及位于衬底上的栅极结构的基底；然后，在衬底以及栅极结构的裸露表面上形成依次层叠的预备金属层以及保护层，得到预备结构，其中，保护层中具有预定元素，预定元素在保护层中的占比沿着保护层的远离衬底以及栅极结构的方向逐渐增大；最后，对预备结构进行预定处理，使得预备金属层形成金属层，预定处理包括退火处理。由于预定元素的占比沿着保护层远离衬底以及栅极结构的方向逐渐增大，使得保护层的应力减小，使得金属层中的元素扩散至衬底中的数量减小，解决了现有技术中由于保护层的应力原因导致半导体器件性能较差的问题，保证了半导体器件的性能较好。
  • 半导体器件制作方法以及
  • [发明专利]半导体结构的制备方法-CN202310294462.8有效
  • 杨松领;游咏晞 - 合肥新晶集成电路有限公司
  • 2023-03-24 - 2023-06-13 - H01L21/28
  • 本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成第一介电层，并于第一介电层内形成沟槽；于沟槽的底部、沟槽的侧壁以及第一介电层上形成第一功函数金属材料层；第一功函数金属材料层包括悬突结构，悬突结构位于沟槽侧壁的顶部边缘；去除位于第一介电层上的部分第一功函数金属材料层，以形成保留于沟槽的底部以及沟槽的侧壁的第一功函数金属层；在去除过程中，悬突结构被同时去除。从而能够避免后续填充金属栅极时形成孔洞，从而降低了形成的半导体结构的电性以及良率的损失，从而能够提高形成的半导体结构的可靠性。
  • 半导体结构制备方法
  • [发明专利]一种金属互连结构及其制造方法-CN202310070363.1有效
  • 吕正良;黄震麟;游咏晞;郑志成 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-02-07 - 2023-05-05 - H01L21/768
  • 本发明涉及集成电路制造技术领域，并公开了一种金属互连结构及其制造方法，金属互连结构的制造方法包括：提供一半导体器件，并于半导体器件上形成第一导电结构；设置介质层于第一导电结构上；蚀刻介质层，形成导电沟槽，且导电沟槽连接于第一导电结构；形成阻挡层于导电沟槽内；形成晶种层于阻挡层上，其中晶种层位于导电沟槽内，且晶种层包括晶种层底壁和晶种层侧壁；减薄晶种层底壁的厚度，使晶种层底壁的厚度小于晶种层侧壁的厚度；以及在导电沟槽内填充金属导体，形成导电结构。本发明提供了一种金属互连结构及其制造方法，提升了半导体器件的响应效率。
  • 一种金属互连结构及其制造方法
  • [发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构-CN202211533821.2有效
  • 刘洋;游咏晞 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-12-02 - 2023-04-11 - H01L21/768
  • 本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：首先，提供基底，包括衬底、位于衬底的表面上的绝缘层、位于绝缘层的远离衬底的表面上的介质层、位于介质层中的凹槽以及至少位于凹槽的内壁上的阻挡层；之后，在阻挡层的表面交替沉积第一金属材料层和第二金属材料层，以形成金属层，金属层的远离基底的表面为第一金属材料层，第二金属材料层的沉积温度高于第一金属材料层的沉积温度。该方法通过循环交替生长高温的第二金属材料层，使得每个高温第二金属材料层的生长时间变短，同时，最后一层生长低温第一金属材料层，从而减少金属层表面须状缺陷的产生，进而解决了现有技术中金属薄膜工艺中缺陷较多的问题。
  • 半导体结构制作方法以及
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202211237592.X有效
  • 刘洋;游咏晞 - 合肥新晶集成电路有限公司
  • 2022-10-11 - 2023-02-24 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中设置有导线层，导线层具有裸露的位于半导体衬底的表面中的第一表面；在第一表面上形成导电连接部，导电连接部与第一表面接触设置；在第一表面上形成第一阻挡层，第一阻挡层覆盖导电连接部的侧壁，且第一阻挡层具有沿着第一方向的第一高度，第一方向为远离第一表面的方向；在第一表面上形成第二阻挡层，第二阻挡层覆盖部分第一阻挡层远离导电连接部的侧壁，第二阻挡层具有沿着第一方向的第二高度，第二高度小于第一高度。通过形成第一阻挡层和位于第一阻挡层和导电连接部之间的第二阻挡层，使得器件能够承受高密度电流，避免产生漏电问题。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构-CN202211533930.4有效
  • 刘洋;游咏晞;吴珊 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-12-02 - 2023-02-14 - H01L21/768
  • 本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：首先，提供基底，基底包括衬底、位于衬底的表面上的绝缘层、位于绝缘层的远离衬底的表面上的介质层、位于介质层中的第一凹槽以及至少位于第一凹槽的内壁上的阻挡层；之后，在第一凹槽内的阻挡层的裸露表面沉积第一金属层，第一凹槽中除阻挡层和第一金属层之外的区域形成第二凹槽中沉积第二金属层，第二金属层的沉积温度高于第一金属层的沉积温度；最后，在第二金属层、第一金属层以及阻挡层的裸露表面上沉积第三金属层，第三金属层的沉积温度低于第二金属层的沉积温度。该方法解决了现有技术中半导体制作工艺中沉积金属层易产生须状缺陷的问题。
  • 半导体结构制作方法以及
  • [发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202211219399.3有效
  • 刘洋;游咏晞 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-10-08 - 2023-01-24 - H01L23/538
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构至少包括：衬底，所述衬底内设置多个半导体器件；第一介质层，设置在所述衬底上；第一金属层，设置在所述第一介质层内，并与所述半导体器件连接；第一阻挡层，设置在所述第一金属层与所述第一介质层之间；第一顶部阻挡层，设置在第一金属层上；第二介质层，设置在所述第一顶部阻挡层上；通孔，与第一金属层接触；导电结构，设置在通孔内；开口，设置在所述第二介质层内，与所述导电结构接触；第二金属层，设置在所述开口内；第二阻挡层，设置在第二金属层以及导电结构与第二介质层之间。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，能够提高半导体结构的性能。
  • 一种半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]一种半导体结构的制作方法-CN202211381519.X在审
  • 邹鹏;游咏晞;吴启明 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-01-13 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底；所述衬底内形成第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间；在所述衬底上形成第一栅极，所述第一栅极位于所述第一掺杂区和所述第三掺杂区之间；在所述衬底上形成第二栅极，所述第二栅极位于所述第二掺杂区和所述第三掺杂区之间；在所述衬底上形成预设厚度的金属层；在第一退火温度下对金属层进行第一次退火，形成第一金属硅化物；在第二退火温度下对第一金属硅化物进行第二次退火，形成自对准金属硅化物。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，可获得高质量的以及高集成度的半导体结构。
  • 一种半导体结构制作方法
  • [发明专利]一种金属互连结构及其制作方法-CN202210500317.6有效
  • 游咏晞;郑志成;黄震麟;吴启明 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-05-10 - 2022-08-02 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种金属互连结构及其制作方法，所述金属互连结构的制作方法至少包括：提供第一金属层；在所述第一金属层上形成蚀刻停止层和介质层；蚀刻部分所述介质层和所述蚀刻停止层，形成导电通道，所述导电通道暴露出部分所述第一金属层；蚀刻所述导电通道底部的所述第一金属层，形成凹部，且所述凹部向着所述蚀刻停止层底部延伸；在所述凹部和所述导电通道的侧壁上形成阻挡层；在所述凹部和所述导电通道内形成导电结构；以及在所述介质层上形成第二金属层，且所述第二金属层与所述导电结构连接。通过本发明提供的一种金属互连结构及其制作方法，可提高金属互连结构的质量。
  • 一种金属互连结构及其制作方法
  • [发明专利]一种导线及其形成方法-CN202210326066.4在审
  • 游咏晞;郑志成;黄震麟;吴启明 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-03-30 - 2022-06-24 - H01L21/768
  • 本发明提供一种导线及其形成方法，所述形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽，所述沟槽用于形成金属互连线；在所述沟槽的底壁和侧壁上形成阻挡层；对所述沟槽的底壁进行物理轰击，以加深所述沟槽的深度；以及在所述沟槽中填充金属材料，以形成金属互连线，进而形成导线。本发明通过增加了对沟槽底壁上的阻挡层进行物理轰击工艺，可以改变沟槽的形状，同时还增大了金属材料的填充纵截面，可以有效降低导线的阻值，具体的，可以降低导线的阻值约5%，减少了RC延迟现象的发生，提升了导线响应速度。
  • 一种导线及其形成方法
友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期
咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top