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[发明专利]一种提高碳化硅晶圆中少数载流子寿命的方法-CN202210839289.0有效
发明人：宋立辉;皮孝东;杨德仁;刘帅;茆威威;熊慧凡 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种提高碳化硅晶圆中少数载流子寿命的方法，通过从非晶硅薄膜中逸出的氢原子对所述碳化硅晶圆表面的碳空位缺陷进行钝化，从而提高所述碳化硅晶圆的表面寿命；再通过对所述非晶硅薄膜进行激光照射，增加从所述非晶硅薄膜中逸出到所述碳化硅晶圆中的氢原子数量，所述氢原子对所述碳化硅晶圆内部的碳空位缺陷进行钝化，从而提高所述碳化硅晶圆的体寿命，从而最终通过提高所述碳化硅晶圆表面寿命和体寿命来提高所述碳化硅晶圆中少数载流子的寿命。
一种提高碳化硅晶圆中少数载流子寿命方法

[发明专利]碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法、系统及存储介质-CN202111528881.0有效
发明人：宋立辉;皮孝东;杨德仁;熊慧凡 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01N21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法、系统及存储介质，通过向碳化硅晶圆施加一个固定电压，来形成碳化硅晶圆的EL光谱强度分布图像，再建立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电阻分布方程，然后通过联立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、平均电子浓度方程，计算得到碳化硅晶圆平均电子浓度与EL光谱强度的函数关系，来生成载流子浓度分布图像；最后生成精确、完整的碳化硅晶圆的电阻分布图像。相比传统方法，本发明一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法比电阻仪的速度快一个数量级以上，且图像连续完整等优点，适用于大规模工业化生产中的碳化硅晶圆表征。
碳化硅电阻分布图像生成方法系统存储介质

[实用新型]碳化硅单晶生长用坩埚以及碳化硅单晶生长系统-CN202222705733.8有效
发明人：皮孝东;熊慧凡;宋立辉;徐所成;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚以及碳化硅单晶生长系统，其中，碳化硅晶体生长用坩埚包括坩埚本体，所述坩埚本体形成有料槽，所述料槽的上端具有挡板，所述挡板用于控制碳化硅升华时的气流方向和缓解碳化硅升华时的气体流速。以此缓解碳化硅生长时小平面效应的影响，减小生长得到的晶锭凸率，减少热应力的产生。
碳化硅生长坩埚以及系统

[发明专利]一种碳化硅栅极氧化层的制备方法以及相应的器件-CN202211507022.8有效
发明人：宋立辉;皮孝东;刘帅;熊慧凡;茆威威 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅栅极氧化层的制备方法以及相应的器件，首先利用低压化学气相沉积法在所述碳化硅外延表面形成第一栅氧化层，再利用热氧化法透过第一栅氧化层在所述碳化硅外延表面形成第二栅氧化层，从而得到由第一栅氧化层和第二栅氧化层组成的栅极氧化层；其中，所述第一栅氧化层的厚度为所述栅极氧化层厚度的1/6‑1/5；使得在降低碳空位等缺陷的同时又可以有效防止漏电及保证较高的栅氧可靠性。
一种碳化硅栅极氧化制备方法以及相应器件

[发明专利]钝化碳化硅栅极氧化层的方法以及相应的制备方法、器件-CN202211671044.8在审
发明人：宋立辉;皮孝东;刘帅;熊慧凡;茆威威 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种钝化碳化硅栅极氧化层的方法以及相应的制备方法、器件，通过采用预定之比的NO与N2O混合气体退火，从而对碳化硅栅极氧化层进行钝化；其中，所述预定之比的范围为1:1～1:1.2；本发明通过采用NO与N2O混合气体，可以提高界面质量、消除浅能级缺陷，同时也可以增加栅氧层厚度或者密度、降低缺陷。
钝化碳化硅栅极氧化方法以及相应制备器件

[发明专利]采用电子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法、晶圆及器件-CN202211620101.X在审
发明人：宋立辉;黄渊超;皮孝东;杨德仁;熊慧凡;刘帅;茆威威 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种采用电子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法以及相应的晶圆、器件，通过采用电子辐照对碳化硅晶圆进行处理，在碳化硅晶圆中生成点缺陷，初步形成符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆；其中，所述点缺陷包括间隙原子和空位；对所述符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆进行中温退火，使电子辐照产生的间隙原子形成双间隙复合物或者三间隙复合物，并保留空位，从而得到制备完成的半绝缘碳化硅晶圆；本发明利用电子辐照和中温退火在碳化硅晶圆中产生大量的点缺陷，增加半绝缘碳化硅晶圆的电阻率，然后利用中温快速退火，使间隙碳快速的形成复合物，从而留下有用的碳空位，提高了半绝缘碳化硅晶圆更高的热稳定性。
采用电子辐照制备绝缘碳化硅方法器件

[发明专利]采用质子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法、晶圆及器件-CN202211619902.4在审
发明人：宋立辉;黄渊超;皮孝东;杨德仁;熊慧凡;刘帅;茆威威 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种采用质子辐照制备半绝缘碳化硅晶圆的方法以及相应的晶圆、器件；通过采用具有预定质子能量和预定质子剂量的质子辐照对碳化硅晶圆进行处理，在所述碳化硅晶圆中生成多种类型的点缺陷，形成符合电阻率要求的半绝缘碳化硅晶圆；本发明采用质子辐照来辐照碳化硅材料，产生多种类型的点缺陷，特别是复杂点缺陷，从而形成高质量半绝缘碳化硅晶圆；并同时设定合适的质子辐照的剂量和能量，从而增加辐照后碳化硅晶圆的电阻率和热稳定性。
采用质子辐照制备绝缘碳化硅方法器件

[发明专利]一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构、制作方法及碳化硅晶体-CN202211329730.7在审
发明人：皮孝东;熊慧凡;宋立辉;徐所成;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及籽晶技术领域，特别涉及一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构、制作方法及碳化硅晶体。拼接结构从三个选定好的切割方向对籽晶进行切割，从而保持拼接后的碳化硅晶体各部分处于同一晶向，并且在切割处进行特定的磨角处理，不仅实现了大尺寸籽晶成功拼接，同时也消除裂缝在碳化硅单晶生长中的继承效应。本发明中的拼接结构适用于6英寸衬底到8英寸衬底的扩径，8英寸衬底到12英寸衬底等衬底尺寸扩径。利用该拼接结构扩径生长后的碳化硅晶锭处于同一晶向，减少晶界的产生，且经过磨角处理后，减小拼接处裂缝的影响，保证了生长出晶锭的上部分晶体的质量；并且扩径程度大，满足各种尺寸碳化硅的扩径需求。
一种碳化硅籽晶拼接结构制作方法晶体

[发明专利]一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法-CN202210900279.3在审
发明人：宋立辉;皮孝东;杨德仁;刘帅;熊慧凡;茆威威 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅单晶生长技术领域，公开了一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅晶锭的方法，包括以下步骤：提供锗硅碳三元合金固体；基于PVT法将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，从而得到掺锗的碳化硅晶锭。本发明通过将所述锗硅碳三元合金固体作为原料生长碳化硅晶体，使得最终可以获得掺杂锗元素均匀的碳化硅晶锭，有利于提高掺锗碳化硅产品的良率。
一种利用锗硅碳三元合金固体生长碳化硅方法

[发明专利]一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法-CN202210839290.3在审
发明人：宋立辉;皮孝东;杨德仁;刘帅;熊慧凡;茆威威 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅技术领域，具体为一种提高碳化硅晶圆表面寿命的方法，基于PECVD沉积薄膜法在所述碳化硅晶圆的至少一侧表面形成对应的非晶硅薄膜，利用PECVD的退火过程中，非晶硅薄膜中的氢原子逸出到碳化硅晶圆对应的表面上，对所述碳化硅晶圆对应表面的碳空位缺陷进行钝化；并利用非晶硅薄膜的晶格常数与碳化硅晶圆的晶格常数比较接近，可以很好地与碳化硅晶圆表面的悬挂键成键，减少所述碳化硅晶圆表面的悬挂键数量，消除碳空位缺陷即钝化碳化硅晶圆表面的碳空位缺陷，从而提高所述碳化硅晶圆至少一侧表面的寿命。
一种提高碳化硅表面寿命方法

[发明专利]碳化硅表面缺陷态能量分布测量方法、系统及存储介质-CN202111527712.5在审
发明人：宋立辉;皮孝东;杨德仁;熊慧凡 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01N27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅表面缺陷态能量分布测量方法、系统及存储介质，先分别在不同施加电压、不同温度、不同电压脉冲时间的条件下，通过深能级瞬态谱仪器测量得到碳化硅晶圆与金属电极点构成的肖特基结构的瞬态电容变化曲线，然后根据瞬态电容变化曲线，得到耗尽层宽度曲线，再根据所述耗尽层宽度曲线，计算出瞬态电压曲线，最后根据瞬态电压曲线计算出碳化硅晶圆表面缺陷态的能级位置以及对应缺陷态密度，从而得出碳化硅晶圆的缺陷态态密度能级分布规律。
碳化硅表面缺陷能量分布测量方法系统存储介质

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