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[发明专利]去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法-CN201610437697.8有效
发明人：何杰;肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
锗单晶片后表面酸化学腐蚀去除甩干配制混合水溶液过氧化氢氢氧化钠生产效率强光灯放入清洗节约检验

[实用新型]一种洁净柜-CN201620606454.8有效
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： A47B61/00 文献下载
摘要：一种洁净柜，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净柜，其特征在于该洁净柜是一个柜体，该柜体由两块侧板、一块背板和柜门构成，柜体顶部安装高效过滤器，高效过滤器顶部设置静压箱，静压箱顶部开口处设置风机，柜体内侧板上设置紫外线杀菌灯，并设置若干对对称布置的凹槽，置物架通过凹槽水平固定在两侧板之间，柜体底部设置排风孔。本实用新型的一种洁净柜，组装拆卸方便，操作简单实用，结构设计科学合理，利用空气流通原理起到良好的清洁作用，方便有效且节省人力物力。
一种洁净

[实用新型]一种洁净室用晶片清洗工作台-CN201620672887.3有效
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种洁净室用晶片清洗工作台，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净室用晶片清洗工作台，该工作台是一个柜体，该柜体分为上中下三个部分，上部为空气循环系统，中部为工作区域，下部是一个支撑台。本实用新型的一种洁净室用晶片清洗工作台，设计科学，使用方便，把清洗窗口、甩干窗口及验片窗口整合在同一操作台上，实现了在及时排出清洗晶片产生的有害气体的同时，减少了晶片再次受到沾污的机会，大大提高了生产效率。
一种洁净室晶片清洗工作台

[发明专利]锗单晶抛光片的清洗方法-CN201610438124.7在审
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;侯振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法，特别涉及锗单晶抛光片的一种清洗方法。本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：(1)SPM清洗：用浓度95％～98％浓硫酸和浓度30％～32％过氧化氢按照体积比为7:1配制清洗液；(2) SOM清洗：将步骤(1)清洗后的锗抛光片放入由浓度95％～98％浓硫酸、浓度10mg/L臭氧水及去离子水按照体积比为1:1:4混合的清洗液中；(3)APM清洗：将步骤(2)清洗后的锗抛光片放入浓度28％～30％氨水、30％～32％过氧化氢及去离子水按照体积比为1:2:15混合的清洗液中清洗。在不破坏锗抛光片表面的情况下，能够有效去除其表面颗粒、金属、有机物，获得高洁净且生长有薄而均匀的氧化层的表面，达到免清洗(Epi‑ready)的要求。
锗单晶抛光清洗方法

[发明专利]用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法-CN201610439088.6在审
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。
vgf 生长单晶体清洗方法

[实用新型]水冷式真空泵卡头-CN201520750419.9有效
发明人：杨海超;李苏滨;李雪峰 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型属于VGF单晶生长、退火等封焊工序的一种抽真空设备，具体的说是一种水冷式真空泵卡头。本实用新型的水冷式真空泵卡头，其特征在于该装置由卡圈，冷却铜管，卡头主体构成，卡圈、卡头主体为铝锭加工制品，卡头主体上设有螺旋槽，冷却铜管顺螺旋槽缠绕在卡头主体上，冷却铜管通冷却水。本实用新型的水冷式真空泵卡头，通过对卡头结构材质的改变，采用全铝制分体螺栓固定式结构，加设冷却循环水，可以有效的解决生产中卡头温度过高问题，使卡头、卡圈得到充分冷却，不再产生变形问题，密封圈得以五次以上的使用，降低成本，封焊过程中密封真空，使生产安全稳定。
水冷真空泵

[实用新型]氢氧焰封焊枪-CN201520777183.8有效
发明人：杨海超;李苏滨;李雪峰 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： B23K5/00 文献下载
摘要：一种氢氧焰封焊枪，涉及VGF单晶生长的封焊设备，尤其是一种预热均匀、封焊石英管不易破裂的氢氧焰封焊枪。本实用新型的氢氧焰封焊枪，其特征在于该封焊枪包括氢氧气传输管、支架、连接头以及封焊头，氢氧气传输管固定在支架上，连接头呈圆弧状并与氢氧气传输管连接，封焊头为11个，等距固定在连接头内壁上；连接头为内部空心结构，氢氧气传输管通过连接头的内部空腔与封焊头连接。本实用新型的氢氧焰封焊枪，设计科学，结构合理，调整方便，石英管预热更加均匀，火候容易掌握，减少操作时间，同时降低封焊后的石英管应力，避免石英管破裂，提高成品率，降低加工成本。
氢氧焰封焊枪

[发明专利]砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法-CN201510659597.5在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓多晶合成的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，其特征在于该生长方法利用砷化镓多晶磁场生长炉进行合成，砷化镓多晶磁场生长炉包括炉室和磁场装置，炉室呈圆柱形，嵌套于磁场装置中，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制多晶生长。本发明的砷化镓多晶磁场生长炉以及生长方法，降低了固液界面控制的难度，避免了砷泄漏现象的出现概率；提高了高纯砷和高纯镓原料的利用率。
砷化镓多晶磁场生长以及方法

[发明专利]多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法-CN201510659806.6在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
多室砷化镓单晶生长及其方法

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