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[实用新型]一种VGF法生长磷化铟单晶石英料管及其夹具-CN202120629399.5有效
发明人：房现阁;柯尊斌;罗福敏;囤国超;王卿伟 -专利权人：中锗科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种VGF法生长磷化铟单晶石英料管及其夹具，夹具包括拉杆、连接杆、承接圆盘和销子；连接杆一端与拉杆垂直连接、另一端与承接圆盘的上表面垂直连接；销子包括水平销子和转动销子，水平销子有两根，转动销子有一根以上，水平销子沿径向安装在承接圆盘的侧壁上，转动销子转动连接在承接圆盘的侧壁上，且转动销子向下转动的最大角度为至其长度方向与承接圆盘的径向一致。本申请通过夹具结构的设计和石英料管上吊孔的设计，大大降低了石英料管移动的操作难度，提高了操作的安全性；石英料管顶部无需预留较大空间，只要预留有吊孔的设置位置即可，提高了石英料管内部空间利用率，可生长更长的磷化铟单晶，从而提高了一炉单晶产出率。
一种 vgf 生长磷化晶石英料管及其夹具

[实用新型]单晶料管装料及提取装置-CN201920444888.6有效
发明人：黄平;刘汉保;柳廷龙;张朋;张俊岭;包文瑧;高磊;囤国超 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：单晶料管装料及提取装置，涉及一种单晶料管生长技术领域,尤其涉及一种用于磷化铟单晶生长中使用的装料及提取装置。该装置包括手柄、螺母、加固杆、套筒固定杆、套筒、固定圆盘、垫圈、螺杆；其中，螺杆中间套入套筒，套筒向上依次套入套筒固定杆、加固杆以及螺母；套筒向下依次套入固定圆盘和垫圈，以及螺母。该装置构造简单，加工制造方便，材料要求低，制造成本低廉。
套筒螺母套入装料固定圆盘提取装置固定杆加固杆单晶垫圈料管磷化铟单晶手柄材料要求螺杆中间制造成本装置构造生长螺杆加工制造

[实用新型]一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置-CN201721587694.9有效
发明人：肖祥江;囤国超;吕春富;任洋;董汝昆;陈朝向;杨嗣文;梁鹏 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，涉及磷化铟单晶材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，该装置包括支撑底座和活动支架，活动支架安装在支撑底座之间；所述的活动支架包括矩形框体、上矩形盖板、下矩形盖板和密封丝杆，矩形框体、上矩形盖板和下矩形盖板中部位置均设置有限位圆孔，矩形框体、上矩形盖板和下矩形盖板的四角均设置有密封圆孔，密封丝杠顶端和底端均设置有螺帽，密封丝杠将下矩形盖板、矩形框体和上矩形盖板连接在一起；所述的支撑底座包括支撑板、矩形板和横拉板。本实用新型一种磷化铟单晶生长炉的支撑装置，设计科学合理，能有效稳固地支撑磷化铟单晶炉体，并在装炉或出炉时，操作方便且省时省力。
矩形盖板磷化铟单晶矩形框体支撑装置生长炉活动支架支撑底座密封丝杠材料制备技术螺帽本实用新型密封丝杆密封圆孔中部位置横拉板矩形板支撑板出炉底端炉体省力省时圆孔装炉稳固支撑

[实用新型]一种磷化铟单晶生长炉-CN201721587711.9有效
发明人：肖祥江;囤国超;吕春富;任洋;叶晓达;董汝昆;杨嗣文;梁鹏 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种磷化铟单晶生长炉，涉及新材料制备技术领域，尤其是一种磷化铟单晶生长炉，该生长炉包括冷却循环系统、加热保温系统和支撑系统；所述冷却循环系统包括腔体、氮气盖和冷却循环水管，所述的腔体顶端和底端均设置有氮气盖，腔体外侧缠绕有冷却循环水管；所述的加热保温系统包括外壳、保温材料、电阻丝和炉膛，外壳包裹在炉膛外侧，保温材料填充在外壳与炉膛之间，电阻丝缠绕在炉膛外侧；加热保温系统下端设置有支撑系统，加热保温系统通过支撑系统支撑在腔体底端的氮气盖上。本实用新型的一种磷化铟单晶生长针对磷化铟单晶生长特点，结构设计合理，能灵活有效地控制磷化铟生长温度和炉内压强，从而保证磷化铟单晶质量。
磷化铟单晶炉膛加热保温系统生长炉氮气支撑系统腔体冷却循环水管冷却循环系统保温材料电阻丝生长缠绕制备技术领域本实用新型有效地控制炉内压强腔体顶端外壳包裹磷化铟底端下端填充灵活支撑保证

[实用新型]一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统-CN201721587953.8有效
发明人： 囤国超;肖祥江;吕春富;董汝昆;柳廷龙;陈朝向;杨嗣文;梁鹏 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，涉及磷化铟单晶生长制备技术领域，尤其是一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，其特征在于该系统包括单晶炉、氮气瓶、机械泵、减压阀和截止阀，单晶炉与氮气瓶和机械泵分别通过管道进行连通，所述的减压阀设置在单晶炉与氮气瓶连通的管道上，靠近单晶炉、氮气瓶和机械泵的管道上分别设置有截止阀。本实用新型的一种用于磷化铟单晶生长的氮气系统，设计科学，结构合理，通过机械泵与单晶炉连接结构，保证了单晶炉在充入氮气前，炉内的真空度达到所需标准，能有效改善磷化铟单晶的质量，有效降低氮气充入单晶炉内时压强，以便于控制单晶炉内的压强差，防止石英管发生爆炸，进而降低生产成本，提高生产效率。
单晶炉磷化铟单晶氮气系统氮气瓶机械泵生长减压阀氮气截止阀连通制备技术领域压强本实用新型连接结构生产效率石英管压强差炉内爆炸保证

[发明专利]去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法-CN201610437697.8有效
发明人：何杰;肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
锗单晶片后表面酸化学腐蚀去除甩干配制混合水溶液过氧化氢氢氧化钠生产效率强光灯放入清洗节约检验

[实用新型]一种洁净柜-CN201620606454.8有效
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： A47B61/00 文献下载
摘要：一种洁净柜，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净柜，其特征在于该洁净柜是一个柜体，该柜体由两块侧板、一块背板和柜门构成，柜体顶部安装高效过滤器，高效过滤器顶部设置静压箱，静压箱顶部开口处设置风机，柜体内侧板上设置紫外线杀菌灯，并设置若干对对称布置的凹槽，置物架通过凹槽水平固定在两侧板之间，柜体底部设置排风孔。本实用新型的一种洁净柜，组装拆卸方便，操作简单实用，结构设计科学合理，利用空气流通原理起到良好的清洁作用，方便有效且节省人力物力。
一种洁净

[实用新型]一种洁净室用晶片清洗工作台-CN201620672887.3有效
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种洁净室用晶片清洗工作台，涉及空气净化装置领域，尤其是一种洁净室用晶片清洗工作台，该工作台是一个柜体，该柜体分为上中下三个部分，上部为空气循环系统，中部为工作区域，下部是一个支撑台。本实用新型的一种洁净室用晶片清洗工作台，设计科学，使用方便，把清洗窗口、甩干窗口及验片窗口整合在同一操作台上，实现了在及时排出清洗晶片产生的有害气体的同时，减少了晶片再次受到沾污的机会，大大提高了生产效率。
一种洁净室晶片清洗工作台

[发明专利]锗单晶抛光片的清洗方法-CN201610438124.7在审
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;侯振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体晶片的清洗方法，特别涉及锗单晶抛光片的一种清洗方法。本发明公开了一种锗单晶抛光片的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：(1)SPM清洗：用浓度95％～98％浓硫酸和浓度30％～32％过氧化氢按照体积比为7:1配制清洗液；(2) SOM清洗：将步骤(1)清洗后的锗抛光片放入由浓度95％～98％浓硫酸、浓度10mg/L臭氧水及去离子水按照体积比为1:1:4混合的清洗液中；(3)APM清洗：将步骤(2)清洗后的锗抛光片放入浓度28％～30％氨水、30％～32％过氧化氢及去离子水按照体积比为1:2:15混合的清洗液中清洗。在不破坏锗抛光片表面的情况下，能够有效去除其表面颗粒、金属、有机物，获得高洁净且生长有薄而均匀的氧化层的表面，达到免清洗(Epi‑ready)的要求。
锗单晶抛光清洗方法

[发明专利]用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法-CN201610439088.6在审
发明人：肖祥江;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;囤国超;田东 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。
vgf 生长单晶体清洗方法

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