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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种芯片边缘结构-CN201821326171.3有效
发明人：陈伟钿;周永昌;张永杰;李浩南 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：其中，芯片边缘结构包括边缘主体结构层、钝化层及有机膜层，钝化层沿预设方向设置在边缘主体结构层的表面，并且钝化层具有至少一个凹陷区；有机膜层沿预设方向设置在钝化层的表面，并且填充每个凹陷区。由于有机膜层填充钝化层的凹陷区，有机膜层能够牢固地与钝化层固化，因此，钝化层在工艺期间不容易发生削皮或脱落现象。
钝化层有机膜层芯片边缘凹陷区主体结构层方向设置预设填充半导体器件技术本实用新型固化削皮

[发明专利]半导体材料表面钝化层结构的形成工艺方法-CN201410208799.3在审
发明人：王剑敏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料表面钝化层结构的形成工艺方法，该方法在钝化层工艺发生故障时，在对钝化层薄膜表面进行刷洗处理后，进行钝化层刻蚀及涂布聚酰亚胺前，生长一层与钝化层膜质相同的薄膜。本发明通过在钝化层薄膜表面经过刷洗后，生长一层较薄的同质薄膜，阻挡了衬底水汽和聚酰亚胺涂层的直接接触，从而解决了在钝化层工艺设备发生故障情况下，采用刷片机处理钝化层表面后，因聚酰亚胺涂层吸水膨胀造成的最终光刻形状异常的问题
半导体材料表面钝化结构形成工艺方法

[实用新型]一种彩色钝化镀锌钢板-CN201220385530.9有效
发明人：李丽;王海英;姚天宇;沈方林 -专利权人：常熟华冶薄板有限公司
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种彩色钝化镀锌钢板，包括：钢板基层、在所述钢板基层的表面涂覆有镀锌层、在所述镀锌层的表面涂覆有彩色钝化层，所述彩色钝化层为三价铬钝化液所形成的钝化层。本实用新型彩色钝化镀锌钢板，使用三价铬钝化液，钝化后形成一层薄而致密的彩色钝化膜，不仅能提高钢板的耐腐蚀性能，且工艺环保，不含Cr6+，并具有较好的装饰性，形成的钝化膜色彩鲜艳不易变色、成膜均匀不易脱落
一种彩色钝化镀锌钢板

[发明专利]一种具有良好导电性能的晶体硅太阳电池表面钝化层及钝化方法-CN201510351810.6有效
发明人：沈辉;李圣浩;但易 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有良好导电性能的晶体硅太阳电池的表面钝化层，所述的表面钝化层为设置在晶体硅太阳电池前表面和/或背表面的具有电介质‑金属‑电介质结构的复合薄膜叠层钝化层，所述的复合薄膜叠层钝化层包括第一层介质薄膜、第二层介质薄膜以及设于第一层介质薄膜和第二层介质薄膜之间的金属薄膜中间层。该表面钝化层具有电介质‑金属‑电介质的叠层结构，可以实现载流子向介质层注入，在具有良好钝化效果的同时实现了表面钝化结构的电流传输功能。还公开了利用增强导电性的表面钝化层实现晶体硅太阳电池表面钝化的方法。
一种具有良好导电性能晶体太阳电池表面钝化方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111172611.0在审
发明人：黄世罗;金俊植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体器件包括：衬底；多层互连，其设置在衬底上；第一钝化层，其包括氢并且覆盖多层互连之中的顶部互连；第二钝化层，其设置在第一钝化层之上，以阻止氢从第一钝化层向外扩散；直插式顶电介质层，其在第二钝化层之上；直插式重分布层，其通过穿通直插式顶电介质层、第二钝化层和第一钝化层，连接至顶部互连中的一个；以及氢阻挡内衬，其设置在直插式重分布层与第一钝化层之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]图像传感装置的制造方法-CN201910236411.3有效
发明人：孙鹏;王喜龙;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感装置的制造方法，包括提供一基板，至少一个图像传感单元设置在基板中；在基板上形成一钝化层；在钝化层上形成一辅助层，辅助层的材料成分不同于钝化层的材料成分；对基板和钝化层执行退火工艺，在退火工艺期间，辅助层覆盖钝化层；在退火工艺之后去除辅助层。可通过利用覆盖钝化层的辅助层执行的退火工艺增强约束和/或钝化钝化层中和/或附近的自由电荷的能力，从而相应地减少白色像素的数量，进而相应地改善图像传感装置的电气性能。
图像传感装置制造方法

[发明专利]一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法-CN202110984118.2在审
发明人：杨凌;马晓华;芦浩;邓龙格;侯斌;朱青;武玫;张濛;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法，该方法包括：在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、复合沟道层、氮化物势垒层和第一钝化层；刻蚀第一钝化层、氮化物势垒层和复合沟道层形成器件之间的隔离；在氮化物势垒层形成的源电极区域和漏电极区域上形成源电极和漏电极；在第一钝化层上生长第二钝化层；刻蚀第二钝化层、第一钝化层形成栅槽；在栅槽内和部分第二钝化层上形成T型栅电极；刻蚀第二钝化层、第一钝化层形成凹槽；在凹槽内、源电极、漏电极和T型栅电极上生长第三钝化层；刻蚀源电极、漏电极和T型栅电极上的第三钝化层，分别在源电极、漏电极和T型栅电极上沉积互联金属。
一种氮化物应力调制器件及其制备方法

[发明专利]晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构及其制备方法-CN201610180452.1有效
发明人：肖博 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅刻槽埋栅电池的钝化接触电极结构及其制备方法，其特征是包括硅衬底，在硅衬底表面覆盖第一钝化层和第二钝化层，在硅衬底上设有槽体，槽体由第一钝化层的表面延伸至硅衬底内部，第二钝化层覆盖第一钝化层所述制备方法包括以下步骤第一步，在硅衬底表面生长第一钝化层；第二步，使用激光在硅衬底上形成槽体，槽体由第一钝化层表面延伸至硅衬底内部；第三步，在第一钝化层表面生成第二钝化层，第二钝化层覆盖第一钝化层的表面以及槽体的侧壁和底部本发明钝化接触电极，防止金属扩散至硅衬底内形成复合中心，实现高效。
晶体硅刻槽埋栅电池钝化接触电极结构及其制备方法

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202210792590.0在审
发明人：陈开亨;曹佩华;吕学德;王荣德;王建竣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：封装结构包括一基板、一第一钝化层、一金属层、一第二钝化层以及一聚合物层。第一钝化层形成在基板之上。金属层共形地形成在第一钝化层上。第二钝化层共形地形成在第一钝化层及金属层上。一阶梯结构形成在第二钝化层的顶表面上，且包括至少一较低部分，低于阶梯结构的其他部分。聚合物层形成在第二钝化层之上。聚合物层的一部分延伸到阶梯结构的较低部分中以与阶梯结构卡合。
封装结构及其形成方法

[发明专利]一种镀锌层无铬钝化液-CN201410057395.9在审
发明人：罗迎花;陈蔡喜;蔡志华;牛艳丽 -专利权人：惠州大亚湾达志精细化工有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C22/68 文献下载
摘要：本发明涉及金属表面处理技术领域，具体是涉及一种镀锌层无铬钝化液。所述镀锌层无铬钝化液包含有机金属盐、络合剂、耐蚀添加剂；其中，有机金属盐由钼酸盐、硅酸盐、钨酸盐中至少一种与多乙烯多胺合成；所述耐蚀添加剂为可溶性镧盐、锆盐、铈盐中至少一种。本发明镀锌层无铬钝化液不含铬元素，且采用本发明钝化液钝化镀锌层得到的钝化层与传统含铬钝化液钝化镀锌层得到的钝化层的耐蚀性相当。
一种镀锌层无铬钝化

[发明专利]显示面板-CN201410048562.3有效
发明人：李冠锋;林明昌;颜子旻 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2014-02-11 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种显示面板，其薄膜晶体管基板包括底板、栅极层、栅极介电层、半导体层、第一电极层、第一钝化层、第二钝化层、通孔及第二电极层。栅极层位于基板上。栅极介电层位于栅极层上。半导体层位于栅极介电层上。第一电极层位于半导体层上。第一钝化层位于第一电极层上。第二钝化层位于第一钝化层上。通孔贯穿第一钝化层及第二钝化层，以暴露部分的第一电极层。第二电极层通过通孔与第一电极层电连接。其中，第一钝化层在通孔侧边具有第一倾角，第二钝化层在通孔侧边具有第二倾角，第一倾角与第二倾角的角度差小于30度。
钝化层第一电极通孔栅极介电层半导体层栅极层第二电极显示面板侧边薄膜晶体管基板底板电连接角度差基板暴露贯穿

[发明专利]降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法-CN201110340567.X有效
发明人：黄俊;魏珂;刘果果;樊捷;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法，包括：提供基底，基底包括缓冲层、位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的钝化层；采用钝化层刻蚀粒子刻蚀掉栅槽上方预设厚度的钝化层材料，以在所述钝化层表面内形成栅槽图形，所述预设厚度小于钝化层的厚度；采用帽层刻蚀粒子刻蚀上方剩余厚度的钝化层材料以及栅槽区域的帽层材料，以在所述钝化层和所述帽层表面内形成HEMT器件的栅槽。本发明实施例剩余厚度的钝化层材料阻止了钝化层刻蚀粒子对帽层材料的刻蚀，降低的栅槽刻蚀损伤，提高了HEMT器件电性和良率。
降低 hemt 器件刻蚀损伤方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN202010327915.9在审
发明人：李恭檀 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括一主动层、一第一金属层以及一钝化层；所述钝化层包括一第一子钝化层、一氢原子阻隔层以及一第二子钝化层，所述氢原子阻隔层设置于所述第一子钝化层于所述第二子钝化层之间；所述氢原子阻隔层用于阻隔所述第二子钝化层制备过程中的氢原子对所述主动层的掺杂，所述钝化层能够有效地阻隔环境中的水分子和氧分子，解决了高迁移率氧化物材料钝化层制备过程中主动层变成导体，从而使薄膜晶体管功能失效的难题
薄膜晶体管

[发明专利]阵列基板及液晶面板-CN201910730955.5有效
发明人：陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：所述阵列基板包括玻璃基板、第一钝化层、彩色滤光层、第二钝化层、第一透明导电层以及第一聚合物绝缘层。所述第一钝化层设置于所述玻璃基板上。所述彩色滤光层设置于所述第一钝化层上。所述第二钝化层设置于所述彩色滤光层上。所述第一透明导电层设置于所述第二钝化层上。所述第一聚合物绝缘层覆盖于所述第一透明导电层上。其中，所述第一钝化层的材料包含有机材料。
阵列液晶面板

[实用新型]半导体器件结构-CN202020412036.1有效
发明人：方绍明;李照华;戴文芳 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括半导体基板以及设置在所述半导体基板上的双钝化层，其中，所述半导体基板包括一基底以及设置在所述基板上的金属阵列；所述双钝化层包括设置在所述金属阵列之间，所述双钝化层包括依次设置在所述半导体基板上的第一钝化层和第二钝化层，且未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。所提供的半导体器件的双钝化层结构的钝化保护效果优异，使所述半导体器件的双钝化层结构的适用性更广泛，使用更灵活。
半导体器件结构

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