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[发明专利]固态摄像装置及其制造方法以及电子设备-CN201380021731.8有效
发明人：宫波勇树 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种固态摄像装置，包括有机光电转换层；钝化层，形成为覆盖该有机光电转换层的顶部；以及绝缘膜，形成在该钝化层上以及形成在该钝化层中层差上产生的窄缝中，该绝缘膜的折射系数小于该钝化层的折射系数。
固态摄像装置及其制造方法以及电子设备

[发明专利]一种晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法-CN201810805787.7有效
发明人：丁建宁;袁宁一;叶枫 -专利权人：常州大学;江苏大学
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效晶硅太阳电池的表界面钝化层及其钝化方法，属于太阳能制造技术领域。本发明在p型晶硅电池的正面设有n⁺型掺杂层，分别对n⁺型掺杂层表面和p型硅衬底的背面p型层表面进行表界面钝化。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，在P型硅衬底正面n⁺层表面制备四叠层结构的钝化膜；采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和原子层沉积(ΑLD)在P型硅衬底背面p型层表面制备四叠层结构的钝化膜，本发明专利制备的叠层钝化层的结构顺序对钝化效果有着至关重要的作用，叠层之间存在相互协同作用，钝化后具有优异的减反效果，钝化效果好，在p型PERC电池中具有优异的应用前景。
钝化等离子体增强化学气相沉积晶硅太阳电池界面钝化层表面制备叠层结构钝化效果掺杂层钝化膜叠层原子层沉积衬底背面衬底正面结构顺序界面钝化晶硅电池钝化层反效果衬底制备太阳能背面电池应用制造

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201410086570.7有效
发明人：阎长江;徐少颖;李田生;谢振宇;陈旭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：阵列基板制造方法包括依次在衬底基板上制造栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、源漏极、第一钝化层、像素电极、第二钝化层、存储电容上基板和第三钝化层；在第三钝化层上刻蚀位于漏极上方，贯穿第一、第二和第三钝化层的第一过孔、位于像素电极上方，贯穿第二和第三钝化层的第二过孔、位于存储电容上基板上方，贯穿第三钝化层的第三过孔、位于周边引线区源极上方，贯穿第一、第二和第三钝化层的第四过孔、位于周边引线区栅极上方，贯穿栅极绝缘层、第一、第二和第三钝化层的第五过孔。
一种阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]太阳电池及生产方法、电池组件-CN202011112231.3有效
发明人：李华;刘继宇 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳电池包括：硅基底；电极接触结构位于硅基底上；电极接触结构包括：界面钝化层、低功函数金属层、金属电极；在电极接触结构中，界面钝化层靠近硅基底；低功函数金属层层叠在界面钝化层上，金属电极设置在低功函数金属层上；界面钝化层的材料包括金属氧化物；界面钝化层具有电子选择性；金属氧化物中含有第一金属，低功函数金属层中含有第二金属，第二金属的活动性大于第一金属的活动性。本申请中，第二金属会对界面钝化层起到还原作用，使界面钝化层中的氧空位增加，利于提升导电性，降低了硅基底与界面钝化层的势垒高度，降低了硅基底与界面钝化层的接触电阻率。
太阳电池生产方法电池组件

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN202011307502.0在审
发明人：金井升;张昕宇 -专利权人：晶科绿能（上海）管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种太阳能电池及其制造方法，太阳能电池包括：基底，位于基底上表面的第一钝化膜和第一电极，以及位于基底下表面的场钝化层和第二电极，场钝化层包括位于第二电极与基底之间的第一场钝化子层以及位于相邻第二电极之间的第二场钝化子层；第一场钝化子层的材料的电导率大于第二场钝化子层的材料的电导率，第二场钝化子层的厚度小于第一场钝化子层的厚度；在基底朝向第一钝化膜的方向上，第一电极包括依次层叠的银电极、导电胶和电极膜；和/或，在基底朝向场钝化层的方向上
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]钝化接触结构及其制备方法和应用-CN202110466085.2在审
发明人：叶继春;曾俞衡;闫宝杰;刘尊珂;廖明墩;马典;韩庆玲;程皓;郑晶茗;刘伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化接触结构，属于太阳能电池领域，它包括有衬底，所述衬底的一个表面或两个表面上依次集成有碳氧化硅钝化层和掺杂多晶硅层。本发明实施例提供了一种钝化接触结构，其采用碳氧化硅钝化层替代现有的超薄氧化层，碳氧化硅钝化层中由于碳元素的加入，会调节碳氧化硅钝化层薄膜的膨胀系数，提高其稳定性，保证其完整性；本发明实施例还提供了一种钝化接触结构的制备方法，其采用碳氧化硅钝化层替代现有的超薄氧化层，在长时间高温条件下，碳氧化硅钝化层界面处的氢不易向外释放，掺杂多晶硅中的掺杂原子不会过度扩散；本发明实施例还提供了一种钝化接触结构的应用，应用于太阳能电池，提高电池效率
钝化接触结构及其制备方法应用

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201510044141.8有效
发明人：谢志勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：其中，该制作方法包括：形成半导体基体，半导体基体包括栅极，形成于栅极的侧壁上的侧壁层，以及形成于栅极的上表面上的硬掩膜层；形成覆盖侧壁层和硬掩膜层的介质层，并对介质层进行等离子体灰化处理以形成钝化预备层；以及进行刻蚀至去除位于栅极的上表面上的硬掩膜层和钝化预备层，并将位于侧壁层上的剩余钝化预备层作为钝化层。该制作方法通过对介质层进行等离子体灰化处理以形成钝化预备层，降低了在刻蚀去除位于栅极的上表面上的硬掩膜层和钝化预备层的步骤中钝化预备层被刻蚀掉的几率，即降低了在半导体器件的制作过程中位于侧壁层上的钝化层被刻蚀掉的几率
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法和制造半导体结构的方法-CN202110307241.0在审
发明人：陈宪伟;陈洁;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体器件包括位于电路上方的第一钝化层和位于第一钝化层上方的导电焊盘，其中，导电焊盘电连接至电路。第二钝化层设置在导电焊盘和第一钝化层上方，并且具有第一开口和第二开口。第一开口暴露在导电焊盘下面延伸的层的上表面，并且第二开口暴露导电焊盘。第一绝缘层设置在第二钝化层上方并填充第一开口和第二开口。衬底通孔延伸穿过绝缘层、第二钝化层、钝化层和衬底。衬底通孔和第二钝化层的侧具有填充有第一绝缘层的间隙。导电通孔延伸穿过第一绝缘层并连接至导电焊盘。本申请的实施例还涉及制造半导体结构和半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法半导体结构

[发明专利]半导体组件的钝化层结构及其形成方法-CN201010555848.2有效
发明人：孙文檠;林泽胜;游胜闵 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-11-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件的钝化层结构及其形成方法。该半导体组件的钝化层结构包括：半导体基板，钝化层结构，设置于该半导体基板上，其中该钝化层结构包括卤素掺杂的氧化铝层。
半导体组件钝化结构及其形成方法

[发明专利]无铬钝化液的制备方法及用无铬钝化液钝化电镀锌或锌合金层的方法-CN200910312379.9有效
发明人：张锦秋;安茂忠;杨培霞;李崇幸 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C23C22/42 文献下载
摘要：无铬钝化液的制备方法及用无铬钝化液钝化电镀锌或锌合金层的方法，它涉及一种钝化液的制备方法及使用方法。本发明解决了六价铬和三价铬钝化产生的污染问题及现有的钝化液钝化电镀锌及锌合金层后盐雾试验出白锈的时间短的问题。无铬钝化液制备方法如下：一、A浓缩液的制备；二、B浓缩液的制备；三、将A浓缩液、B浓缩液和去离子水混合后调节pH值，再加热或冷却至20℃～60℃，即得无铬钝化液。用无铬钝化液钝化电镀锌或锌合金层的方法如下：一、二次钝化；二、老化，即完成钝化电镀锌或锌合金层。采用本发明的无铬钝化液钝化电镀锌或锌合金层后，进行中性盐雾试验，经过84h～120h的连续喷雾，钝化膜表面未出现白锈。
钝化制备方法用无铬镀锌锌合金

[发明专利]一种纳米结构太阳电池及其制备方法-CN202310020243.0在审
发明人：刘文富;齐兴华;李昊天;韩嘉义;栾正洋 -专利权人：黄淮学院
申请日： 2023-01-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了太阳能电池技术领域的一种纳米结构太阳电池及其制备方法，包括：硅片；正面钝化层，所述正面钝化层设置在所述硅片的顶部；背面钝化层，所述背面钝化层设置在所述硅片的底部，正面钝化层附着在硅片的顶部，将附着有正面钝化层的硅片置于加热炉中，在流动的含氢气体中以恒定的流速升温至700‑800℃，再以流动的氩气以恒定的速率升温至1200‑1300℃，恒温一段时间，恒温保持一段时间，将热处理后的附着有正面钝化层的硅片用水性氧化剂处理，完成正面钝化层表面的刻蚀，本发明通过将碳纳米正面钝化层附着在硅片上，利用纳米碳优良的光电转换能力进行光电转换，有效的提升了太阳电池的光电转换效率。
一种纳米结构太阳电池及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN200710171665.9有效
发明人：李涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：导体基底，所述半导体基底中具有源区、漏区及位于所述源区和漏区之间的导电沟道区；位于所述半导体基底上的栅极、环绕所述栅极的侧墙；以及，覆盖所述半导体基底、栅极及侧墙的钝化层，包含所述钝化层的器件的导电沟道区内具有确定的应力；所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层和第二钝化层相接，所述第一钝化层具有第一应力，所述第二钝化层具有第二应力。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法-CN202210616038.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：显示面板包括依次设置的衬底基板、薄膜晶体管层、钝化层和第一平坦化层，钝化层背离衬底基板的一侧形成有多个凹陷区域，第一平坦化层至少部分位于凹陷区域内，第一平坦化层相对衬底基板的高度的最大值小于或等于钝化层相对衬底基板的高度的最大值本申请通过在钝化层的凹陷区域内设置第一平坦化层，且使第一平坦化层的最大高度小于或等于钝化层的最大高度，能够减小钝化层上凹陷区域产生的段差，提高钝化层表面的平坦度，有助于后续膜层的制作，提高后续膜层的结构均匀性
显示面板显示装置制作方法

[发明专利]凸点的形成方法-CN200610147430.1无效
发明人：靳永刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种凸点的形成方法，包括：在半导体衬底上形成金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层的第一开口暴露出金属垫层，所述钝化层为高分子聚合物；在钝化层及其第一开口内形成金属层；在金属层上形成第二开口；在金属层上依次形成电镀籽晶层和凸点层；去除光刻胶；蚀刻金属层，形成凸点下金属层；形成凸点；本发明还包括在蚀刻金属层之后，采用反应离子刻蚀装置产生的等离子体灰化处理钝化层步骤，去除高分子材料聚合物表面上残留金属离子，降低了高分子聚合物钝化层表面的漏电流，增强了半导体器件的性能。
形成方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN201811059303.5在审
发明人：赵文达;戴超;曹焜;彭云霞;焦峰 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/471 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法，该制造方法对钝化层的工艺步骤进行改进，钝化层分两次成膜，钝化层包括氧化硅钝化层和其上的氮化硅钝化膜。退火制程位于氧化硅钝化层成膜后，且位于氮化硅钝化层成膜前；退火使得氧化硅致密化，增加了对氢离子扩散的阻挡作用，同时避免了在退火的高温过程中氮化硅钝化层中的氢离子加剧向有源层扩散，优化了薄膜晶体管的特性和均一性
薄膜晶体管退火钝化层成膜氢离子制造氮化硅钝化层氧化硅钝化层氮化硅钝化扩散高温过程工艺步骤均一性氧化硅致密化源层制程阻挡应用优化改进