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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210080182.2在审
  • 陈宏 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-01-24 - 2022-05-03 - H01L21/56
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，先形成钝化层，钝化层覆盖导电层的侧壁和顶部以及半导体衬底，所述钝化层可以保护导电层以及半导体衬底，防止灰尘或水汽等；然后，在钝化层上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述钝化层，接着，对所述侧墙材料层进行刻蚀，以去除所述半导体衬底上的侧墙材料层以及去除所述导电层顶部的所述侧墙材料层，并保留所述导电层侧壁的所述侧墙材料层以形成侧墙层，所述侧墙层可起到支撑所述导电层的作用，避免导电层在高温环境下发生倒塌或者倾斜相比现有技术，在刻蚀所述钝化层的过程中，钝化层的过刻蚀量较少，可避免损伤钝化层下方的导电层，由此避免等离子体损伤。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]新型钝化复合板材-CN201410659539.8无效
  • 赵东明;黄雄白 - 苏州禾盛新型材料股份有限公司
  • 2014-11-18 - 2015-02-04 - B32B15/04
  • 本发明提供一种新型钝化复合板材，基材的正面设有第一军绿钝化膜层，第一军绿钝化膜层上涂覆有底漆层，底漆层上涂覆有面漆层，基材的背面设有第二军绿钝化膜层，第二军绿钝化膜层上涂覆有背漆层。军绿色钝化膜附着力(杯凸)最好，其防腐性能远远高于彩虹色钝化膜，军绿色钝化膜的氢离子明显低于其他颜色钝化膜，减少了零件的氢脆隐患，六价铬的含量也明显低于彩虹色钝化膜，更符合环保的要求，减轻了对人类健康和环境的危害通过军绿色钝化膜的应用，将PCM或VCM的耐冲压杯凸试验值达到12，从而极大的提高PCM在实际使用中满足某些深冲工艺的要求。
  • 新型钝化复合板材
  • [实用新型]新型钝化复合板材-CN201420693625.6有效
  • 赵东明;黄雄白 - 苏州禾盛新型材料股份有限公司
  • 2014-11-18 - 2015-04-22 - B32B15/04
  • 本实用新型提供一种新型钝化复合板材，基材的正面设有第一军绿钝化膜层，第一军绿钝化膜层上涂覆有底漆层，底漆层上涂覆有面漆层，基材的背面设有第二军绿钝化膜层，第二军绿钝化膜层上涂覆有背漆层。军绿色钝化膜附着力(杯凸)最好，其防腐性能远远高于彩虹色钝化膜，军绿色钝化膜的氢离子明显低于其他颜色钝化膜，减少了零件的氢脆隐患，六价铬的含量也明显低于彩虹色钝化膜，更符合环保的要求，减轻了对人类健康和环境的危害通过军绿色钝化膜的应用，将PCM或VCM的耐冲压杯凸试验值达到12，从而极大的提高PCM在实际使用中满足某些深冲工艺的要求。
  • 新型钝化复合板材
  • [发明专利]裸片及其制作方法、芯片封装结构及其制作方法-CN202011540595.1在审
  • 霍炎;杨威源;杨磊 - 矽磐微电子（重庆）有限公司
  • 2020-12-23 - 2022-01-28 - H01L23/538
  • 本发明提供了一种裸片及其制作方法、以及芯片封装结构及其制作方法，裸片包括：铝焊垫、钝化层以及铜层；铝焊垫与钝化层位于裸片的活性面，钝化层具有开口，开口暴露铝焊垫的部分区域；铜层填充于钝化层的开口内，且覆盖于铝焊垫的表面在铝焊垫上形成铜层，且铜层填充于钝化层的开口内，使得一方面，铜层能防止铝焊垫表面氧化，降低铝焊垫的电阻；第二方面，采用激光开孔法在塑封层内形成开孔时，铜层可避免激光能量过大击穿铝焊垫；第三方面，铜层完全位于钝化层的开口内，相对于铜层部分区域位于钝化层上的方案，可避免铜层与钝化层的结合性能差导致铜层从钝化层上剥离，从而提升封装结构的良率。
  • 及其制作方法芯片封装结构
  • [发明专利]内嵌式触摸液晶显示装置及其制造方法-CN201510993600.7有效
  • 赵旸镐;金永植;禹允焕 - 乐金显示有限公司
  • 2015-12-25 - 2021-12-21 - G02F1/1343
  • 该内嵌式触摸液晶显示装置包括：薄膜晶体管(TFT)，该TFT布置在多个像素区域中；源接触层和漏接触层，该源接触层连接到该TFT的源极，该漏接触层连接到该TFT的漏极；第一和第二钝化层，该第一和第二钝化层布置在该源接触层和该漏接触层上；公共电极，该公共电极布置在该第二钝化层上；第三钝化层，该第三钝化层布置在该公共电极上；导线，该导线布置成通过穿过该第三钝化层而与该公共电极重叠；第四钝化层，该第四钝化层布置在该第三钝化层和该导线上；以及像素电极，该像素电极在第一接触孔中连接到该漏接触层并且布置在该第四钝化层上。
  • 内嵌式触摸液晶显示装置及其制造方法
  • [发明专利]PERC太阳能电池及其制备方法-CN201511023431.0在审
  • 蒋建宝;李科伟 - 无锡赛晶太阳能有限公司
  • 2015-12-30 - 2016-04-06 - H01L31/18
  • 本发明公开一种PERC太阳能电池及其制备方法，其中PERC太阳能电池包括硅片、位于硅片上表面的二氧化硅层和银层、位于二氧化硅层上表面的正面氮化硅钝化层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本发明在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金。本发明在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层，能够有效的解决PERC太阳能电池电位诱导衰减问题。
  • perc太阳能电池及其制备方法
  • [实用新型]PERC太阳能电池-CN201521129987.3有效
  • 蒋建宝;李科伟 - 无锡赛晶太阳能有限公司
  • 2015-12-30 - 2016-07-13 - H01L31/068
  • 本实用新型公开一种PERC太阳能电池，其包括硅片、位于硅片上表面的二氧化硅层和银层、位于二氧化硅层上表面的正面氮化硅钝化层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本实用新型在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金。本实用新型在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层，能够有效的解决PERC太阳能电池电位诱导衰减问题。
  • perc太阳能电池
  • [发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201110050999.7有效
  • 邱彦凯;郭明锦;蔡锦堂;陈添赐;黄桂武 - 昱晶能源科技股份有限公司
  • 2011-02-25 - 2012-08-29 - H01L31/18
  • 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，其步骤包含对基板的第一表面进行离子布植以形成第一掺杂层，接着对基板的第二表面进行离子布植以形成第二掺杂层，然后对基板、第一掺杂层与第二掺杂层所形成的结构执行退火程序，并通过退火程序形成第一钝化层于该第一掺杂层上与形成第二钝化层于该第二掺杂层上，于经退火程序后所形成的第一钝化层上形成第三钝化层，再于经退火程序后所形成的第二钝化层上形成第四钝化层，然后分别于第三钝化层与第四钝化层上形成导电电极
  • 太阳能电池制造方法
  • [发明专利]Micro LED显示器件及制备方法-CN202210552675.1有效
  • 胡双元;庄永漳 - 镭昱光电科技（苏州）有限公司
  • 2022-05-21 - 2022-08-09 - H01L25/16
  • Micro LED显示芯片包括：驱动面板；LED单元，通过触点单独驱动；钝化层，位于LED单元上，包括第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层；第二反光层，形成于第二钝化层和第三钝化层上。本发明制备方法包括提供驱动面板，在驱动面板上形成LED单元；在LED单元上形成钝化层；在钝化层上形成反光层；并剥离第一反光层，保留第二反光层。本发明通过反光层将自发辐射光子阻挡，并只由顶部出射，完全阻止相邻像素间串扰的发生，被反光层反射回的光子由唯一的出射窗口逸出，大大提升了出光功率。
  • microled显示器件制备方法
  • [发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202211460328.2有效
  • 张曼;黄浩玮;吴涵涵 - 合肥新晶集成电路有限公司
  • 2022-11-17 - 2023-05-12 - H01L21/60
  • 半导体结构的制备方法，包括：提供器件层，所述器件层上形成有多个间隔排布的导电层；于所述器件层上形成钝化叠层，所述钝化叠层覆盖各所述导电层；其中，至少位于各所述导电层之间的所述钝化叠层的上表面为弧形面。本申请的半导体结构的制备方法，通过在器件层上形成钝化叠层，钝化叠层可以起到对器件层进行充分隔离保护的作用，器件层上形成有多个间隔排布的导电层，钝化叠层覆盖各导电层，可以对导电层进行隔离保护，并且至少位于各导电层之间的钝化叠层的上表面为弧形面，以解决钝化层具有尖角导致后续塑封出现破裂造成半导体结构失效的问题，提升器件性能。
  • 半导体结构制备方法
  • [发明专利]等离子激元结构及钙钛矿光电器件-CN202010988753.3有效
  • 解俊杰;徐琛;李子峰;吴兆 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2020-09-18 - 2023-10-10 - H10K30/00
  • 等离子激元结构包括：纳米金属颗粒内核、包裹纳米金属颗粒内核的外壳层、以及位于外壳层外侧的钝化修饰分子；钝化修饰分子包括：连接在外壳层上的外壳层钝化端、钝化分子碳链以及钙钛矿钝化端；钝化分子碳链连接外壳层钝化端和钙钛矿钝化端；外壳层钝化端包括：胺基、膦基、羧基、磺基、巯基中的至少一种；钙钛矿钝化端包括：至少一个含有孤对电子的官能团。胺基、膦基、羧基、磺基、巯基与外壳层表面的悬键结合，钝化外壳层缺陷，钝化分子碳链稳定“核‑壳等离子激元”，孤对电子与钙钛矿的晶界和界面处的卤素空位、或卤素悬键等结合，提高了钙钛矿光电器件的效率。
  • 等离子结构钙钛矿光电器件
  • [发明专利]晶体硅太阳能电池的钝化方法-CN201110179744.0无效
  • 邓伟伟;冯志强 - 常州天合光能有限公司
  • 2011-06-30 - 2012-02-29 - H01L31/18
  • 本发明涉及太阳能电池钝化实现方法技术领域，特别是一种晶体硅太阳能电池的钝化方法。该方法为：在低温下用热氧化的方法在硅片的表面生长一层厚度为5-50nm的二氧化硅薄膜，温度范围为600℃-800℃，氧化时间为5-60min。二氧化硅薄膜作为太阳能电池的一层钝化层，在这层钝化层的表面另外再沉积一层钝化层，形成叠层的钝化膜来钝化电池的表面。本发明的有益效果是：在太阳能电池的表面多增加一层本发明所涉及的二氧化硅钝化膜，再加上一层如SiNx薄膜的钝化层之后，相对于单层的SiNx薄膜或高温下生长的二氧化硅薄膜的叠层钝化的钝化，效率可以提升0.2
  • 晶体太阳能电池钝化方法
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