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[发明专利]太阳能电池及其制备和光伏组件-CN202211002855.9在审
发明人：武禄;陈皓;杨苗;曲铭浩;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：太阳能电池包括：硅基底、正面钝化减反层、局部钝化接触结构、层叠设置的背面本征钝化层和背面掺杂层、正面电极、背面电极；局部钝化接触结构和正面钝化减反层，共同覆盖硅基底的向光面，且沿着与背面掺杂层和背面电极的层叠方向垂直的方向，局部钝化接触结构和正面钝化减反层，在硅基底的向光面上交替分布；层叠设置的背面本征钝化层和背面掺杂层，位于硅基底的背光面；正面电极位于所述局部钝化接触结构上；背面电极与背面掺杂层电连接。局部钝化接触结构可有效抑制接触复合和表面复合，由正面钝化层、正面减反层覆盖硅基底，减少了寄生性吸收，钝化减反效果好。
太阳能电池及其制备组件

[发明专利]一种镀锡层表面钝化膜、镀锡板以及镀锡板表面的钝化方法-CN202211204314.4在审
发明人：方圆;宋浩;石云光;王振文;周保欣;王雅晴;孙宇;陈艺敏;朱国森;曾立;徐海卫;鲍成人;朱防修;吴志国;杜国锋;于兴旺 -专利权人：首钢集团有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C25D11/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种镀锡层表面钝化膜、镀锡板以及镀锡板表面的钝化方法，属于金属表面处理技术领域，该镀锡层表面钝化膜包括第一钝化层，以及位于所述第一钝化层表面的第二钝化层；所述第一钝化层为含铬钝化膜层，且，所述含铬钝化膜层中Cr含量为3～6mg/m2；所述第二钝化层为Ti‑Zr系钝化膜层，且，所述Ti‑Zr系钝化膜中Ti元素以TiO2形式存在使得所生产的镀锡板具有良好附着力、抗硫、抗酸、抗盐等性能外，还具有优良的耐蚀力、耐盐雾性能，同时该方法可适应0.5～11.2g/m2镀锡层，产线生产速度可满足500m
一种镀锡表面钝化以及方法

[发明专利]一种低表面漏电流的探测器及其制作方法-CN202111089548.4有效
发明人：杨奕;缪笛;鄢静舟;薛婷 -专利权人：福建慧芯激光科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述衬底、隔离台与P台的上表面以及隔离台、P台的侧面依次生长有第一钝化层与第二钝化层。所述隔离台的上表面设有穿过所述第一钝化层与第二钝化层的n型接触金属环，在所述P台上表面设有穿过所述第一钝化层与第二钝化层的p型接触金属环。本发明用复合钝化层（复合钝化层由下至上为半绝缘InP或InAlAs与介质膜钝化层）代替传统介质膜钝化层对探测器进行钝化，减少了钝化层与半导体界面之间的缺陷与界面态，有利于减小器件的漏电流。
一种表面漏电探测器及其制作方法

[实用新型]阵列基板和显示面板-CN202220678934.0有效
发明人：李岩 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板和显示面板，涉及显示面板技术领域，解决了目前阵列基板的设计中钝化层易形成裂纹，影响坏薄膜晶体管的驱动性能的问题，包括衬底基板，衬底基板上依次设置有栅极、栅极绝缘层、源极、半导体层、漏极以及钝化层，钝化层上设置有用于保护钝化层的保护层，钝化层和保护层共同设置有用于暴露漏极的过孔，保护层上设置有像素电极，像素电极通过过孔与漏极电连接，钝化层包括多层绝缘子钝化层，其中至少一层绝缘子钝化层所采用的材料为树脂材料本申请采用树脂材料的绝缘子钝化层，并在钝化层上设置保护层，改善钝化层脆性较大的问题，保持阵列基板中半导体层的特性和阵列基板中薄膜晶体管的正常显示功能。
阵列显示面板

[实用新型]一种背钝化硅基太阳能电池-CN201921460183.X有效
发明人：钱洪强;张树德;鲁科;魏青竹;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背钝化硅基太阳能电池，能够避免负电荷场效应对钝化的削弱。一种背钝化硅基太阳能电池，包括晶体硅基体、形成于所述晶体硅基体正面的掺杂层、形成于所述掺杂层上的正面钝化膜、透过所述正面钝化膜和所述掺杂层形成欧姆接触的正面电极、形成于所述晶体硅衬底背面的背面钝化膜及穿过所述背面钝化膜和所述晶体硅基体形成欧姆接触的背面电极，所述背面钝化膜包括形成于所述晶体硅衬底背面的第一钝化层及形成于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述背面电极形成于所述第二钝化层上，所述第一钝化层为Al2O3层，所述第二钝化层包括Ga2O3层和/或Ta2O5层。
一种钝化太阳能电池

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201910233472.4在审
发明人：吴传佳 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件依次包括衬底、多层半导体层、钝化层和贯穿钝化层的源极、栅极和漏极，钝化层包括第一钝化层以及至少一层其他钝化层；第一钝化层与多层半导体层产生第一应变相互作用，第一钝化层中形成第一切应力；其他钝化层与第一钝化层产生第二应变相互作用，第一钝化层中形成第三切应力；其中，第一切应力与第三切应力方向相反。通过在第一钝化层中形成方向相反的切应力，第三切应力至少中和部分第一切应力，降低第一钝化层与多层半导体层中的第一应变相互作用，降低第一应变相互作用对多层半导体层中二维电子气的影响，确保多层半导体层中的二维电子气受影响较小
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种太阳能电池的钝化层及其制备工艺-CN201410031420.6无效
发明人：罗伟;刘吉人;万资仁;唐维泰;余钦章;李文艳;李爱丽;潘若宏;张志红 -专利权人：通用光伏能源（烟台）有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的钝化层及其制备工艺，其特征是钝化层是由稀土氮化物构成。钝化层的制备工艺为当P型晶体硅完成沉积减反射膜工序后，先采用有机化学气相沉积方法（MOCVD）在P型晶体硅衬底的P型一侧沉积稀土氮化物钝化层，然后在同一腔室内，在稀土氮化物钝化层上沉积铝保护膜，完成钝化层的制备本发明因采用稀土氮化物制作晶硅电池的钝化层，晶格匹配良好，且具有场效应钝化和化学钝化的双重作用，所以钝化效果良好。稀土氮化物钝化层由MOCVD方法制备，获得的钝化层晶体结构完整，缺陷密度低，与晶硅衬底晶格匹配性好，保证了电池的钝化效果。
一种太阳能电池钝化及其制备工艺

[实用新型]一种太阳能电池及一种光伏组件-CN202123027490.9有效
发明人：王钊;杨洁;郑霈霆 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种太阳能电池及一种光伏组件，其中太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面及背面；正面钝化层，正面钝化层位于基底的正面；钝化接触结构，钝化接触结构贯穿正面钝化层的部分区域且与基底的正面形成接触；第一透明导电层，第一透明导电层覆盖正面钝化层表面及钝化接触结构表面；正面电极，正面电极位于第一透明导电层的表面，且与钝化接触结构相正对；背面钝化层，背面钝化层位于基底的背面；第二透明导电层，第二透明导电层位于背面钝化层远离基底的表面；背面电极，背面电极位于第二透明导电层的表面，本申请实施例至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
一种太阳能电池组件

[发明专利]一种电池背钝化结构及其制作方法、太阳能电池-CN202111056381.1在审
发明人：李红博;何胜;徐伟智;单伟 -专利权人：海宁正泰新能源科技有限公司;浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种电池背钝化结构制作方法，包括向镀膜设备中通入掺杂气体和第一反应气体，在硅片的背面沉积掺杂型钝化层；向镀膜设备中通入第二反应气体，在掺杂型钝化层远离硅片的表面直接或间接沉积内反射层。本申请的电池背钝化结构包括层叠在硅片背面的掺杂型钝化层和内反射层，钝化能力增强；本申请在沉积掺杂型钝化层时将掺杂气体和第一反应气体同时通入镀膜设备进行沉积得到的，避免采用先沉积处钝化层再以扩散或离子注入方式对钝化层进行掺杂，缩短制备时间，且避免扩散或离子注入对钝化层造成损伤；由于沉积的是掺杂型钝化层，钝化性能强，可以减薄掺杂型钝化层的厚度，缩短制备工艺时间，进而减少绕镀/背场舟印等不良。
一种电池钝化结构及其制作方法太阳能电池

[发明专利]在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法-CN201910427566.5有效
发明人：杨晓峰;胡绘钧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种在衬底材料的钝化层上形成三维图形结构的方法。该方法包括以下步骤：在衬底上制备钝化层；提供探针，所述探针位于所述钝化层上方；加热所述探针至能将所述钝化层汽化的温度，并将所述探针靠近所述钝化层；根据预定的三维图形在所述钝化层上方移动所述探针以将所述钝化层的一部分汽化，从而在所述钝化层上形成三维图形。根据本发明的方法，能够进行钝化层的无掩模图形化、高效快速、成本低、且工艺简化。
衬底材料钝化形成三维图形结构方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202010802312.X有效
发明人：韩瑞津;曾辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，将氢钝化工艺调整到第一钝化层上形成第二钝化层之后，图案化所述第二钝化层及所述第一钝化层之前，在进行氢钝化工艺时，顶层金属互联层被第一钝化层及第二钝化层覆盖，第一钝化层及第二钝化层可以在氢钝化工艺的升降温过程中充分抑制顶层金属互联层因热膨胀系数差导致应力失配进而引起的热应变，防止顶层金属互联层产生丘形缺陷，避免顶层金属互联层与封装引线的电连接不牢固，防止因丘形缺陷导致膜内空洞，避免顶层金属互联层与下方的导电过孔之间拉应力，最大限度地保证了互联结构的电阻完整性，提高了器件的成品率及可靠性
半导体器件制备方法

[发明专利]一种芯片的封装结构及其制备方法-CN202011532156.6在审
发明人：张文斌 -专利权人：厦门通富微电子有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片的封装结构及其制备方法，方法包括：提供承载片；在承载片沿其厚度方向的第一表面依次形成至少一层第一钝化层以及至少一层第二钝化层，第二钝化层与第一钝化层交替间隔设置；图形化第一钝化层以形成第一过孔，在第一过孔中形成金属层，每层金属层的厚度均大于其对应的第一钝化层的厚度；将高于第一钝化层的金属去除，使余留部分的金属层与其对应的第一钝化层齐平，获得各金属布线；图形化第二钝化层以形成第二过孔，各金属布线间通过第二过孔电连接；在最顶层的第二钝化层上形成金属凸块，金属凸块通过第二过孔与各金属布线电连接。本发明使金属布线与对应第一钝化层表面平整，提高第一钝化层精度，金属布线线宽最小可为1μm。
一种芯片封装结构及其制备方法

[发明专利]一种N-TOPCon电池及其制作方法-CN202210824556.7在审
发明人：范洵;付少剑;郁寅珑;张明明;何帅 -专利权人：上饶捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种N‑TOPCon电池，包括：N型硅基底；依次复合于所述N型硅基底正面的P+层、SiO2钝化层、AlOx钝化层、SiOx钝化层、SiOxNy钝化层、SiNx钝化层以及电极层；依次复合于所述N型硅基底背面的隧穿氧化层、非晶硅层、N+层、SiO2钝化层、AlOx钝化层、SiNx钝化层以及电极层。本发明采用沉积双面氧化铝钝化层，消除了单面氧化铝钝化层引起的绕镀问题；同时，正面氧化硅、氮氧化硅钝化层的引入，也提升了正面减反效果，增加对光的吸收，提升了TOPCon太阳能电池的品质。
一种 topcon 电池及其制作方法

[实用新型]太阳能电池-CN202221544492.7有效
发明人：金井升;廖光明;张临安 -专利权人：安徽晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池，其包括基底，基底的背面依次层叠设置有隧穿层、场钝化层、钝化功能层和阻挡层，钝化功能层用于释放氢原子，以使隧穿层、场钝化层和钝化功能层之间的配合界面钝化，阻挡层用于阻挡氢原子向空气中扩散；阻挡层的致密度大于钝化功能层的致密度。本申请提供的太阳能电池，使阻挡层位于钝化功能层背离基底的一侧，可阻挡氢原子向背离基底一侧的空气中扩散。其中，阻挡层的致密度大于钝化功能层的致密度，可以使阻挡层的中原子相对于钝化功能层中的原子更紧凑，更不利于氢原子在阻挡层中扩散，实现阻挡氢原子向空气扩散的目的。
太阳能电池

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111149716.4在审
发明人：陈宏;曹秀亮;刘张李;卓明川 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在所述的半导体器件的制造方法中，在形成钝化层之前，先形成覆盖金属层的侧壁的侧墙层，所述侧墙层可以保护金属层的侧壁，避免金属层的侧壁损伤，同时，所述侧墙层还可起到支撑所述金属层的作用，避免金属层在高温环境下发生倾斜。在形成侧墙层之后，形成钝化层，所述钝化层覆盖所述侧墙层、所述金属层的顶表面及所述衬底，由于所述金属层的侧壁上已形成有侧墙层，故在形成钝化层时，可按照金属层的顶表面所需的钝化层的厚度来形成钝化层，由此在形成钝化层以后，无需对钝化层进行减薄，金属层顶表面的钝化层的分布较为均匀，在刻蚀钝化层时，过刻蚀量较少，可避免等离子体损伤，提高器件的可靠性。
半导体器件及其制造方法