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[发明专利]裸片及其制作方法、芯片封装结构及其制作方法-CN202011540576.9在审
发明人：杨威源 -专利权人：矽磐微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供了一种裸片及其制作方法、以及芯片封装结构及其制作方法，裸片包括：铝焊垫、钝化层以及铜层；铝焊垫与钝化层位于裸片的活性面，钝化层具有第一开口，第一开口暴露铝焊垫的部分区域；铜层覆盖于铝焊垫的部分区域，铜层的边界与位于第一开口的边界的钝化层之间具有间距。在铝焊垫的部分区域上形成铜层，且铜层的边界与钝化层之间具有间距，使得铜层完全位于钝化层的开口内，相对于铜层部分区域位于钝化层上，可避免铜层与钝化层的结合性能差导致铜层从钝化层上剥离；第二方面，铜层能防止铝焊垫表面氧化，降低铝焊垫的电阻；第三方面，采用激光开孔法在塑封层内形成开孔时，铜层可避免激光能量过大击穿铝焊垫，从而提升封装结构的良率。
及其制作方法芯片封装结构

[发明专利]浅沟槽形成方法及浅沟槽结构-CN200710039251.0有效
发明人：何德飚;宋伟基 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种浅沟槽形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上顺序形成钝化层及辅助介质层；图形化所述辅助介质层；以图形化的所述辅助介质层为硬掩膜，刻蚀所述钝化层及部分所述半导体基底，以形成所述浅沟槽；或者，在所述半导体基底上顺序形成钝化层及辅助介质层后，图形化所述辅助介质层及所述钝化层；以图形化的所述辅助介质层及所述钝化层为硬掩膜，刻蚀部分所述半导体基底，以形成所述浅沟槽。以及，一种浅沟槽结构，包括浅沟槽、半导体基底、顺序形成于所述半导体基底上的钝化层及辅助介质层，所述浅沟槽贯穿所述辅助介质层、钝化层及部分所述半导体基底。可减少浅沟槽形成过程中钝化层表面损伤。
沟槽形成方法结构

[发明专利]制作集成电路的方法-CN201910538203.9在审
发明人：黄致凡;陈蕙祺;张国钦;陈殿豪;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：在一实施例中，制作集成电路的方法包括：形成钝化层于第一接点结构上；形成第二接点结构于钝化层上并穿过钝化层，以电性连接至第一接点结构；以及形成多层钝化结构于第二接点结构与钝化层上。形成多层钝化结构的步骤包括沉积第一氮化物层、沉积氧化物层于第一氮化物层上、以及沉积第二氮化物层于氧化物层上。
接点结构钝化层氮化物层钝化结构多层沉积集成电路半导体装置沉积氧化物电性连接氧化物层穿过制作

[发明专利]半导体装置和制作半导体装置的方法-CN201611122318.2在审
发明人：约翰内斯·J·T·M·唐克尔;雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯;杰伦·安东·克龙;马克·安杰伊·加赫达;简·雄斯基 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述装置包括基板，所述基板包括位于GaN层上的AlGaN层，用于在所述AlGaN层与所述GaN层之间的界面处形成二维电子气体。所述装置还包括位于所述基板的主表面上的多个电接点。所述装置另外包括位于所述基板的所述主表面上的多个钝化层。所述多个钝化层包括接触所述主表面的第一区域的第一钝化材料的第一钝化层和接触所述主表面的第二区域的第二钝化材料的第二钝化层。所述第一和第二钝化材料为不同钝化材料。所述不同钝化材料可为包括不同比例的硅的氮化硅的组合物。
半导体装置制作方法

[发明专利]一种电池的双面光电转换效率的控制方法-CN202011528103.7在审
发明人：杨金鑫;杨阳;刘恩华;刘燕;王丰彦;浦云龙;唐正海;谢凤兰 -专利权人：盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池的双面光电转换效率的控制方法，电池包括半导体层和位于半导体层正面的正面钝化膜层和背面的背面钝化膜层，该方法包括：确定参照关系曲线，其中参照关系曲线为钝化膜层的厚度与钝化膜层所在电池面的光电转换效率的关系曲线；根据预设最大背面光电转换效率范围和参照关系曲线，确定预设背面钝化厚度范围，其中预设背面钝化厚度范围为预设最大背面光电转换效率范围对应的背面钝化膜层的厚度范围；根据预设背面钝化厚度范围，形成背面钝化膜层
一种电池双面光电转换效率控制方法

[发明专利]半导体装置和制作半导体装置的方法-CN202210166947.4在审
发明人：约翰内斯·J·T·M·唐克尔;雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯;杰伦·安东·克龙;马克·安杰伊·加赫达;简·雄斯基 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述装置包括基板，所述基板包括位于GaN层上的AlGaN层，用于在所述AlGaN层与所述GaN层之间的界面处形成二维电子气体。所述装置还包括位于所述基板的主表面上的多个电接点。所述装置另外包括位于所述基板的所述主表面上的多个钝化层。所述多个钝化层包括接触所述主表面的第一区域的第一钝化材料的第一钝化层和接触所述主表面的第二区域的第二钝化材料的第二钝化层。所述第一和第二钝化材料为不同钝化材料。所述不同钝化材料可为包括不同比例的硅的氮化硅的组合物。
半导体装置制作方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110936471.3在审
发明人：穆克军 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括第一钝化层及叠层结构；叠层结构位于第一钝化层的上表面，包括由下至上依次叠置的第二钝化层及吸氢层；其中第二钝化层形成过程中产生氢元素，吸氢层吸附第二钝化层形成过程中和/或后续钝化热处理过程中产生的氢元素。本申请中的半导体结构通过吸氢层吸附第二钝化层形成过程中和/或后续钝化热处理过程中产生的氢元素，避免由于氢元素进入器件界面形成大量不稳定的共价键，而导致的负偏压温度不稳定问题，提高半导体结构性能的稳定性和可靠性
半导体结构及其制备方法

[发明专利]包括具有不平坦表面的钝化层的显示装置-CN201710856635.5有效
发明人：金镇亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：公开了一种包括具有不平坦表面的钝化层的显示装置。所述显示装置包括基底、晶体管、焊盘部分、钝化层和像素限定层。基底包括显示区域和设置在显示区域的边缘处的外围区域。晶体管设置在显示区域上。钝化层设置在晶体管上。像素限定层设置在钝化层上。钝化层的一部分延伸到外围区域。钝化层的设置在显示区域上的部分的上表面是基本上平坦的。钝化层的设置在外围区域处的部分的上表面具有不平坦结构。像素限定层覆盖钝化层的设置在外围区域上的部分。
包括具有平坦表面钝化显示装置

[实用新型]太阳能电池-CN202022588936.4有效
发明人：杨慧;李硕;李兵;邓伟伟;蒋方丹 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池，包括硅基底、设置在所述硅基底背面的背面隧穿层、背面钝化层与金属电极，所述背面钝化层包括沿第一方向依次交替排布且相互间隔的第一钝化层与第二钝化层，所述金属电极包括设置在第一钝化层上的第一电极、设置在第二钝化层上的第二电极；所述太阳能电池还包括依次层叠设置在所述硅基底侧面的侧面隧穿层与侧面钝化层。本申请太阳能电池通过在所述硅基底的侧边设置相应的隧穿层与钝化层，能够减小边缘位置的复合损失，提高开路电压及电池效率；实际制程中也无需进行边缘蚀刻，工艺更为简洁，方便实施。
太阳能电池

[发明专利]具有钝化层的薄膜体声波谐振器及制备方法-CN202110449910.8在审
发明人：高安明;姜伟 -专利权人：浙江信唐智芯科技有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有钝化层的薄膜体声波谐振器及制备方法，包括衬底、压电层、底部电极、顶部电极、第一钝化层以及第二钝化层；压电层设置在衬底的上方，所述压电层与衬底之间设置有空气腔，底部电极设置在压电层和衬底之间，顶部电极设置在压电层的上方；第一钝化层将顶部电极和压电层完全覆盖，第二钝化层位于第一钝化层的上方并将其完全覆盖。采用空气腔，在衬底和谐振器震荡区域之间形成金属和空气的交界面，有助于将声波限制在震荡堆内，提高了谐振器的机械强度；通过第一钝化层和第二钝化层配合，可以有效地隔离谐振器与外界环境，降低谐振器的温度漂移系数，并可以通过削整第二钝化层厚度灵敏地调整谐振器的谐振频率。
具有钝化薄膜声波谐振器制备方法

[发明专利]实现打线封装的结构及其制作方法-CN200910083426.7有效
发明人：江卢山;梅娜;章国伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-05-04 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现打线封装结构的制作方法，应用于重布线焊垫RDLpad制作工序中，该方法包括：在钝化层上形成第一再钝化层；图案化所述第一再钝化层，在需要做RDL pad的位置作开口，露出钝化层；在所述露出的钝化层上形成RDL pad；在所述图案化的第一再钝化层及RDL pad上形成第二再钝化层。采用该结构及其制作方法，由于RDL pad下面直接接触的钝化层的支撑，所以能够较容易地实现后续的打线封装。
实现封装结构及其制作方法

[发明专利]扇出晶圆级封装-CN201610189227.4有效
发明人：罗翊仁 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种扇出晶圆级封装，包含有一重分布层；一被动器件，设在重分布层的第一金属层中；一第一钝化层，覆盖重分布层的上表面；一第二钝化层覆盖重分布层的下表面；一晶粒安装在第一钝化层上，晶粒包含一接点；一模塑料，设在晶粒周围及第一钝化层上；一导孔，贯穿第一钝化层、重分布层的介电层及第二钝化层，暴露出接点；一接触洞，设在第二钝化层中，暴露出被动器件的电极；以及一第二金属层，设在导孔及接触洞中，电连接被动器件的电极至晶粒的接点
扇出晶圆级封装

[发明专利]一种PID抗性高的PERC电池组件及其制备方法-CN201910811785.3在审
发明人：王岚;李忠涌;张忠文;谢毅 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种PID抗性高的PERC电池组件及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，本发明包括衬底层，衬底层顶面从下到上依次设置有扩散层、SiOx正钝化层和SixNy正减反钝化保护膜层，衬底层底面从上到下依次设置有SiOx背钝化层、AlOx背钝化膜层和SixNy背减反钝化保护膜层，其特征在于，SixNy正减反钝化保护膜层的厚度为75‑95nm，其折射率为2.08‑2.13，SixNy背减反钝化保护膜层的厚度为90‑160nm，SixNy背减反钝化保护膜层的膜层数量为至少2层，且距离衬底层最近一层的折射率≥2.1，AlOx背钝化膜层的厚度为2‑28nm，AlOx背钝化膜层的折射率为1.56‑1.76，本发明通过优化电池组件排布及各层组件厚度和折射率
钝化保护膜衬底层折射率钝化膜层电池组件依次设置钝化层太阳能电池技术优化制备工艺从上到下扩散层抗性底面顶面膜层排布制备电池优化

[实用新型]一种PID抗性高的PERC电池组件-CN201921425932.5有效
发明人：王岚;李忠涌;张忠文;谢毅 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PID抗性高的PERC电池组件，涉及太阳能电池技术领域，本实用新型包括衬底层，衬底层顶面从下到上依次设置有扩散层、SiOx正钝化层和SixNy正减反钝化保护膜层，衬底层底面从上到下依次设置有SiOx背钝化层、AlOx背钝化膜层和SixNy背减反钝化保护膜层，其特征在于，SixNy正减反钝化保护膜层的厚度为75‑95nm，其折射率为2.08‑2.13，SixNy背减反钝化保护膜层的厚度为90‑160nm，SixNy背减反钝化保护膜层的膜层数量为至少2层，且距离衬底层最近一层的折射率≥2.1，AlOx背钝化膜层的厚度为2‑28nm，AlOx背钝化膜层的折射率为1.56‑1.76，本实用新型通过优化电池组件排布及各层组件厚度和折射率
一种 pid 抗性 perc 电池组件

[发明专利]一种多晶硅太阳电池的背场钝化工艺-CN201711067434.3在审
发明人：林宝剑;谢毅;唐亮;程寅亮;关振华 -专利权人：通威太阳能（安徽）有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅太阳电池的背场钝化工艺，包括以下步骤S1、背场初级钝化在太阳电池的背面沉积带有开孔的第一钝化膜层，第一钝化膜层为SiNx薄膜，在开孔内印刷内负电极；S2、镀过渡膜层在第一钝化膜层上沉积内铝层；S3、背场次级钝化在内铝层上依次沉积有第二钝化膜层和外铝层，所述第二钝化膜层为氧化铈薄膜；S4、负电极焊接在外铝层上焊接有外负电极。本发明的背场钝化工艺相比现有的钝化接触工艺与钝化局部开孔接触工艺，太阳电池转换效率得到了很高的提升，而且开路电压和短路电流均得到了很好的优化提高，对生产出的太阳电池质量起到一个非常有效的提高，值得广泛推广
一种多晶太阳电池钝化工艺