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[发明专利]一种冶金零件磁力抛光机-CN202310780808.5有效
发明人： 陈能国 -专利权人：苏州磐宇科技发展有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种冶金零件磁力抛光机，包括抛光桶，抛光桶上设置有：进液组件，其包括固定安装于抛光桶上的第一管道和第二管道；排液组件，其包括多个用于封堵抛光桶上排水孔的封板；控制组件，其包括多个分别用于控制进液组件和排液组件的按钮；互锁组件，其包括与多个按钮一一对应的锁块，其中一个按钮移动以驱使多个锁块移动，并将其余按钮锁止。该发明提供的冶金零件磁力抛光机，在利用磁力抛光机对零件进行抛光工作时，先将适量的磁针和零件放置在抛光桶中，此时按下按钮，第一管道和第二管道同步打开，向抛光桶中按比例通入研磨液和清水，打开磁力抛光机，磁力抛光机产生超强磁场，带动磁针移动，磁针与零件碰撞，打磨零件表面。
一种冶金零件磁力抛光机

[实用新型]一种钻孔灌注桩施工的超前护壁装置-CN202022148335.1有效
发明人：刘东轩;汪阳;龚庆中;陈能国;张申坤;刘伟宗;张效荣;王骄骄 -专利权人：深圳市盛业地下工程有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： E02D5/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及建筑基础工程施工领域，尤其涉及一种钻孔灌注桩施工的超前护壁装置，在桩孔内安装护筒底管，并在护筒底管的外侧套接外套筒，在外套筒处设置搓管机，在护筒底管上安装中间护筒、第二护筒、第一护筒及液压冲击锤，通过液压冲击锤的冲击以及搓管机的转动，将钢护筒打入桩内，本实用新型具备以下有益效果：提高了钻井的速度和效率，成井速度是普通套管旋挖法的2‑3倍；施工设备噪声小、掏出来的是干渣土便于弃渣，有利于环保；充分发挥了各种机械的长处和优势；在资源紧缺的今天，挖出来的砂卵石还可以通过筛分处理后再利用，如果是泥浆渣土，连弃渣场都不收，需另行处理才行；此套钻井设备适用面广，适合各种地质条件的钻进打井。
一种钻孔灌注施工超前护壁装置

[发明专利]一种钻孔灌注桩施工的超前护壁装置及施工方法-CN202011027016.3在审
发明人：刘东轩;赵鑫鑫;张申坤;陈能国;黄益家;张效荣;汪阳;王骄骄 -专利权人：深圳市盛业地下工程有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： E02D5/38 文献下载
摘要：本发明涉及建筑基础工程施工领域，尤其涉及一种钻孔灌注桩施工的超前护壁装置及施工方法，在桩孔内安装护筒底管，并在护筒底管的外侧套接外套筒，在外套筒处设置搓管机，在护筒底管上安装中间护筒、第二护筒、第一护筒及液压冲击锤，通过液压冲击锤的冲击以及搓管机的转动，将钢护筒打入桩内，本发明具备以下有益效果：提高了钻井的速度和效率，成井速度是普通套管旋挖法的2‑3倍；施工设备噪声小、掏出来的是干渣土便于弃渣，有利于环保；充分发挥了各种机械的长处和优势；在资源紧缺的今天，挖出来的砂卵石还可以通过筛分处理后再利用，如果是泥浆渣土，连弃渣场都不收，需另行处理才行；此套钻井设备适用面广，适合各种地质条件的钻进打井。
一种钻孔灌注施工超前护壁装置方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410186381.7有效
发明人： 陈能国;曾国华;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有鳍状体的半导体装置的制造方法，首先于基板上形成一图案化屏蔽，然后于基板内形成凹槽，并于凹槽中填入介电材料，之后将图案化屏蔽移除，并以一种或多种蚀刻工艺来内凹介电材料，其中前述蚀刻工艺的至少其中之一是用以移除沿着凹槽边墙所形成的围栏或防止前述围栏的形成。前述蚀刻工艺可为例如采用NH3与NF3的等离子蚀刻工艺、采用富高分子气体的蚀刻工艺或氢气蚀刻工艺。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于多层结构的层间连接件-CN201410431597.5有效
发明人：林以唐;万幸仁;陈能国 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-28 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供了用于制造半导体器件结构的系统和方法。一种示例性半导体器件结构包括第一器件层、第二器件层和层间连接结构。第一器件层包括第一导电层和在第一导电层上形成的第一介电层，第一器件层形成在衬底上。第二器件层包括第二导电层，第二器件层形成在第一器件层上。层间连接结构包括一种或多种导电材料并且配置为电连接至第一导电层和第二导电层，层间连接结构穿过至少部分第一介电层。第一导电层配置为电连接至第一器件层内的第一半导体器件的第一电极结构。本发明还涉及用于多层结构的层间连接件。
用于多层结构连接

[发明专利]FinFET的鳍结构-CN201310105433.9有效
发明人：黄俊程;蒋青宏;陈能国;孙诗平;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种设置在衬底上方的FinFET的新型鳍结构和形成鳍结构的方法。鳍结构包括台面、设置在台面上方的沟道以及设置在沟道和台面之间的凸形部件。台面具有第一半导体材料，而沟道具有不同于第一半导体材料的第二半导体材料。凸形部件为阶梯形、台阶形或梯形。凸形部件包括设置在沟道和台面之间的第一隔离部件以及设置在沟道和第一隔离部件之间的第二隔离部件。第一隔离部件是U形的，并且第二隔离部件是矩形的。第二隔离部件的一部分被沟道包围，并且第二隔离部件的另一部分被第一隔离部件包围。
finfet 新型结构

[发明专利]制造FinFET器件的方法-CN201310150962.0有效
发明人：孙诗平;王菘豊;林经祥;陈能国;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明首先通过接收FinFET前体来制造FinFET器件。FinFET前体包括衬底，位于衬底上的鳍，位于鳍的两侧上的隔离区和位于衬底上的伪栅极堆叠件，该伪栅极堆叠件包括环绕鳍的一部分，这被称为栅极沟道区。去除伪栅极堆叠件以形成栅极沟槽并且在栅极沟槽中沉积栅极介电层。在栅极介电层上共形的沉积金属应激层(MSL)。在MSL上沉积覆盖层。对MSL施加热处理以实现体积膨胀。然后去除覆盖层并且在MSL上形成金属栅极(MG)。
制造 finfet 器件方法

[发明专利]场效应晶体管的栅电极-CN201210468202.X有效
发明人： 陈能国;万幸仁;林奕安;张骏伟;孙诗平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻间隔件且进一步包括在S/D区上方延伸的部分，其中，该部分的第二顶面与第一顶面基本共面。
场效应晶体管电极

[发明专利]鳍式场效应晶体管栅极氧化物-CN201210206726.1有效
发明人：黄俊程;陈能国;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管栅极氧化物。本公开提供了用于制造半导体器件的方法以及这种器件。一种方法包括：提供包括至少两个隔离部件的衬底；在衬底的上方以及至少两个隔离部件之间形成鳍型衬底；在鳍型衬底的上方形成硅衬垫；以及氧化硅衬垫以在鳍型衬底的上方形成氧化硅衬垫。
场效应晶体管栅极氧化物

[发明专利]半导体平坦化中降低非均匀性-CN201110271864.3有效
发明人： 陈能国;许俊豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：提供了一种平坦化半导体器件的方法。所述方法包括提供基板。所述方法包括在所述基板上形成第一层。所述方法包括在所述第一层上形成第二层。所述第一和第二层具有不同的材料组分。所述方法包括在所述第二层上形成第三层。所述方法包括在所述第三层上实施抛光工艺直到基本除去所述第三层。所述方法包括实施回蚀刻工艺以除去所述第二层和所述第一层的一部分。其中关于所述第一和第二层的回蚀刻工艺的蚀刻选择性大约为1∶1。
半导体平坦降低均匀

[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法-CN201010221421.9有效
发明人： 陈能国;曾国华;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明一实施例提供一种形成浅沟槽隔离结构的方法，该方法包括：提供一基底，基底包括一顶部表面，形成一沟槽，从顶部表面延伸入基底中，其中沟槽具有一侧壁和一底部表面，形成一衬氧化层于侧壁和底部表面，于一等离子体环境中处理衬氧化层，等离子体环境包括NF3、F2和BF2的至少一个，及于沟槽中填入一介电材料。本发明提供的方法可以改善基底上的元件的击穿电压。
形成沟槽隔离结构方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN201010131800.9有效
发明人： 陈能国;蔡正原;曾国华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，该方法包括以下步骤：提供一具有上表面的半导体基材；形成一开口，从半导体基材的上表面延伸至半导体基材中；进行一第一沉积步骤，以将一第一介电材料填充至开口中；凹陷第一介电材料；进行一第二沉积步骤，以将一第二介电材料填充至开口的一剩余部分，其中第二介电材料较第一介电材料致密；以及凹陷第二介电材料，直到第二介电材料的上表面低于半导体基材的上表面。本发明的半导体鳍大体上不包括围墙，大于约11.0深宽比的浅沟槽隔离区域可与半导体鳍一起形成。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201010129165.0有效
发明人：叶通迪;陈志明;喻中一;蔡正原;陈能国;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-02-20 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供一相变存储器及其制造方法。此相变存储器包含一层相变材料，此相变材料经过增加疏水性的处理。此相变材料的疏水性改善了相变材料与位于相变材料上的一掩膜层之间的附着力。此相变材料可以例如用一包含氮、氨、氩、氦、氧、氢或相似气体的等离子体来处理。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201010003888.6无效
发明人： 陈能国;曾国华;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有鳍状体的半导体装置的制造方法，首先于基板上形成一图案化屏蔽，然后于基板内形成凹槽，并于凹槽中填入介电材料，之后将图案化屏蔽移除，并以一种或多种蚀刻工艺来内凹介电材料，其中前述蚀刻工艺的至少其中之一是用以移除沿着凹槽边墙所形成的围栏或防止前述围栏的形成。前述蚀刻工艺可为例如采用NH3与NF3的等离子蚀刻工艺、采用富高分子气体的蚀刻工艺或氢气蚀刻工艺。
半导体装置制造方法

[发明专利]在小间距器件制造中减少分层的方法-CN200910136625.X有效
发明人：赖志育;吴政达;陈能国;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-05-08 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种在小间距器件制造中减少分层的方法。一种形成集成电路结构的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层；构图所述第二硬掩膜层以形成硬掩膜；以及，在构图第二硬掩膜层之后，烘焙所述衬底、所述第一硬掩膜层和所述硬掩膜。在所述烘焙步骤之后，形成间隔层，它包括在所述硬掩膜顶部上的第一部分，和在所述硬掩膜的相对的侧壁上的第二部分和第三部分。所述方法还包括移除所述间隔层的所述第一部分；移除所述硬掩膜；以及使用所述间隔层的所述第二部分和所述第三部分作为掩膜来构图所述第一硬掩膜层。
间距器件制造减少分层方法

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