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[发明专利]使用基于事件的视觉传感器进行低功率始终接通脸部检测、跟踪、辨识及/或分析-CN201580052384.4在审
发明人： 叶夫根尼·古塞夫;阿洛克·戈维尔;亚切克·马伊坦;纳尔逊·拉斯奎因哈;文卡特·兰加 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本文中所揭示的技术利用出于检测、跟踪、辨识及/或分析专用相机的视野中的主体、对象及场景的目的而将所述相机与专用计算机视觉CV计算硬件及专用低功率微处理器整合在一起的视觉传感器。所述视觉传感器使用所述所包含的低功率微处理器来处理从所述相机检索的信息且仅在需要时或如由应用程序所定义及配置发送用于主处理器的“事件”(或已发生一或多个参考情况的指示，及可能相关联数据)。此允许通用微处理器(其通常为相对高速且高功率以支持各种应用程序)如常规大部分时间保持处于低功率(例如，睡眠模式)，而仅在从所述视觉传感器接收事件时才变成作用中的。
使用基于事件视觉传感器进行功率始终接通脸部检测跟踪辨识分析

[发明专利]具有宽带特性的干涉式光学显示系统-CN201210242068.1无效
发明人： 叶夫根尼·古塞夫;徐刚;马雷克·米恩克 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明为具有宽带特性的干涉式光学显示系统，可通过并入具有低于光波长在干涉式调制器的操作光学范围内的阈值的消光系数(k)的材料在MEMS显示装置中实现宽带白色。一个实施例提供一种制造所述MEMS显示装置的方法，所述方法包含：在透明衬底(20)的至少一部分上沉积所述材料(23)，在所述材料层上沉积介电层(24)，在所述介电质上形成牺牲层，在所述牺牲层上沉积导电层(14)，以及通过移除所述牺牲层的至少一部分而形成空腔(19)。合适的材料可包含锗、具有各种组分的锗合金、经掺杂锗或含经掺杂锗的合金，且可沉积在所述透明衬底上，并入在所述透明衬底或所述介电层内。
具有宽带特性干涉光学显示系统

[发明专利]两端子可变电容微机电系统装置-CN201080057458.0无效
发明人：蓝吉雄;叶夫根尼·古塞夫;埃内斯特·塔达西·奥萨基 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01G5/16 文献下载
摘要：本发明描述一种两端子可变电容装置，其是通过并联连接具有不同致动或“吸合”电压的多个MEMS装置而建构。
端子可变电容微机系统装置

[发明专利]具有干燥剂的显示装置-CN201080007406.2无效
发明人：邦戈洛·R·纳塔拉詹;叶夫根尼·古塞夫;克里斯托弗尔·A·莱弗里 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2010-01-27 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供用于提供具有集成式干燥剂的MEMS装置的系统和方法。在一个实施例中，包含干燥剂的干燥组合物被冲击喷射到MEMS装置的背板或衬底上，且变得与所述衬底熔合。在另一实施例中，所述干燥剂被冲击喷射，以使得所述干燥剂粘附到被冲击喷射的表面。在又一实施例中，所述被冲击喷射的表面充满所述干燥剂。在再另一实施例中，所述干燥剂与合适的无机粘合剂组合，接着被冲击喷射，以使得所述干燥剂粘附到被冲击喷射的表面。在又进一步的实施例中，所述干燥剂经微粉化或粉化成所要颗粒大小的粉末，且接着被冲击喷射到表面上。因此，所述干燥剂颗粒或粉末经由冲击喷射工艺而熔合到目标表面上。
具有干燥剂显示装置

[发明专利]具有可编程偏移电压控制的电容性微机电系统装置-CN200880115790.0无效
发明人：丹尼尔·费诺费尔;叶夫根尼·古塞夫 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：一种电容性MEMS装置经形成而具有电极(712、714)之间的截留和保持电荷的材料(722)。所述材料可以若干种配置实现。其可为具有不同带隙能量或带能量级的区的多层电介质堆叠。所述电介质材料可自身具有截留性质，即当在所述材料中预先制造缺陷或截留部位时。另一配置涉及具有所述电介质层的禁隙中的能量级的薄传导材料层。可通过有利地利用所述材料(722)中的电荷存储的方法来对所述装置进行编程(即，偏移和阈值电压预设)，其中干涉式调制器(12a、12b)以使滞后曲线移位的方式预充电，且所述调制器的激活电压阈值显著降低。在编程阶段期间，所述电极(712、714)与所述材料(722)之间的电荷转移可通过将电压施加到所述电极(712、714)(即，在所述材料上施加电场)或通过能量势垒上的UV照射或电荷的注入来执行。所述干涉式调制器(12a、12b)可接着以显著较低的激活电压被保持在激活状态，借此节省功率。
具有可编程偏移电压控制电容微机系统装置

[发明专利]用于微机电系统生产的蚀刻工艺-CN200880106707.3无效
发明人：颜小明;足·霍;戴维·希尔德;叶夫根尼·古塞夫;本杰明·W·赫茨勒;菲利普·弗洛耶;佐川照夫;安娜·隆代甘;约恩·比塔;托德·齐翁 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2008-09-11 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种制造机电装置的方法，所述方法包括以包括例如二氟化氙(XeF2)等稀有气体氟化物的蚀刻剂来蚀刻牺牲层的步骤。可以各种方式来增加蚀刻工艺的效率，且可降低蚀刻工艺的成本。在所述蚀刻工艺期间可隔离及再循环未使用的蚀刻剂。在所述蚀刻工艺期间，可收集蚀刻副产物并从蚀刻系统中移除所述蚀刻副产物。可隔离所述蚀刻剂的组分并将其用于一般额外蚀刻剂。还可针对特定蚀刻工艺将所述蚀刻剂或所蚀刻的层中的任一者或两者优化。
用于微机系统生产蚀刻工艺

[发明专利]通过牺牲层中的界面修改来消除释放蚀刻侵蚀-CN200880010748.2无效
发明人：涂桑佳;罗棋;杨家伟;戴维·希尔德;叶夫根尼·古塞夫;姜志伟 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明描述制造微机电系统(MEMS)装置的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在衬底上形成牺牲层；处理所述牺牲层的至少一部分以形成经处理的牺牲部分；在所述经处理的牺牲部分的至少一部分上形成上覆层；以及至少部分地移除所述经处理的牺牲部分以形成位于所述衬底与所述上覆层之间的腔，所述上覆层暴露于所述腔。
通过牺牲中的界面修改消除释放蚀刻侵蚀

[发明专利]微机电系统腔涂层及方法-CN200880008750.6有效
发明人：安娜·R·隆德尔甘;班加洛尔·R·纳塔拉鲁;叶夫根尼·古塞夫;詹姆斯·兰道夫·韦伯斯特;戴维·希尔德 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供包含MEMS装置(例如干涉式调制器)的装置、方法及系统，所述MEMS装置包含其中一层涂布多个表面的腔。所述层是保形或非保形的。在一些实施例中，所述层通过原子层沉积(ALD)形成。所述层优选包含介电材料。在一些实施例中，所述MEMS装置还展现出改进的特性，例如移动电极之间的改进的电绝缘性、减少的静摩擦及/或改进的机械性质。
微机系统涂层方法

[发明专利]具有宽带特性的干涉式光学显示系统-CN200780012868.1无效
发明人： 叶夫根尼·古塞夫;徐刚;马雷克·米恩克 -专利权人：高通MEMS科技公司
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：可通过并入具有低于光波长在干涉式调制器的操作光学范围内的阈值的消光系数(k)的材料在MEMS显示装置中实现宽带白色。一个实施例提供一种制造所述MEMS显示装置的方法，所述方法包含：在透明衬底(20)的至少一部分上沉积所述材料(23)，在所述材料层上沉积介电层(24)，在所述介电质上形成牺牲层，在所述牺牲层上沉积导电层(14)，以及通过移除所述牺牲层的至少一部分而形成空腔(19)。合适的材料可包含锗、具有各种组分的锗合金、经掺杂锗或含经掺杂锗的合金，且可沉积在所述透明衬底上，并入在所述透明衬底或所述介电层内。
具有宽带特性干涉光学显示系统

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