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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于人工神经网络中的存储位的系统和方法-CN202310128574.6在审
发明人： S·M·阿拉姆;D·豪萨梅丁;S·阿加瓦尔 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本公开涉及用于人工神经网络中的存储位的系统和方法。本公开尤其针对一种装置，所述装置包括：输入电路；权重运算电路，所述权重运算电路电连接到所述输入电路；偏差运算电路，所述偏差运算电路电连接到所述权重运算电路；存储电路，所述存储电路电连接到所述权重运算电路和所述偏差运算电路；以及激活函数电路，所述激活函数电路电连接到所述偏差运算电路，其中至少所述权重运算电路、所述偏差运算电路和所述存储电路位于同一个芯片上。
用于人工神经网络中的存储系统方法

[发明专利]低电阻MTJ反熔丝电路设计以及操作方法-CN202211051558.3在审
发明人： S·M·阿拉姆 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开涉及低电阻MTJ反熔丝电路设计以及操作方法。本公开尤其针对反熔丝电路。所述反熔丝电路包括多个反熔丝位单元和参考电阻器。每个反熔丝位单元包括两个或更多个存储器位和参考电阻器。所述两个或更多个存储器位被配置为处于已编程状态和至少一种未编程状态。
电阻 mtj 反熔丝电路设计以及操作方法

[发明专利]磁阻设备及其方法-CN202310618003.0在审
发明人： S·阿加瓦尔;S·A·德施潘得;J·斯劳特 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本公开涉及磁阻设备及其方法。在一个方面，一种方法可以包括在基板(90)上形成磁阻堆叠(100)的一个或多个区域(10,20,30……)，其中基板包括至少一个电子设备。该方法还可以包括对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退火工艺，其中该唯一退火工艺在第一最低温度下执行。在执行唯一退火工艺之后，该方法可以包括对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻。而且，在构图或蚀刻磁阻堆叠的所述一部分的步骤之后，该方法可以包括在低于第一最低温度的第二温度下对基板执行所有附加处理。
磁阻设备及其方法

[发明专利]磁阻装置及其方法-CN202310141439.5在审
发明人： S·埃奇加瓦;孙吉军;M·阿罗拉 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本公开涉及磁阻装置及其方法。磁阻堆叠可包括第一导电材料、具有固定磁性状态的固定区域、配置为具有第一磁性状态和第二磁性状态的自由区域、设置在固定区域和自由区域之间的电介质层、间隔物区域以及设置在间隔物区域和自由区域之间的帽盖层。所述自由区域可包括铁磁材料层、插入层、iPMA层和/或低饱和磁化层。
磁阻装置及其方法

[发明专利]非易失性逻辑和安全电路-CN201910301491.6有效
发明人： T·安德烈 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：在一些示例中，非易失性存储元件可被配置成在电路的低电力或断电时间段期间存储状态或值。例如，非易失性存储元件可包括电阻性元件的桥，该桥具有可通过向多个驱动路径施加电压而配置的电阻状态。感测放大器可连接到桥，以将与桥关联的电压差分解析到电源或地，从而确定与非易失性存储元件关联的状态。
非易失性逻辑安全电路

[发明专利]存储器中的延迟回写-CN201780033613.7有效
发明人： T·安德烈;S·M·阿拉姆;C·苏博拉玛尼安;J·S·巴尔卡图拉 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2017-01-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：具有对与先前打开的页对应的数据的到阵列的延迟回写的存储器允许避免与回写操作相关联的延迟。在初始激活打开第一页并且对该页的读取/写入操作完成之后，将打开的页回写到存储器单元的阵列被延迟直到完成打开新页的后续激活操作之后。还公开了在没有另一个激活操作的情况下强制回写的技术。
存储器中的延迟

[发明专利]具有校准支持的存储器中的延迟回写-CN201880033858.4有效
发明人： S·M·阿拉姆 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：具有对与先前打开的页对应的数据的到阵列的延迟回写的存储器允许避免与回写操作相关联的延迟。在初始激活打开第一页并且对该页的读取/写入操作完成之后，将打开的页回写到存储器单元的阵列被延迟直到完成打开新页的后续激活操作之后。还公开了在没有另一个激活操作的情况下强制回写的技术。还支持校准和测试序列，其中非破坏性模式保留存储在非易失性存储器阵列中的数据，并且用于指示打开的页的状态位被清除，因此之后的由于校准或测试的无意的延迟回写操作不会损坏非易失性数据。
具有校准支持存储器中的延迟

[发明专利]用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法-CN201910403978.5有效
发明人：林文钦;J·简斯基 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：公开了用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法。一种结构包括：衬底；设置在衬底上的底屏蔽件；具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的磁电阻半导体器件，磁电阻半导体器件的第一表面设置在底屏蔽件上；设置在磁电阻半导体器件的第二表面上的顶屏蔽件；以及将磁电阻半导体器件连接到多个导电元件的多个互连，其中顶屏蔽件具有用于接入所述磁电阻半导体器件的窗口。
用于屏蔽敏感组件结构方法

[发明专利]磁阻设备及其方法-CN201780075606.3有效
发明人： S·阿加瓦尔;S·A·德施潘得;J·斯劳特 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本公开针对制造磁阻设备的示例性方法。在一个方面，一种方法可以包括在基板(90)上形成磁阻堆叠(100)的一个或多个区域(10,20,30……)，其中基板包括至少一个电子设备。该方法还可以包括对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退火工艺，其中该唯一退火工艺在第一最低温度下执行。在执行唯一退火工艺之后，该方法可以包括对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻。而且，在构图或蚀刻磁阻堆叠的所述一部分的步骤之后，该方法可以包括在低于第一最低温度的第二温度下对基板执行所有附加处理。
磁阻设备及其方法

[发明专利]用于存储器中的双备用模式的系统和方法-CN202211397756.5在审
发明人： S·M·阿拉姆 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开尤其涉及一种用于使用双备用模式访问存储器的方法，所述方法包括：接收从第一备用模式或第二备用模式中选择第一备用模式的第一备用模式指示；基于所述第一备用模式，配置读取偏置系统以提供读取偏置电压并配置写入偏置系统以提供大约零电压或在用于写入操作的所需范围之外的任何电压；接收选择所述第二备用模式的第二备用模式指示；以及基于所述第二备用模式，配置所述读取偏置系统以提供至少所述读取偏置电压并配置所述写入偏置系统以提供写入偏置电压，所述读取偏置电压低于所述写入偏置电压。
用于存储器中的备用模式系统方法

[发明专利]用值对配置位进行配置的系统和方法-CN202210391195.1在审
发明人： D·霍萨梅德丁;S·M·阿拉姆;S·阿加瓦尔 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本公开涉及用值对配置位进行配置的系统和方法。尤其涉及一种配置位，所述配置位包括至少四个电阻元件和电压放大器。至少两个第一电阻元件可以经由第一电极串联地电连接并且至少两个第二电阻元件可以经由第二电极串联地电连接。所述至少两个第一电阻元件可以经由第三电极和第四电极与所述至少两个第二电阻元件并联地电连接。所述第一电极和所述第二电极可以电连接到电压源。所述第三电极和所述第四电极可以电连接到所述电压放大器的输入端。
配置进行系统方法

[发明专利]磁阻装置及其方法-CN202180021541.0在审
发明人：希蒙 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：磁阻装置的磁阻叠层或结构包括一个或多个电极或导电线、磁性固定区域、设置在电极或导电线之间的磁性自由区域、以及设置在自由区域和固定区域之间的介电层。磁阻装置还可以包括接近自由区域的至少一部分的自旋霍尔(SH)材料，以及包括反铁磁材料的一个或多个插入层。
磁阻装置及其方法

[发明专利]一种磁传感器-CN201910883968.6有效
发明人： B·N·恩格尔;P·G·马瑟 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁传感器。所公开的实施例涉及实现斩波技术和相关结构来抵消隧穿磁阻(TMR)场传感器中的磁1/f噪声作用。TMR场传感器包括：第一桥电路，其包括用于感测磁场的多个TMR元件；以及第二电路，其用于向各TMR元件施加双极电流脉冲。电流线连续地或顺序连接到场源，以接收双极电流脉冲。场传感器具有包括响应于双极脉冲的高输出和低输出的输出。此不对称响应允许进行场传感器中的1/f噪声减小的斩波技术。
一种传感器

[发明专利]具有晶种区域的磁阻堆叠及其制造方法-CN201980075580.1在审
发明人：孙吉军;S·阿加瓦尔;H-J·查;J·M·斯劳特;R·韦格 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：磁阻堆叠/结构及其制造方法，包括其中堆叠/结构包括晶种区域、布置在晶种区域上并与之接触的固定磁性区域、布置在固定磁性区域上的(一个或多个)介电层以及布置在(一个或多个)介电层上的自由磁性区域。在一个实施例中，晶种区域包括包含镍和铬的合金，该合金具有(i)大于或等于(+/‑10％)且小于或等于(+/‑10％)的厚度，并且(ii)铬的材料组成或含量在25‑60原子百分比(+/‑10％)或30‑50原子百分比(+/‑10％)的范围内。
具有区域磁阻堆叠及其制造方法

[发明专利]具有增加的SNR的磁场传感器-CN202110059778.X在审
发明人： P·G·马瑟;A·莫汗 -专利权人： 艾沃思宾技术公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及具有增加的SNR的磁场传感器。公开了用于改进磁场传感器的信噪比(SNR)的各种手段，用于低功率和高分辨率磁感测。这种改进可以通过减少寄生效应、增加感测元件封装密度、交错Z轴布局以减少消减效应、以及优化Z轴感测元件与磁通引导器之间的对准等来完成。
具有增加 snr 磁场传感器

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