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[发明专利]满足线边缘粗糙度及其他集成目的的等离子体处理方法-CN201780013040.1有效
发明人：文·梁;阿基特若·高 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供了一种使用集成方案来使基板上的层图案化的方法，该方法包括：布置具有结构图案层、中性层以及底层的基板，结构图案层包括第一材料和第二材料；使用第一工艺气体混合物来执行第一处理工艺以形成第一图案，第一工艺气体包括CxHyFz和氩气的混合物；使用第二工艺气体混合物来执行第二处理工艺以形成第二图案，第二工艺气体包括低含氧气体和氩气的混合物；并行控制集成方案的选择的两个或更多个操作变量以便实现目标集成目的。
满足边缘粗糙其他集成目的等离子体处理方法

[发明专利]在集成方案的各个阶段期间进行图案化的修整方法-CN201780022431.X有效
发明人：安热利克·雷利;阿基特若·高 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种用于对衬底中的结构图案进行关键尺寸(CD)修整的方法，该方法包括：在图案化系统的处理室中提供衬底，该衬底包括第一结构图案和下层，下层包括硅抗反射涂层(SiARC)或硅氮氧化物(SiON)层、光学平坦化层和目标图案化层；执行可选的第一结构图案的CD修整处理；执行使SiARC或SiON层开口的一系列处理并且如果需要则执行附加CD修整；以及执行使光学平坦化层开口的一系列处理，该系列处理生成最终结构图案，并且如果需要则执行附加CD修整；其中，平坦化层是预先图案化膜(APF)、有机电介质层(ODL)或旋涂硬掩模(SOH)层中的一种。
集成方案各个阶段期间进行图案修整方法

[发明专利]通过溢料添加进行部分蚀刻记忆-CN201680032260.4有效
发明人：埃利奥特·弗兰克;维纳亚克·罗斯托吉;阿基特若·高;伊藤清人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种利用刻面化和钝化层在衬底上创建结构轮廓的方法。执行第一等离子体蚀刻工艺，该第一等离子体蚀刻工艺产生刻面化侧壁和期望拐点；使用氧等离子体、氮等离子体或组合的氧等离子体和氮等离子体的来执行第二等离子体蚀刻工艺，从而产生钝化层；以及执行第三等离子体蚀刻工艺，该第三等离子体蚀刻工艺利用刻面化侧壁和钝化层上的蚀刻化学物质的操作变量引起差异蚀刻速率，以在结构的近水平表面上实现突破，其中，所使用的第三等离子体蚀刻被配置成在衬底上产生下至底部停止层的目标侧壁轮廓。在执行第一等离子体蚀刻工艺、第二等离子体蚀刻工艺和/或第三等离子体蚀刻工艺的过程中，控制所选择的两个或更多个等离子体蚀刻变量，以便实现目标侧壁轮廓目的。
通过添加进行部分蚀刻记忆

[发明专利]用于自对准多重图案化技术的间隙壁形成-CN201780071268.6有效
发明人：埃里克·柳;阿基特若·高 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：描述了用于自对准多重图案化(SAMP)技术的间隙壁形成的系统和方法的实施方式。在实施方式中，方法包括提供具有间隙壁的衬底，该间隙壁具有保形涂层。方法还可以包括执行间隙壁凝固处理过程。此外，方法可以包括在衬底上执行蚀刻和清洁过程。此外，方法可以包括对间隙壁处理过程以及蚀刻和清洁过程进行控制，以实现间隙壁形成目标。
用于对准多重图案技术间隙形成

[发明专利]利用选定的蚀刻剂气体混合物以及调整操作变量修整无机抗蚀剂的方法-CN201780024178.1有效
发明人：文·梁;阿基特若·高 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-02-01 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：提供了一种修整在集成方案中的无机抗蚀剂的方法，所述方法包括：将基底设置在处理室中，所述基底具有无机抗蚀剂层和下层，所述下层包括氧化物层、硅氮化物层和基础层的，所述无机抗蚀剂层具有无机结构图案；进行无机抗蚀剂修整工艺以选择性除去所述基底上无机抗蚀剂结构图案的一部分，所述修整工艺使用第一蚀刻剂气体混合物并产生第一图案；控制所述集成方案的所选择的两个或更多个操作变量以实现目标集成目的；其中所述第一蚀刻剂气体混合物包含含氟气体和稀释气体；其中所述目标集成目的包括目标临界尺寸(CD)、目标线边缘粗糙度(LER)、目标线宽粗糙度(LWR)和目标基底处理能力。
利用选定蚀刻气体混合物以及调整操作变量修整无机抗蚀剂方法