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[实用新型]内置式回油过滤器及使用该过滤器的液压油箱-CN202320056025.8有效
发明人：姜礼博;陈松超;徐清平;王硕;王营军;冀光辉;李啟;宁家涛;邵瑞娜 -专利权人：平原滤清器有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： F15B21/041 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内置式回油过滤器，包括竖向设置的筒体，筒体底端内设有底盖，筒体内设有滤芯，滤芯外壁与筒体内壁之间具有环形间隙，筒体顶端固定连接有法兰盘，法兰盘沿周向设有若干螺栓孔，法兰盘用于通过螺栓与液压油箱内的安装台阶固定连接；筒体上方的法兰盘的径向内壁固定连接有压盖，压盖上设有竖向贯通压盖的通油孔；筒体底部设有用于与液压油箱相通的出油口；压盖与滤芯相压接。本实用新型便于安装在液压油箱内部，相比安装在外部的过滤器显著减小了过滤器和油箱的整体体积，以较小的体积实现良好的过滤效果，提高液压系统的响应速度。永久磁铁能够吸附液压系统中因磨损而产生的磁性材料杂质，提高滤芯的过滤效果。
内置式回油过滤器使用液压油箱

[实用新型]双平台热熔和测高一体机-CN202121790111.9有效
发明人： 陈松超;段伟 -专利权人：东莞华贝电子科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B29C65/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双平台热熔和测高一体机，包括机架、输送组件、载具、热熔组件及测高组件，所述输送组件设置于所述机架上，所述载具设置于所述输送组件上，所述载具上设有用于定位工件的定位槽，所述热熔组件和所述测高组件沿所述输送组件的输送方向依次设置于所述机架上并位于所述输送组件的上方，借由所述输送组件输送所述载具依次移动至所述热熔组件的下方和所述测高组件的下方，使得所述热熔组件对位于所述定位槽内的工件进行热熔，而所述测高组件对所述工件的热熔处进行测高。本实用新型的双平台热熔和测高一体机具有热熔和检测热熔功能，将热熔和检测热熔两个生产工艺集成到一台设备中，大大提高了生产效率，并降低人工成本。
平台测高一体机

[实用新型]一种控制晶圆弯曲度的设备-CN202121094104.5有效
发明人：涂文骏;陈松超;董洪旺;楚明;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供的一种控制晶圆弯曲度的设备，包括：至少两个反应腔体，每个反应腔体内均设置有承载装置，承载装置用于承载晶圆；供气装置，供气装置用于向每个反应腔体内供给反应气体；每个反应腔体和供气装置之间均设置有控制装置，每一个控制装置分别用于控制供气装置向对应的反应腔体中供给反应气体，以控制晶圆的弯曲度。这样，由于每一个反应腔体具有与之唯一对应的控制装置，每一个控制装置能够单独控制供气装置向各自对应的反应腔体内供给反应气体，避免产能的浪费，而且能够精确控制在反应腔体内的晶圆上形成的薄膜的厚度，进而精确控制晶圆的弯曲度，降低整批晶圆的弯曲度差异。
一种控制弯曲设备

[发明专利]半导体器件处理设备及处理方法-CN202110184661.4在审
发明人：范险林;李义奇;陈松超;陈龙;董智超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件处理设备及处理方法。所述半导体器件处理设备包括腔室、多个载台、多个第一进气通道以及控制器。多个载台设于所述腔室内，用于承载多个待处理的半导体器件。多个第一进气通道用于向所述腔室输入多种反应气体，所述多个第一进气通道中的至少一个第一进气通道具有延伸到所述多个载台附近的多个分支通道，各个分支通道用于将所述反应气体输送至对应载台上的半导体器件的第一表面处，每一分支通道上设有第一阀门。控制器配置为：获取与各所述半导体器件对应的至少一种反应参数，且根据各所述半导体器件的反应参数控制对应的所述第一阀门的开启和关闭。
半导体器件处理设备方法

[发明专利]改善三维存储器电性的方法及三维存储器-CN202010656627.8有效
发明人：徐文浩;宋月;魏君;陈松超;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善三维存储器电性的方法，该三维存储器包括：衬底、位于衬底上的堆叠结构及穿过堆叠结构的垂直沟道结构。该方法包括以下步骤：在堆叠结构上沉积氮化硅层；以及在氢气氛围下对三维存储器进行热处理；其中，氮化硅层中的氢离子经热处理扩散至垂直沟道结构中。
改善三维存储器方法

[发明专利]一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法-CN202010535592.2有效
发明人： 陈松超;徐文浩;宋月;张高升;董洪旺 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法，该薄膜沉积设备包括反应腔室及位于反应腔室内的承载台，承载台包括位于中间的本体部以及位于本体部外围的承载环，承载台和承载环在反应腔室内相互独立地可升降。另外反应腔室的顶部、底部和侧面分别设置有气体供气装置。在对衬底的背面进行薄膜沉积时，提升承载环，由承载环将衬底保持在反应位置；对衬底的侧面进行薄膜沉积时，提升本体部，由本体部将衬底保持在反应位置。通过本发明的薄膜沉积设备及沉积方法实现了在同一设备中完成背面沉积及侧面沉积，大大节约了薄膜沉积的成本，并且能够避免或者有效减少衬底背面沉积的薄膜的剥离。
一种薄膜沉积设备方法

[实用新型]一种控制晶圆弯曲度的设备-CN202022129472.0有效
发明人：涂文骏;陈松超;董洪旺;楚明;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供的一种控制晶圆弯曲度的设备，包括：至少两个反应腔体，每个反应腔体内均设置有承载装置，承载装置用于承载晶圆；供气装置，供气装置用于向每个反应腔体内供给反应气体；每个反应腔体和供气装置之间均设置有控制装置，每一个控制装置分别用于控制供气装置向对应的反应腔体中供给反应气体，以控制晶圆的弯曲度。这样，由于每一个反应腔体具有与之唯一对应的控制装置，每一个控制装置能够单独控制供气装置向各自对应的反应腔体内供给反应气体，避免产能的浪费，而且能够精确控制在反应腔体内的晶圆上形成的薄膜的厚度，进而精确控制晶圆的弯曲度，降低整批晶圆的弯曲度差异。
一种控制弯曲设备

[发明专利]刻蚀方法及三维存储器的制作方法-CN202010981693.2在审
发明人：罗兴安;张高升;董洪旺;陈松超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀方法及三维存储器的制作方法，本发明技术方案，对于所述半导体结构，先形成覆盖所述第一平面部分、所述第二平面部分和所述侧壁的第一介质层，然后再形成覆盖所述第一介质层的第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层具有不同的刻蚀属性，故通过第一刻蚀，可以去除所述侧壁上的所述第二介质层，以露出所述侧壁上的所述第一介质层，然后通过第二刻蚀，去除所述侧壁上的第一介质层，从而能够准确的刻蚀去除所述侧壁上的所述第一介质层和所述第二介质层，避免过刻蚀或是刻蚀不足的问题，同时能够使得所述第一平面部分和所述第二平面部分上均能够保留所述第一介质层以及部分所述第二介质层。
刻蚀方法三维存储器制作方法

[实用新型]屏幕清洁设备-CN201921610906.X有效
发明人： 陈松超 -专利权人：东莞华贝电子科技有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B08B1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种屏幕清洁设备，包括撑布机构及沿产品的移动方向依次间隔设置的摩擦组件、清洁组件、压头清洁机构，通过摩擦组件、清洁组件沿产品移动方向对其进行清洁，压头清洁机构包括清洁压头及连接于清洁压头的第一驱动器、第二驱动器，第一驱动器用于驱动清洁压头升降以使第一无尘布脱离产品屏幕或将第一无尘布压紧于产品屏幕，第二驱动器用于驱动清洁压头沿垂直于产品移动方向的方向移动以清洁产品的边缘位置，从而有效提高清洁质量及清洁效果；并且，通过撑布机构的转筒驱动件的正向或反向转动驱动第一转筒、第二转筒同步正向、同步反向或向相反方向转动以分别使用第二无尘布的两侧面对产品进行清洁，有效节约无尘布，节约生产成本。
屏幕清洁设备

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202010000961.8在审
发明人：董洪旺;陈松超;魏君;徐文浩;宋月 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括一半导体衬底；在所述半导体结构上形成图案化的第一自对准阻挡层，所述第一自对准阻挡层暴露预设自对准区域；所述预设自对准区域为半导体材料；形成覆盖所述半导体衬底的边缘的第二自对准阻挡层；在所述预设自对准区域上沉积金属材料，以使所述金属材料与所述预设自对准区域的半导体材料进行反应，形成金属接触区。
一种半导体器件制造方法

[实用新型]晶圆弯曲度调整装置-CN201921613723.3有效
发明人： 陈松超;徐文浩;宋月;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置，包括：固定本体，设置在薄膜沉积设备上；利用所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。如此，能够实现晶圆在某个特定方向上的弯曲度的调整。
弯曲调整装置

[发明专利]应力调整膜层的形成方法以及应力调整膜层-CN201910941111.5在审
发明人：徐文浩;宋月;陈松超;马春龙;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种应力调整膜层的形成方法以及应力调整膜层，其中，所述方法包括：在晶圆上沉积应力调整子膜层，所述应力调整子膜层为部分厚度的所述应力调整膜层；采用紫外光照射沉积的所述应力调整子膜层，以提高所述应力调整子膜层的张应力。
应力调整子膜膜层沉积紫外光照射张应力晶圆

[发明专利]晶圆背面薄膜结构的沉积方法以及晶圆背面薄膜结构-CN201910922989.4在审
发明人：宋月;张高升;徐文浩;陈松超;马春龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶圆背面薄膜结构的沉积方法，包括：采用第一沉积工艺形成覆盖晶圆背面第一区域的第一薄膜结构；采用第二沉积工艺形成覆盖晶圆背面边缘位置处的第二区域的第二薄膜结构；其中，所述第一区域与所述第二区域叠加后覆盖晶圆背面的全部区域。此外，本发明实施例还公开了一种通过本发明实施例所提供的方法制备形成的晶圆背面薄膜结构。
薄膜结构晶圆背面沉积第二区域第一区域覆盖边缘位置全部区域晶圆种晶制备叠加背面

[发明专利]晶圆翘曲度调整方法及设备-CN201910862021.7在审
发明人：徐文浩;宋月;陈松超;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆翘曲度调整方法及设备，所述晶圆翘曲度调整方法包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆具有相对设置的第一表面和第二表面；在所述晶圆的所述第一表面或所述第二表面上沉积薄膜；将所述薄膜划分为处理区与非处理区，并对所述处理区进行翘曲度调整处理。本发明通过在薄膜沉积后，对薄膜的部分区域进行翘曲度调整处理，从而对晶圆呈现的各向异性翘曲进行调整，使晶圆面内保持平整，从而确保了制程的工艺稳定性以及产品良率。
晶圆处理区翘曲度第二表面第一表面调整处理薄膜工艺稳定性薄膜沉积产品良率沉积薄膜晶圆翘曲相对设置翘曲与非圆面制程种晶平整

[发明专利]一种碳纳米管/碳化硅导热复合材料的制备方法-CN201610967909.3有效
发明人：封伟;尹晓东;陈松超;冯奕钰;秦盟盟 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-11-05 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅/碳纳米管导热复合材料的制备方法，将碳化硅颗粒置于管式炉中；通入氩气和氢气；升温至750‑850℃；通入碳源和催化剂混合溶液，在碳化硅上生长碳纳米管；在真空度小于等于0.1MPa的状态下，将聚碳硅烷溶液与生长碳纳米管的碳化硅浸渍；烘干后形成块体；将所得块体预压、热压成型，即得到碳化硅/碳纳米管导热复合材料。经测试，这种复合材料弯曲强度可达125MPa以上，抗压强度可达500MPa以上。这种复合材料具有良好的抗氧化性能，能在空气中长时间耐受800‑1200℃的高温烧蚀。这种复合材料的导热率能达到30W/(m·K)以上。
一种纳米碳化硅导热复合材料制备方法

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