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[实用新型]流体调节装置以及用于流体调节装置的自对准阀口-CN201220484502.2有效
发明人：周彪 -专利权人：艾默生过程管理调节技术公司
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： F16K1/42 文献下载
摘要：公开了一种流体调节装置以及用于流体调节装置的自对准阀口。一种调节器，其包括调节阀和致动器。致动器耦接到调节阀并包括用于控制流体流动通过调节阀的控制元件。调节阀配备有自对准阀口，所述自对准阀口包括保持部、设置在保持部内的偏置部以及设置在保持部和偏置部之间的偏压部件。所述自对准阀口有利地进行自动调整以获得与致动器的控制元件的密封接合，由此提高调节器性能。
流体调节装置以及用于对准

[发明专利]一种宽光谱自参考干涉对准系统-CN202210259708.3有效
发明人：罗文韬;唐燕;杨勇;赵立新 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱自参考干涉对准系统，包括：宽光谱光源，用以提供照明光束；透镜系统，用以收集照射在对准标记后形成的衍射光斑，并将衍射光斑传递至自参考干涉光学模块；自参考干涉光学模块，对所述衍射光斑进行分光及像旋转处理，以使对应的正、负级次衍射光斑像重叠；信号探测模块，用于探测所述重叠后的正、负级次衍射光斑的光谱信息；信号分析模块，用于通过解出光谱信号的相位来获取对准位置的信息。与现有的自参考干涉对准系统相比，本发明可以降低对对准系统于光源稳定性的要求以及信号探测部分的探测频率的要求。
一种光谱参考干涉对准系统

[发明专利]恒定张力卡扣配合组件-CN201380075260.9有效
发明人： S·沃尔特;V·米尔斯;D·L·皮弗 -专利权人：伊顿公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： F16K17/04 文献下载
摘要：一种用于排空集液器的自对准式喷射泵组件，该喷射泵组件具有自对准的喷射泵喷嘴和喷嘴托架。提供了一种组件，该组件能在一定范围的工况下实现第一构件与第二构件之间的恒定轴向力。该组件可用来在被支承的构件如自对准式喷射泵组件上提供恒定的轴向力。
恒定张力配合组件

[发明专利]一种多套惯导系统间安装偏角外场标定方法-CN202211183416.2在审
发明人：王玮;王萌;李魁;王蕾;陈刚;路尧;李启航;孙晨妍 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多套惯导系统间安装偏角外场标定方法，首先，各套惯导系统分别独立进行多组初始对准，记录相应对准结果；其次，将各套系统每组自对准航姿角分别转换为相应的姿态阵，计算得到各系统间姿态阵再反解出各系统之间的安装偏角；最后，将求取的各组系统间安装偏角取平均，作为各套系统间安装偏角最终标定结果，并给出了各套惯导系统自对准组数与单次自对准时长的选择方法。本发明提供了多套惯导系统间安装偏角的纯惯性高精度外场标定方法，多组平均法降低了系统自对准误差，提高了系统间安装偏角的标定精度，该方法操作简单、整体化标定、工程实用性强，对多惯导航姿信息融合、主子惯导高精度传递对准等研究具有重要意义
一种多套惯导系统安装偏角外场标定方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201410527705.9在审
发明人：李绍彬;朱先宇;陈超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上形成有多个栅极结构，栅极结构包括位于最上层的栅极硬遮蔽层；在半导体衬底上依次沉积自对准接触阻挡层和层间介电层，覆盖栅极结构；去除位于栅极结构之间的层间介电层和自对准接触阻挡层，形成用于填充构成自对准接触的材料的开口；在半导体衬底上沉积另一栅极硬掩蔽层，以提升位于栅极结构的最上层的栅极硬掩蔽层的厚度；去除另一栅极硬掩蔽层位于栅极结构之间的半导体衬底上的部分根据本发明，形成自对准接触的同时，提高位于栅极结构的最上层的栅极硬掩蔽层的厚度，避免自对准接触与栅极结构之间的击穿电压的降低，提升存储器件的性能。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]多晶硅-金属电介质中的镶嵌薄膜电阻器(TFR)及制造方法-CN201880050912.6在审
发明人： Y·冷 -专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日： 2018-10-01 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种用于制造TFR结构的方法可包括：形成一对间隔开的TFR头部，该对间隔开的TFR头部形成为自对准硅化物多晶硅(自对准多晶硅化物)结构；将电介质层沉积在自对准多晶硅化物TFR头部之上；图案化并蚀刻沟槽，该沟槽在每个自对准多晶硅化物TFR头部的至少一部分之上侧向延伸，以及暴露每个自对准多晶硅化物TFR头部的表面；以及将TFR材料沉积到沟槽中并沉积到暴露的TFR头部表面上，从而形成桥接对间隔开的TFR头部的
多晶金属电介质中的镶嵌薄膜电阻器 tfr 制造方法

[发明专利]自对准作用沟槽触点-CN201410772818.5有效
发明人：史蒂文·艾伦·莱特尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请案涉及一种自对准作用沟槽触点。可通过包含以下步骤的过程来形成具有自对准触点的集成电路：在集成电路上方形成填充邻近于MOS栅极的侧壁之间的空间的间隙填充电介质层，及将间隙填充电介质层向下平面化到含有MOS栅极的栅极结构的顶部。在间隙填充电介质层上方形成暴露用于自对准触点的区域的触点图案；所述区域与栅极结构的邻近实例重叠。从用于自对准触点的区域移除间隙填充电介质层，且随后移除触点图案。将触点金属向下平面化到栅极结构的顶部，从而形成自对准触点。
对准作用沟槽触点

[发明专利]形成垂直场效应晶体管的方法以及所得结构-CN201810638170.0有效
发明人：谢瑞龙;拉尔斯·赖柏曼;臧辉;史帝文·本利 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在该方法中，基本同时形成各对VFET的自对准栅极以及接触这些自对准栅极的自对准栅极延伸区，以使该栅极环绕一对半导体鳍片(呈端到端对齐)，并使该栅极延伸区填充这些半导体鳍片的相邻端部之间的空间。通过形成一对VFET的自对准栅极及自对准栅极延伸区，该方法避免在VFET阵列中的相邻对VFET之间光刻图案化延伸切割隔离区的需要。
形成垂直场效应晶体管方法以及所得结构

[发明专利]带有集成二极管的自对准沟槽MOSFET-CN201110321517.7有效
发明人：雷燮光;安荷·叭剌 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明带有集成二极管的自对准沟槽MOSFET利用自对准方式，可以制备带有集成二极管的晶体管器件。这种器件包括一个掺杂的半导体衬底，具有一个或多个电绝缘的栅极电极，形成在衬底中的沟槽中。一个或多个源极区以自对准的方式，形成在每个栅极沟槽附近的本体区顶部。一个或多个厚绝缘物部分形成在栅极电极上方，栅极电极在衬底的顶面上，带有相邻的厚绝缘物部分之间的间距。金属穿过厚绝缘物部分之间的间距，构成到衬底的自对准接头。集成二极管形成在自对准接头下方。
带有集成二极管对准沟槽 mosfet

[发明专利]SONOS非挥发性存储器及其制造方法-CN201810695760.7在审
发明人：张可钢;陈华伦 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS非挥发性存储器，选择管的第二栅极结构和存储管的第一栅极结构之间隔离有栅间隔离介质层，栅间隔离介质层自对准形成于第一栅极结构的第一侧面，第二栅极结构自对准形成于所述栅间隔离介质层的第一侧面；两个相邻单元结构组成的单元结构组合中两个第一栅极结构形成区域由第一窗口定义，第一栅极结构的两侧面由自对准形成于第一窗口的内侧面第一顶部氮化硅层自对准定义，单元结构组合的第一栅极结构的第二侧面自对准形成有第一氮化硅侧墙且第一栅极结构的第二侧面之间的接触孔的底部区域由两个第一氮化硅侧墙自对准的定义
栅极结构自对准非挥发性存储器隔离介质层侧面氮化硅侧墙单元结构存储单元结构窗口定义氮化硅层底部区域结构组成相邻单元有效减少存储管接触孔两侧面选择管制造隔离

[发明专利]存储装置及其制造方法-CN202111625514.2在审
发明人：庄哲辅;蔡耀庭;廖修汉 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明提供一种存储装置，包括：堆叠结构及位于堆叠结构两侧的衬底中的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区；第一自对准接触窗，连接第一源极/漏极区；第二自对准接触窗，位于第二源极/漏极区上；第一衬层结构，位于第一自对准接触窗与堆叠结构的第一侧壁之间；第二衬层结构，位于第二自对准接触窗与堆叠结构的第二侧壁之间。
存储装置及其制造方法

[发明专利]自对准式TFT有源矩阵的制造方法-CN201010561384.6有效
发明人：陈龙龙;李喜峰;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2010-11-27 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作，即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形，在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层，从而使TFT
对准 tft 有源矩阵制造方法

[发明专利]自对准接触件和方法-CN201510204942.6有效
发明人：王朝勋;刘仕文;杨复凯;王宪程;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种自对准接触件。在实施例中，通过从邻接于栅电极处部分地去除第一介电材料和从邻接于栅电极处完全去除第二介电材料来形成自对准接触件。介电层被沉积在凹进的导电材料和凹进的金属栅极的上方，并且自对准接触件穿过介电层而形成。本发明还提供了一种制造自对准接触件的方法。
对准接触方法

[发明专利]自对准分离栅极与非闪存及制造方法-CN03158545.0有效
发明人：陈秋峰;范德慈;吕荣章;普拉蒂普·滕塔苏德 -专利权人：前讯系统股份有限公司
申请日： 2003-09-18 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准分离栅极与非闪存单元阵列及制造方法，其中一系列的自对准分离单元形成在位线扩散与公共源极扩散之间。每个单元具有彼此堆叠并自对准的控制和浮置栅极，以及与其它两个栅极分离但自对准的第三个栅极。在一些实施例中，分离栅极用作擦除栅极，而在另一些实施例中，它们被用作选择栅极。
对准分离栅极闪存制造方法

[发明专利]一种漏区自对准垂直沟道MOS集成电路单元结构及其实现方法-CN202210393557.0有效
发明人：李平;彭辰曦;廖永波;杨智尧;刘金铭;刘玉婷;刘仰猛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术和集成电路技术，尤其涉及一种自对准MOSFET结构及其制造方法。基于此前提出的源级自对准垂直沟道MOS集成电路单元及其实现方法，为了进一步提高集成度，本发明提出了一种新型的漏级自对准垂直沟道MOS集成电路单元结构及其实现方法。利用栅极环绕的区域和栅极顶部氧化层作为掩膜，实现漏电极沟槽自对准刻蚀，减少了光刻次数和多次套刻带来的误差，提高了集成电路的集成度，降低了制作工艺的难度和成本。
一种对准垂直沟道 mos 集成电路单元结构及其实现方法