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- [发明专利]一种晶片的清洗方法-CN202210145079.1在审
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池泽龙;张俊宝;陈猛
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上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
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2022-02-17
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2023-08-29
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B08B3/08
- 本发明涉及一种晶片的清洗方法，首先在第一、第二清洗槽内分别注入清洗液，并在槽体外侧施加电磁场，磁场方向平行于硅片表面；机械手将硅片放入第一清洗槽，开始清洗，清洗10~20分钟后开启磁场，持续时间3~5分钟；然后机械手将硅片从第一清洗槽内取出，放入第二清洗槽内，兆声清洗10~20分钟；再在硅片进入第二清洗槽中开始清洗10~20分钟后开启磁场，持续时间3~5分钟；硅片进入干燥机进行干燥工艺；最后进行硅片表面颗粒检测。本发明通过加入平行于硅片方向的可变强度磁场，在保持硅片清洗作用不变的条件下加强清洗液对硅片吸附颗粒的脱附作用，从而减少化学品的使用并加强去除有机沾污，特别是去除硅片表面小颗粒的作用。
- 一种晶片清洗方法
- [发明专利]一种晶圆材料清洗方法-CN202210145049.0在审
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谈耀忠;张俊宝;陈猛
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上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
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2022-02-17
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2023-08-29
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B08B3/12
- 本发明所述的一种晶圆材料清洗方法，涉及半导体工艺领域，包括:步骤1，将晶圆材料放入第一清洗槽内的第一清洗液中浸泡，并同时辅以兆声波清洗；步骤2，将步骤1清洗后的晶圆材料放入第一水槽内进行清洗；步骤3，将步骤2清洗后的晶圆材料放入第二清洗槽内的第二清洗液浸泡，并辅以兆声波清洗；步骤4，将步骤3清洗后的晶圆材料放入第二水槽内进行清洗；步骤5，将步骤4清洗后的晶圆材料放入第三清洗槽内的第三清洗液中浸泡，再送入第三水槽进行清洗；步骤6，将步骤5中清洗后的晶圆材料传输至干燥槽内对晶圆材料表面残留的水分进行干燥。本发明通过对清洗工艺、温度、时间以及兆声波的实时控制，提高了晶圆材料的清洗效果。
- 一种材料清洗方法
- [发明专利]一种硅片清洗干燥方法-CN202210145163.3在审
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黄燕秋;张俊宝;陈猛
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上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
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2022-02-17
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2023-08-29
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B08B3/02
- 本申请涉及硅片生产制造技术领域，公开了一种硅片清洗干燥方法，包括如下步骤：S1:增设IPA液槽和气体槽；S2:第一次清洗；S3:第二次清洗；S4:第三次清洗；S5:IPA液体浸泡：将完成第三次清洗的硅片浸没在IPA液槽的IPA液体中；S6:初次预干燥：利用通入的热氮气作用于硅片表面，使部分IPA初次挥发并带走部分水分，实现对硅片的初步预干燥；S7:再次预干燥：利用加热后的氮气对硅片再次预干燥；S8:烘干。本发明在硅片进入烘干机前增加了对硅片的预干燥环节，利用IPA的挥发来促进硅片表面水分的去除，通过加热后的氮气对硅片表面进行预干燥，较大程度地提升了硅片干燥的效果，从而提升硅片的质量。
- 一种硅片清洗干燥方法
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