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[发明专利]原位合成高结晶度铜掺杂钙钛矿薄膜的方法-CN201810916176.X有效
发明人：郑直;刘启;陈璐;雷岩;杨晓刚;齐瑞娟 -专利权人：许昌学院
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于材料化学技术领域，涉及一种原位合成高结晶度铜掺杂钙钛矿薄膜的方法。该方法为：在干净的基底表面形成一层铜铅合金的薄膜，在薄膜表面原位旋涂碘化钾胺溶液一步反应即可获得高结晶度的铜掺杂钙钛矿薄膜材料。该方法采用一步旋涂，室温条件下即可制备高结晶度的铜掺杂钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜，操作简单、反应迅速，能耗少，制备的钙钛矿薄膜结晶性好，晶体颗粒缺陷少，成膜质量高。
原位合成结晶度掺杂钙钛矿薄膜方法

[发明专利]半导体膜-CN201980093708.7在审
发明人：渡边守道;福井宏史 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供结晶缺陷明显较少的半导体膜。:Sub>2O3或α－Ga2O3系固溶体构成的刚玉型结晶结构，半导体膜的至少一个表面的结晶缺陷密度为1.0×106/cm2以下。
半导体

[发明专利]一种发光二极管外延片制备方法及外延片-CN202111566789.3在审
发明人：刘春杨;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管外延片制备方法及外延片，在氩气作为载气的条件下生长第一子层，由于氩气具有较大的原子质量，能够提供更高的动量，提高Al原子的横向迁移效率，促进第一子层横向生长，能够降低第一子层以及后续生长的第二子层的表面粗糙度和缺陷密度，提高晶体质量；但是由于第一子层的生长速率较快，容易产生刃位错，通过设置氢气作为载气生长第二子层，由于氢气的分子质量较低，在生长时分子运动活性强，对结晶质量较差的晶体具有刻蚀和重结晶的作用，有助于减小刃位错
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]半导体装置-CN200810109113.X有效
发明人：藤井秀纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供一种可高精度进行寿命控制的半导体装置，其中，PIN二极管(2)由阳极(6、P层3、I层4、N层5)与阴极(7)构成。在正向偏压状态下注入的载流子的密度较高的pn结附近的区域或者n⁺n结附近的区域，作为具有成为再结合中心的结晶缺陷的规定膜，形成有多晶硅膜。
半导体装置

[发明专利]一种提高板坯洁净度的方法-CN202011055377.9有效
发明人：刘国梁;唐德池;马威;季晨曦;李海波;陈斌;俞学成;朱克然;倪有金;郝宁;郝丽霞;李杰 -专利权人：首钢集团有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B22D11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高板坯洁净度的方法，应用于结晶器中，所述结晶器上部设置有电磁搅拌装置，所述结晶器内设置有连通中间包的浸入式水口，所述中间包内的钢液通过所述浸入式水口进入所述结晶器内，所述方法包括：控制所述电磁搅拌装置产生磁场，对所述结晶器内的钢液进行搅拌；控制所述中间包内的钢液的过热度为20～45℃。本发明解决了现有技术中连铸过程中，夹杂物控制不当，造成后续热轧板卷表面缺陷，甚至造成产品报废的技术问题，不仅能够保证降低热轧板卷表面缺陷，提高板坯洁净度，同时还能够兼顾钢坯容易出现漏钢、裂纹等缺陷的问题
一种提高洁净方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法和改善钙钛矿层传输特性的方法-CN201811132667.1有效
发明人：吴朝新;董化;冉晨鑫;焦博;魏斐洁 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法和改善钙钛矿层传输特性的方法，将共轭有机铵盐加入钙钛矿前驱体的DMF/DMSO溶液中，退火并清洗得到钙钛矿层薄膜，利用有机共轭铵盐调控钙钛矿层薄膜的结晶生长，抑制电荷复合本发明使已结晶的钙钛矿吸光层薄膜缺陷显著减少，载流子迁移率提高，器件转化效率提高20％以上，能够充分满足器件商业化使用的需要。
太阳能电池及其制备方法改善矿层传输特性

[发明专利]一种控制连铸板坯结疤缺陷的工艺方法-CN201910277615.1在审
发明人：汪洪峰 -专利权人：上海梅山钢铁股份有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B22D11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制连铸板坯结疤缺陷的工艺方法，所述方法包括以下步骤：（1）控制结晶器的振动偏摆，（2）控制结晶器均匀冷却，（3）控制结晶器保护渣的烧结性。该方案通过严格控制结晶器振动精度偏差、控制结晶器均匀冷却和控制结晶器保护渣的烧结性”工艺，来保证与结晶器内初生坯壳受力相关的设备功能精度，以减少结晶器弯月面处初生坯壳的受力，控制结晶器弯月面钢水溢流，溢流出的钢水与弯月面二次接触焊合、使弯月面初生坯壳弯曲折叠、形成结疤缺陷，从而提高连铸板坯质量，减少连铸漏钢事故，稳定连铸生产。
一种控制连铸板坯结疤缺陷工艺方法

[发明专利]去除焊盘缺陷的方法-CN202010897063.7在审
发明人：米魁;陈广龙;王函;程刘锁;李伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种去除焊盘缺陷的方法，涉及半导体制造领域。该去除焊盘缺陷的方法包括在半导体衬底上形成焊盘；对所述半导体衬底进行湿法清洗；利用氧气处理所述半导体衬底，在所述焊盘表面形成一层氧化膜；对所述半导体衬底进行退火处理；对所述半导体衬底进行等离子体处理，去除所述焊盘表面的氧化膜和焊盘顶部富含氟离子的金属；利用氧气处理所述半导体衬底，在所述焊盘表面形成一层氧化膜；解决了目前焊盘表面容易出现结晶缺陷，引起键合失效的问题；达到了改善封装可靠性的效果。
去除缺陷方法

[发明专利]一种三维GaN层、制备方法及发光二极管外延片-CN202310000658.1有效
发明人：刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维GaN层、制备方法及发光二极管外延片，该方法包括：提供一基座，将基座置入反应室内，并保持反应室内温度为1050℃‑1100℃，压力为100torr‑300torr；向反应室内充入N2以作为载气，向反应室内充入NH 3以作为反应气；间歇、循环的向反应室内充入TMGa气体，以间歇性生长得到三维GaN层；其中，在TMGa气体通入反应室内时，TMGa气体进入反应室在基座上形成结晶，在TMGa气体停止通入反应室内时，在NH3气氛下，GaN在高温作用下重新结晶。本发明旨在解决现有技术中三维GaN层存在较大的结晶缺陷，影响了发光二极管外延片发光效率的问题。
一种三维 gan 制备方法发光二极管外延

[发明专利]LED外延结构及其制备方法和半导体器件-CN201710406980.9有效
发明人：项博媛;谢春林 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该LED外延结构包括：衬底；缓冲层；n型低掺杂半导体层；n型超晶格过渡层；n型第一高掺杂半导体层；n型第二高掺杂半导体层；量子阱过渡层；量子阱有源层；p型电子阻挡层；p型掺杂半导体层。该发光二极管芯片可以有效降低晶体位错与缺陷，提升晶体的结晶质量，在大电流驱动下有效降低LED结构的电压。
led 外延结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种大型齿轮钢铸锭的浇铸装置及其浇铸方法-CN202111350355.X有效
发明人：吴瑞瑞;董捷;郭艳萍;李秋书;刘宝胜;陈慧琴 -专利权人：太原科技大学
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B22D9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种大型齿轮钢铸锭的浇铸装置及其浇铸方法，属于铸造装置及铸造方法技术领域，解决大型铸件的宏观缺陷以及组织缺陷，本发明将结晶棒固定在起重支架上，将连接好各部分的箱体通过导柱提升到预定高度，将结晶棒的一部分伸入结晶器中，使用热风和冷风对结晶器进行预热或者冷却，铸造过程中保证第一部分熔融金属液可以没过结晶棒下端，使结晶棒与第一部分紧密连接，经重复多次铸造到得到满足要求的铸锭。
一种大型齿轮铸锭浇铸装置及其方法

[发明专利]一种引入离子扩散层的双层氧化镍薄膜的制备方法-CN201910633708.3在审
发明人：姜龙;陈殿元;于晓明;于海燕;孙艳梅;李剑明;南楠 -专利权人：吉林农业科技学院
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种引入离子扩散层的双层氧化镍薄膜的制备方法，本发明使用射频反应磁控溅射技术在结晶态氧化镍薄膜表面制备了铜掺杂非晶态氧化镍作为离子扩散层，该类型NiO薄膜与传统的结晶态薄膜或非晶态薄膜相比优势明显首先，薄膜上层的非晶态部分由于内部晶格排布无序度较大，会导致非晶态薄膜内部的存在大量的晶格缺陷，这会为离子的嵌入与脱出提供天然孔道，使离子可以快速进出薄膜，从而缩短该结构薄膜的电致变色响应时间。其次，薄膜下层所沉积的NiO属于结晶状态，其晶格排布紧密，有序度良好，在循环过程中不易降解，这就保证了该结构薄膜在循环过程中的稳定性。
薄膜离子扩散层氧化镍薄膜非晶态薄膜结构薄膜循环过程非晶态结晶态排布制备离子射频反应磁控溅射表面制备电致变色结晶状态晶格缺陷内部晶格天然孔道引入传统的铜掺杂无序度氧化镍脱出降解晶格沉积下层嵌入上层响应保证

[发明专利]碳化硅衬底的制造方法-CN201110042966.8无效
发明人：渡边弘纪;木藤泰男;山本建策;高谷秀史;杉本雅裕;森本淳;渡边行彦;副岛成雅;石川刚 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在碳化硅衬底的制造方法中，制备由碳化硅制成的含缺陷的衬底(2)。含缺陷的衬底(2)具有前表面、与前表面相对的后表面、和接近于前表面的表面部分(2a)。含缺陷的衬底(2)在表面部分(2a)包括螺型位错。对含缺陷的衬底(2)的前表面施加外力从而减少表面部分(2a)的结晶性。施加外力后，热处理含缺陷的衬底(2)从而恢复表面部分(2a)的结晶性。
碳化硅衬底制造方法

[发明专利]一种非晶、纳米晶结晶器铜辊表面修复方法-CN201310240321.4无效
发明人：庞靖;宋安康;李晓雨;张雪松 -专利权人：青岛云路新能源科技有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： B23P6/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶、纳米晶结晶器铜辊表面修复方法。该方法包括：去除非晶、纳米晶结晶器铜辊表面氧化层和缺陷部位，并确定修复尺寸；对结晶器铜辊表面进行适当的预处理；在非晶、纳米晶结晶器铜辊表面镀上镀层；在镀层达到修复尺寸时结束电镀，并对结晶器铜辊表面进行机加工通过本发明修复后的结晶器耐磨损性能和抗冷热疲劳性能较优异、可以满足非晶、纳米晶带材生产的需求、降低非晶、纳米晶带材的生产成本、提高生产效率和产品质量。
一种纳米结晶器表面修复方法

[发明专利]一种以纳米纤维钝化钙钛矿层的钙钛矿太阳能电池的制备方法-CN202110244609.3在审
发明人：刘勇;许志阳;谭占鳌 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种以纳米纤维为钙钛矿层钝化材料的太阳能电池的制备方法，包括透明导电层、电子传输层、钙钛矿光敏层、空穴传输层和金属电极层，其特征在于，所述钙钛矿层钝化材料为纳米纤维，该纳米纤维由静电纺丝技术制备得到；并且提供了一种以纳米纤维钝化钙钛矿层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，采用旋涂钙钛矿与纳米纤维的混合溶液的方法制备钙钛矿层，其中纳米纤维可与钙钛矿层中的铅离子产生强烈的络合和配位作用，填补晶界处的电子缺陷，并为钙钛矿的结晶提供形核位点，诱导结晶，所制备的钙钛矿电池的能量转换效率达20.3％。
一种纳米纤维钝化矿层钙钛矿太阳能电池制备方法

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