专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201811009205.0有效
  • 小林勇介;原田信介 - 富士电机株式会社
  • 2018-08-31 - 2023-10-24 - H01L29/16
  • 本发明提供能够降低导通电阻的半导体装置。在栅极沟槽(7)的底面设有导电层(22)。由该导电层(22)和n型电流扩散区(3)沿栅极沟槽(7)的侧壁形成肖特基结(23),并由该肖特基结(23)构成沟槽型SBD(42)的1个单位单元。在栅极沟槽(7)的内部,在导电层(22)上隔着绝缘层(8a)设有构成沟槽栅型的纵向型MOSFET(41)的1个单位单元的栅电极(9)。即,沟槽栅型MOSFET(41)的1个单位单元和沟槽型SBD(42)的1个单位单元被配置在1个栅极沟槽(7)的内部并且在深度方向上对置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210884681.7在审
  • 加藤贵大;坂野竜则;小林勇介;下条亮平 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-07-26 - 2023-08-22 - H01L29/739
  • 一种半导体装置,包含第1~第4电极、半导体部件及绝缘部件。半导体部件包含第1导电型的第1半导体区域、第1导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域以及第2导电型的第6半导体区域。第3半导体区域包含第1部分区域和第2部分区域。第2部分区域在第1方向上处于第1半导体区域与第2半导体区域之间。第1部分区域在第1方向上处于第1半导体区域与第3电极之间。在与第1方向交叉的第2方向上,第3电极与第2半导体区域、第4半导体区域以及第5半导体区域重叠。第4电极在第1方向上处于第1部分区域与第3电极之间。从第4电极向第2部分区域的方向沿着第2方向。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202110052353.6有效
  • 雁木比吕;小林勇介;井口智明;坂野竜则 - 株式会社东芝
  • 2021-01-15 - 2023-06-27 - H01L29/78
  • 提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式,半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件以及绝缘构件。连接构件的至少一部分处于第2半导体构件的第1半导体区域与第3电极之间。绝缘构件的第5部分处于第1半导体区域与连接构件之间。第5部分与第1半导体区域以及连接构件相接。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202210137348.X在审
  • 雁木比吕;田口安则;井口智明;小林勇介;根本宏树 - 株式会社东芝
  • 2022-02-15 - 2022-11-29 - H01L29/40
  • 实施方式的半导体装置具有:第一电极;第二电极;包含第一半导体区域、第二半导体区域以及第三半导体区域在内的半导体层;第三电极;第一绝缘区域;第二绝缘区域;第四电极,具有包含第一部分、第二部分以及第三部分在内的在第一方向上连续的多个部分,第一部分的第二方向上的宽度为第一宽度,第二部分在第一方向上位于比所述第一部分靠所述第二电极侧,所述第二方向上的宽度为比所述第一宽度小的第二宽度,第三部分与所述第二部分邻接,在所述第一方向上位于比所述第二部分靠所述第二电极侧,所述第二方向上的宽度为比所述第二宽度大的第三宽度;以及第三绝缘区域。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110136019.9在审
  • 马场祥太郎;小林勇介;加藤浩朗;西口俊史 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2021-02-01 - 2022-03-15 - H01L29/78
  • 实施方式提供可提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式,半导体装置包含第一导电部件、半导体部件、第二导电部件、第三导电部件、以及第一绝缘部件。半导体部件包含设于第一导电部件之上的第一半导体区域、设于第一半导体区域的一部分之上的第二半导体区域、以及设于所述第二半导体区域之上的第三半导体区域。第二半导体区域包含与所述第一半导体区域的一部分对置的第一面。所述第一面包含与第一绝缘部件相接的第一接触部分。第一面的下端部比第一接触部分靠下。第三半导体区域包含与第二半导体区域对置的第二面。第二面包含与第一绝缘部件相接的第二接触部分。第二面的下端部比第二接触部分靠下。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710416823.6有效
  • 小林勇介;吉村尚 - 富士电机株式会社
  • 2013-03-18 - 2020-07-17 - H01L21/265
  • 本发明的半导体装置的制造方法包括:注入工序,从第一导电型的半导体基板(101)的背面进行质子注入;和形成工序,在注入工序后,通过在退火炉中对半导体基板(101)进行退火处理,从而形成比半导体基板(101)具有更高的杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域(101a),形成工序在使退火炉处于氢气氛,并将氢的容积浓度为6%~30%的条件下进行。由此,在通过质子注入而进行的施主生成中能够实现晶体缺陷降低。另外,能够提高施主化率。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610812676.X有效
  • 小林勇介;吉村尚 - 富士电机株式会社
  • 2013-03-14 - 2020-06-12 - H01L21/263
  • 本发明的半导体装置的制造方法,包含:从背面对第一导电型的半导体基板进行研磨的研磨工序;从所述半导体基板(101)的经研磨后的背面直接对所述半导体基板进行质子注入的注入工序;在注入工序后,通过在炉中对半导体基板(101)进行退火处理,形成具有比半导体基板(101)高的杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域(101a)的形成工序,在所述半导体基板的内部,形成工序在将炉内设成氢气氛、将炉退火的氢的容积浓度设为0.5%以上且小于4.65%的条件下进行,由所述质子注入的注入能量决定的质子的飞程在所述半导体基板内。由此,对于利用质子注入进行的施主生成,能够实现结晶缺陷减少。另外,能够提高施主化率。
  • 半导体装置制造方法

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