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[发明专利]信息记录媒体及其制造方法-CN00807627.8有效
发明人：山田升;児岛理惠;松永利之;河原克巳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-10 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： B41M5/26 文献下载
摘要：一种信息记录媒体,在基板上设有记录材料层,利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移,形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中,含有晶格缺陷的结晶结构的材料,或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料,而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体
信息记录媒体及其制造方法

[发明专利]半导体结构、晶体管结构的制备方法及半导体处理设备-CN201810509730.2在审
发明人：刘铁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明一种基于低温离子注入的半导体结构、晶体管制备及半导体处理设备，半导体结构制备包括：提供待处理结构，定义具有离子注入面的离子注入层区；对待处理结构进行降温处理，自离子注入面进行离子注入，在离子注入的过程中，离子注入层区转换成恢复损伤结晶层区和晶格破坏非晶层区，降温处理减缓离子注入层区内部的自退火效应，减小恢复损伤结晶层区区域的大小；进行退火处理，晶格破坏非晶层区转换成重结晶层区，恢复损伤结晶层区转换成结晶缺陷层区本发明通过对待处理结构进行离子注入的过程中同时对其进行降温，在低温条件下进行离子注入，减缓了离子注入过程中的自退火效应，从而减少退火后的EOR缺陷，减少结漏电流，减少电子器件的功耗。
离子结晶层离子注入层处理结构半导体结构损伤降温处理非晶层自退火晶格制备半导体处理设备离子注入过程退火结晶缺陷层离子注入面恢复低温离子低温条件电子器件结漏电流退火处理转换成重转换晶体管功耗减小

[发明专利]一种陶瓷表面装饰方法和结晶釉、轻质坯体-CN202011413580.9有效
发明人：李光伟;喻劲军;李德英;钟礼丰;刘意诚;钟艳梅;吉永发;吴健;唐广龙 -专利权人：广东金意陶陶瓷集团有限公司;佛山市三水金意陶陶瓷有限公司;景德镇金意陶陶瓷有限公司;广东金意陶贸易有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： B28B1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种陶瓷表面装饰方法和结晶釉、轻质坯体，涉及陶瓷表面装饰技术领域，该方法包括在第一板体表面雕刻图案以形成模具模型；在模具模型上进行结晶堆釉，以在模具模型的图案面形成结晶层；在结晶层上设置轻质坯体，轻质坯体的坯面朝向结晶层，形成生坯；高温烧制生坯，以使结晶层与轻质坯体的坯面融合，冷却后得到成品。利用结晶层的高温流动性，结晶层在高温的气氛下进行流动融合，烧成后，形成具有模具形态的结晶表面，把结晶层设在最底层，一次成型，能够提高陶瓷表面的质量，减小陶瓷表面开裂等缺陷的几率。
一种陶瓷表面装饰方法结晶轻质坯体

[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法-CN202210292108.7在审
发明人：中村英达;奥村启树;藤本好邦 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：该方法进行形成半导体晶片的第一工序，半导体晶片是在由碳化硅构成的起始基板上具有外延层的半导体晶片。接着，进行在设置于半导体晶片的划线中形成标记的第二工序。接着，进行第三工序，通过结晶缺陷检查装置检查外延层而检测外延层的结晶缺陷。接着，进行在半导体晶片形成预定的元件结构的第四工序。接着，在第四工序之后，进行切割半导体晶片使其单片化为半导体芯片的第五工序。接着，进行将在第三工序中未检测出结晶缺陷的半导体芯片筛选为合格品候选的第六工序。将结晶缺陷检查装置所识别的划线的端与划线没偏离的情况下的标记的端之间的距离设为10μm以上且25μm以下。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN200980152766.9无效
发明人：梶谷亮;田村聪之;春日井秀纪 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：氮化物半导体装置具备：在基板(101)上形成的第一氮化物半导体层(107)、在第一氮化物半导体层(107)上形成的缺陷导入层(108)、以及在缺陷导入层(108)上接触形成的具有露出缺陷导入层(108)的开口部的第二氮化物半导体层(109)。缺陷导入层(108)与第一氮化物半导体层(107)以及第二氮化物半导体层(109)相比，结晶缺陷密度较大。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]基底基板-CN202080006855.9在审
发明人：福井宏史;渡边守道;吉川润 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供高品质的基底基板，其具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，该取向层中的结晶缺陷(位错)显著降低。该基底基板具备用于13族元素的氮化物或氧化物结晶生长的取向层，取向层的用于结晶生长一侧的表面由具有a轴长度和/或c轴长度比蓝宝石的a轴长度和/或c轴长度大的刚玉型结晶结构的材料构成，且在取向层中存在多个气孔
基底

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200980139284.X有效
发明人：鸟居克行 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该IGBT(10)中，结晶缺陷层(25)在有源区(20)中形成于n层(102)中，在无源区(40)形成于p型基板(101)中。即，有源区(20)中的结晶缺陷层(25)形成于从表面观察时比无源区(40)中的结晶缺陷层(25)浅的位置。在该IGBT(10)中，通过上述构成使得空穴注入量在无源区(40)中减少，从而提高开关速度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]基底基板、功能元件及基底基板的制造方法-CN201880059295.6有效
发明人：后藤万佐司;坂井正宏;大上翔平;吉野隆史 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。
基底功能元件制造方法

[发明专利]一种金属辅助氧化镓结晶薄膜及其制备方法-CN202111652029.4在审
发明人：曹鸿涛;裴郁;梁凌燕 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属辅助氧化镓结晶薄膜的制备方法，包括在衬底表面真空沉积一层氧化镓薄膜；在氧化镓薄膜表面沉积一层金属结晶辅助层，所述金属结晶辅助层的材料为锌、铟或钛；对沉积结晶辅助层的氧化镓薄膜进行退火处理得到金属辅助氧化镓薄膜该方法可以在较低退火温度下制备出具有较高致密度和较少缺陷态的氧化镓薄膜样品。本发明还提供了金属辅助氧化镓结晶薄膜的制备方法制备金属辅助氧化镓结晶薄膜。
一种金属辅助氧化结晶薄膜及其制备方法

[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法及电子器件-CN201310193940.2无效
发明人：高田朋幸;山中贞则;秦雅彦;山本武继;和田一实 -专利权人：住友化学株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。
半导体制造方法电子器件

[发明专利]结晶缺陷评价方法-CN201780054775.9有效
发明人：齐藤久之 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种评价存在于硅晶片内的结晶缺陷的分布的结晶缺陷评价方法，在所述硅晶片上形成与评价的结晶缺陷的尺寸相同的厚度的氧化膜并测定所述硅晶片的GOI特性，在所述GOI特性下降的区域视为存在与所述氧化膜的厚度同等的尺寸的结晶缺陷，并根据所述GOI特性的测定结果来求出所述硅晶片内的评价的结晶缺陷尺寸的结晶缺陷分布。由此，提供一种即使是10nm以下的结晶缺陷尺寸，也能够求出结晶缺陷的分布的结晶缺陷评价方法。
结晶缺陷评价方法

[发明专利]低缺陷密度的改变取向的Si及其产品-CN200610005701.X无效
发明人：朱尔·佩雷拉·德·苏扎;凯斯·爱德华·福格尔;约翰·阿尔布雷什·奥特;德温德拉·库马尔·萨达纳;凯瑟琳·林恩·萨恩格尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过非晶化/模板再结晶(ATR)工艺形成低缺陷密度改变取向的Si的方法，其中具有第一晶体取向的Si的一些区域通过离子注入而被非晶化，然后被再结晶成具有不同取向的模板层的取向。更一般地，本发明涉及消除含Si单晶半导体材料中的缺陷所需的高温退火条件，该半导体材料通过离子注入导致的非晶化和从其取向可以与非晶层的初始取向相同或不同的层的模板再结晶而形成。本发明的方法的关键部分是在1250－1330℃的温度范围内几分钟至几小时的热处理，以去除在初始的再结晶退火之后留下的缺陷。本发明也提供了一种用在混合取向衬底中的通过ATR形成的低缺陷密度的改变取向的Si。
缺陷密度改变取向 si 及其产品

[发明专利]一种氮化镓单结晶基板的制造方法-CN202110215631.5在审
发明人：山本晓;张海涛;刘良宏;许彬;庞博 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氮化镓单结晶基板的制造方法，旨在解决现有技术制造氮化镓单晶基板存在结晶缺陷的问题，包括以下步骤：S1、选取铝镁酸钪(ScAlMgO4)作为衬底；S2、通过MOCVD有机金属气相生长法在所述衬底上生长GaN系缓冲层；S3、通过HVPE气相生长法在所述GaN系缓冲层上外延生长GaN单晶层；S4、将所述GaN单晶层切片，形成GaN单结晶基板；S5、研磨抛光；S6、洗净。基板的晶格常数和热膨胀系数同ScAlMgO4基板基本一致,所以通过MOCVD方法在ScAlMgO4基板上低温生长GaN系缓冲层，在作为第二阶段生长的GaN系缓冲层上通过HVPE法高温生长GaN单晶层，实现无位错、无结晶缺陷的高品质GaN结晶的制造。
一种氮化结晶制造方法

[发明专利]化合物半导体外延基板的制造方法-CN200480033046.8有效
发明人：小广健司;高田朋幸 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2004-11-08 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种凹状缺陷少的化合物半导体外延基板的制造方法。化合物半导体外延基板的凹状缺陷生成的抑制方法，其包括如下所述工序，即：在InP单结晶基板、或与InP单结晶基板晶格整合的外延层上，在V/III比：10～100、成长温度：630℃～700℃、成长速度：0.6μm/h～2μm/h的条件下，通过外延成长，而形成InGaAs层。
化合物半导体外延制造方法

[发明专利]C轴结晶IGZO薄膜及其制备方法-CN201611147744.1有效
发明人：王选芸 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种C轴结晶IGZO薄膜及其制备方法。本发明的C轴结晶IGZO薄膜的制备方法，通过采用原子层沉积的方法来制备C轴结晶IGZO薄膜，能够在原子水平上精确控制C轴结晶IGZO的结构，制得的C轴结晶IGZO的结晶质量好，氧缺陷较少，能够提高TFT的稳定性；并且由于本发明制得的C轴结晶IGZO薄膜中的结晶区域的面积较大，达百微米级至毫米级，因此可促进C轴结晶IGZO的规模化应用；同时本发明利用最优化的工艺条件来制备C轴结晶IGZO薄膜，可提高生产良率本发明的C轴结晶IGZO薄膜，C轴结晶IGZO的结晶质量好，氧缺陷较少，能够提高TFT的稳定性，同时结晶区域的面积较大，有利于C轴结晶IGZO的规模化应用。
薄膜制备结晶区域规模化氧缺陷原子层沉积工艺条件原子水平毫米级微米级最优化良率应用生产