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[发明专利]一种氮化镓基HEMT器件及其制备方法及芯片-CN202211310772.6在审
发明人：陈涛;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种氮化镓基HEMT器件、制备方法及芯片，通过在氮化镓基HEMT器件内集成肖特基二极管，该肖特基二极管由沟道层、势垒层、背部盖帽层以及背部栅极层组成，背部栅极层设于背部盖帽层的背面，并与同样位于背部盖帽层背面的衬底层互不接触，通过对背部栅极层的电压动态控制，实现较低的正向导通电阻以及较高的器件耐压，提高了器件在非嵌位感性负载开关过程测试中的性能，解决了相关技术中由于GaN基的HEMT
一种氮化 hemt 器件及其制备方法芯片

[实用新型]一种MEMS晶圆级封装结构-CN201721920803.4有效
发明人：吕娇;陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MEMS晶圆级封装结构，所述结构至少包括：晶圆，所述晶圆表面形成有MEMS结构和与所述MEMS结构电连的焊盘；具有深腔的盖帽层，键合于所述晶圆表面，所述MEMS结构容纳于所述深腔中；连接线，形成于所述焊盘表面；塑封层，形成于所述晶圆表面且覆盖所述盖帽层、所述连接线及所述焊盘；重新布线层，形成于所述塑封层表面且与所述连接线电性连接；金属凸块，形成于所述重新布线层上。本实用新型先在焊盘表面形成垂直的连接线，再形成覆盖连接线及盖帽层的塑封层，实现对MEMS结构的有效封装，这样可以避免采用传统的TSV封装结构，成本大幅度降低。
连接线晶圆表面盖帽层塑封层晶圆级封装结构本实用新型重新布线层焊盘表面焊盘深腔电性连接封装结构金属凸块传统的垂直的电连覆盖键合晶圆封装容纳

[发明专利]圆柱形锂离子电池防爆组合盖帽-CN201010522024.5无效
发明人：周卫炳 -专利权人：周卫炳
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01M2/04 文献下载
摘要：本发明公开了圆柱形锂离子电池防爆组合盖帽，包括小铝片、密封圈、防爆铝片、铝不锈钢盖帽，所述铝不锈钢盖帽包括依次设置的不锈钢层、铝不锈钢复合层、铝面层，铝不锈钢盖帽的铝面层与防爆铝片上端面焊接，所述防爆铝片的下端面与小铝片采用激光焊接，密封圈将铝不锈钢盖帽、防爆铝片、小铝片的边缘密封，所述密封圈开有圆形的放置槽，所述放置槽底部开有通孔，所述密封圈的放置槽的底部设有至少一根凸筋，所述铝不锈钢盖帽、防爆铝片设置在放置槽内，所述小铝片设置在通孔内
圆柱形锂离子电池防爆组合盖帽

[发明专利]一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法-CN202110974627.7在审
发明人：杨伟锋;帅浩 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域；器件结构依次包括：衬底；位于衬底上方的非故意掺杂(UID)β‑Ga2O3缓冲层；位于缓冲层上方的两侧被刻蚀的非故意掺杂(UID)β‑Ga2O3台面状沟道层β‑(AlGa)2O3势垒层；位于势垒层上方的β‑Ga2O3盖帽层和钝化层，以及位于盖帽层上方的栅电极。本发明提供的HFET器件结构在栅电极和势垒层之间生长了一层盖帽层，有效地减小了栅极的泄露电流，提高了器件的击穿电压和可靠性；此外，本发明采用钝化层以改善器件内部的电场分布，进一步提高了器件的击穿电压。
一种具有盖帽常开氧化 hfet 器件及其制备方法

[实用新型]一种纸筒封盖-CN201720246323.8有效
发明人：杨崇偶;杨连准;杨连早;冯秀炜 -专利权人：上海众邦制版科技有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： B65D3/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纸筒封盖，包括一体成型的环形固定端和盖帽，所述固定端内壁设置有粘性部件，所述粘性部件包括粘贴层和覆于粘贴层上的保护层，所述保护层上设置伸出端，用于撕除保护层，所述盖帽中心设有第一圆孔
一种纸筒封盖

[实用新型]一种方形铝壳电池盖板-CN202222395702.7有效
发明人：许海恬;陈德文;许明敬;王军;张宏;郑平;姚魁 -专利权人：深圳市亚陆行新能源材料有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01M50/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方形铝壳电池盖板，包括盖板本体和盖帽，所述盖板本体内腔的轴心处连通有注液管，所述注液管的外表面设置有外螺纹，所述盖帽的内表面设置有内螺纹，所述外螺纹与内螺纹之间螺纹连接，所述盖板本体的底部涂设有防静电层本实用新型通过设置盖板本体、盖帽、注液管、外螺纹、内螺纹、防静电层和防腐蚀层，共同构建了一个方形铝壳电池盖板，其中将盖板本体与电池盒铆接固定后，再从注液管将电池液加注进电池盒内，待注液完毕后，再通过外螺纹和内螺纹的配合，将盖帽扭紧在注液管上，提高注液管的密封性，而防静电层的设置，能够增加盖板的防静电性能，再通过防腐蚀层的设置，能够提高盖板的耐腐蚀性。
一种方形电池盖板

[发明专利]圆片级封装结构及其制作方法-CN202211498564.3在审
发明人：阮勇;尤政;郑雅欣;宋志强 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种圆片级封装结构包括衬底层、器件层和盖帽层，器件层形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合。盖帽层形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合，以与所述衬底层围设出一用于收纳所述器件层的真空腔。其中，所述衬底层的上表面设有电极，所述盖帽层上贯穿设有朝向所述电极的通孔，所述通孔内填充有互连结构，所述互连结构与所述电极电性连接。
圆片级封装结构及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201710094875.6在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区，所述PMOS区的衬底上形成有第一鳍片结构；在所述第一鳍片结构的源/漏区域形成第一应力层；形成覆盖所述第一应力层的第一盖帽层；形成覆盖所述第一盖帽层的层间介电层；执行刻蚀，以在所述层间介电层和第一盖帽层内形成第一接触孔开口，所述第一接触孔开口露出所述第一应力层；在所述第一接触孔开口中形成与所述第一应力层接触的金属硅化物；在所述第一接触孔开口中填充导电层
半导体器件接触孔应力层盖帽层开口衬底层间介电层金属硅化物鳍片结构半导体制造源/漏区域接触电阻导电层源漏区刻蚀覆盖填充

[发明专利]基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法-CN201410112734.9有效
发明人：康贺;王晓亮;肖红领;王翠梅;冯春;姜丽娟;殷海波;崔磊 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；一第一电极
基于 gan 基异质结构二极管制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110722194.6在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底和鳍部，基底上形成有具有栅极开口的层间介质层，栅极开口横跨鳍部，栅极开口侧壁形成有栅极侧墙；在栅极侧墙侧壁形成顶部高于鳍部顶部的牺牲侧墙；在栅极开口底部和侧壁形成栅介质层，栅介质层覆盖栅极开口露出的牺牲侧墙侧壁；在栅极开口中形成栅电极层，栅电极层和栅介质层构成栅极结构，且栅极结构露出牺牲侧墙顶部；去除牺牲侧墙，形成由栅介质层、栅极侧墙和基底围成的沟槽；在栅极结构顶部形成盖帽层，盖帽层密封沟槽的顶部，栅极结构、栅极侧墙、基底和盖帽层围成空气隙侧墙。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和电子装置-CN201810354998.3有效
发明人：杨天伦 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和电子装置，所述方法包括：提供基底，在所述基底中形成有底部空腔，在所述底部空腔中填充有牺牲材料层；在所述牺牲材料层的部分表面以及基底的部分表面上依次形成下电极、压电层和上电极，并露出牺牲材料层的部分表面，上电极和下电极上下部分重叠；形成介电层，以覆盖基底的正面，并且介电层的顶面高于上电极的顶面；形成贯穿介电层的顶部空腔，顶部空腔露出部分所述上电极以及所述牺牲材料层的部分表面；提供盖帽衬底，将盖帽衬底与基底形成有所述介电层的一侧相接合；形成至少一个释放孔，释放孔贯穿基底露出部分牺牲材料层，或者，释放孔贯穿盖帽衬底露出部分顶部空腔；去除牺牲材料层。
一种薄膜声波谐振器及其制造方法电子装置

[发明专利]用于带沟槽和带芯片器件的盖帽、配有盖帽的器件、器件与有线元件的组装件和它们的制造方法-CN201380058912.8有效
发明人： D·维卡德;J·布鲁恩 -专利权人：原子能及能源替代委员会
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明涉及要与至少一个带芯片元件(2)组装的盖帽(1)，该盖帽包括界定形成用于容纳有线元件(12)的第一沟槽(4)的一部分的至少一个肩部(3)的多个电绝缘层的叠层(1a)。盖帽还包括：布置在要安装于带芯片元件(2)的表面上的叠层的组装表面(7)上的至少一个电接触片(6)；布置在肩部(3)的壁处的至少一个电连接端子(5、5′)；电连接所述电连接端子(5)与电接触片(6)的电连接元件
用于沟槽芯片器件盖帽配有有线元件组装它们制造方法

[发明专利]兼具栅介质与刻蚀阻挡功能结构的功率器件及制备方法-CN201910361971.1有效
发明人：黄火林 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：兼具栅极电介质和刻蚀阻挡层功能结构的常关型功率器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明通过在具有栅极p型盖帽层的常规高电子迁移率晶体管外延结构势垒层上方插入介质层和过渡层复合结构，从而增大栅区耐压和常关型操作阈值电压；栅极单晶材料过渡层设计可有效提高其上方p型盖帽层单晶外延质量，而厚的插入介质层设计可以防止栅区外侧p型盖帽层过刻蚀，保证二维电子气沟道具有不受损伤的沟道界面，从而保证器件优良的导通电流密度(或者导通电阻)特性。此外，本发明复合插入层结构设计能给器件制作过程带来较大的刻蚀工艺偏差容忍度，因此提高产品性能均匀性和成品率。
兼具介质刻蚀阻挡功能结构功率器件制备方法

[实用新型]碘化亚铜试纸和巯基纸探测头装置-CN201821275624.4有效
发明人：张勇;杜晓彤;张晓娟 -专利权人：天津市光复科技发展有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碘化亚铜试纸和巯基纸探测头装置，包括圆筒主体、盖帽、硅胶圈垫以及试纸片，所述圆筒主体上下端均为一体制有的径向收口结构，在圆筒主体的上端收口处同轴啮合盖帽，所述盖帽中部制有与圆筒上部收口内径相同的圆孔；在圆筒主体上部的收口端部处与盖帽之间同轴嵌装两层硅胶圈垫，硅胶圈垫中部制有与圆筒上部收口内径相同圆孔，两层硅胶圈垫之间同轴嵌装试纸片，试纸片为碘化亚铜试纸或巯基纸，在圆筒主体上部盖帽外和圆柱主体下部的收口处外缘均同轴啮合有护套
圆筒主体盖帽试纸收口碘化亚铜硅胶圈同轴巯基试纸片探测头啮合两层嵌装圆孔本实用新型检测灵敏度二次污染径向收口圆柱主体收口端上端检测富集护套申请

[实用新型]真空采血管自动装配系统-CN201320261013.5有效
发明人：刘朝阳 -专利权人：刘朝阳
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： A61B5/154 文献下载
摘要：作业平台主体由上层托板、旋转工位盘和下层托板构成，装管装置由试管托架和装管轨道及装管工装和试管暂存器构成，所述喷雾加液装置由下行轨道、喷嘴架、驱动气缸、精量液体泵构成，盖帽装置由盖帽托架、盖帽轨道及盖帽提取装置构成，盖帽提取装置由下行轨道、涨塞和真空吸嘴构成，本实用新型的真空采血管自动装配系统的作业平台采用三层结构，消除了传统工位间试管夹具传递造成的时间损失，不但工位间距缩小，节省了占地面积，而且三层结构紧凑有效利用空间
真空血管自动装配系统