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[发明专利]一种非制冷红外探测器及其制作方法-CN202210078270.9在审
发明人：黄立;蔡光艳;马占锋;高健飞;王春水;汪超;叶帆 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：本发明涉及红外探测器领域，具体涉及一种非制冷红外探测器及其制作方法，包括读出电路、MEMS器件和盖帽，盖帽的内侧设有第一吸气剂层，读出电路上对应MEMS器件的位置处设有第二吸气剂层；具体是先在读出电路上对应MEMS器件的位置处制作第二吸气剂层，然后旋涂牺牲层，接着刻蚀牺牲层，制作MEMS器件，并在有效元dummy、衬底参考元以及盲元的上方制作第三吸气剂层，最后制作盖帽，并在盖帽的内侧除对应有效元的位置之外的区域制作第一吸气剂层，将盖帽与读出电路键合，完成真空封装。本发明通过在悬空MEMS器件的下面、部分MEMS器件的上面以及盖帽内侧制作吸气剂层，可以有效地增加吸气剂的面积，增加对残余气体的吸收，提高了器件的真空度，增加了器件的使用寿命。
一种制冷红外探测器及其制作方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201610079609.1有效
发明人：神兆旭 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述半导体衬底表面具有介质层和穿透所述介质层的第一凹槽，所述第一凹槽位于第一区域上；在所述第一凹槽的内壁表面依次形成栅介质层、位于栅介质层表面的盖帽层；在所述盖帽层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖位于第一凹槽底部的部分盖帽层；以所述第一掩膜层为掩膜，去除位于第一凹槽侧壁上的盖帽层，暴露出第一凹槽侧壁表面的栅介质层表面；去除所述第一掩膜层，形成覆盖所述栅介质层和盖帽层的刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成功函数层；在功函数层上形成填充满第一凹槽的栅极层。
晶体管形成方法

[发明专利]一种电池制作方法及电池-CN202010382980.1有效
发明人：李吉栋;徐悦斌;何巍;祝媛;李碧梅;陈玉梅;刘建华;刘金成 -专利权人：惠州亿纬锂能股份有限公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01M50/109 文献下载
摘要：本发明公开一种电池制作方法及电池，其中，电池的制作方法为：在电池的底壳和盖帽组装前于所述盖帽内粘接一金属防腐层，然后热压所述金属防腐层，使所述金属防腐层至少部分与所述盖帽的内侧壁接触，使所述电池的电芯的正极耳与所述金属防腐层焊接本发明的电池制作方法操作简单，可有效防止盖帽腐蚀，提升电池的使用安全性。
一种电池制作方法

[发明专利]一种OLED显示面板、制备方法及包含其的电子设备-CN201710174864.9有效
发明人：李洁;滨田;王湘成;牛晶华;马会会 -专利权人：上海天马有机发光显示技术有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种OLED显示面板，包括：基板；有机发光器件，包括依次设置于所述基板一侧的第一电极、包括有机发光层的叠层和第二电极；盖帽层，设置于所述第二电极远离所述基板一侧；所述盖帽层的材料具有式(I)结构的化合物本发明提供了至少具有由式(I)结构的化合物形成的盖帽层，所述盖帽层能够提高所述OLED显示面板的出光率，有效阻挡水和氧，起到保护OLED显示面板不受水氧侵蚀的作用。
一种 oled 显示面板制备方法包含电子设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111392098.6在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底包括第一介电层，所述第一介电层中形成有贯穿所述第一介电层的第一互连结构；在所述第一互连结构的顶部形成盖帽层；形成所述盖帽层之后，在所述第一介电层和盖帽层的顶部形成应力缓冲层；在所述应力缓冲层的顶部形成第二介电层；形成所述第二介电层之后，在所述第一互连结构的顶部形成贯穿所述第二介电层、应力缓冲层和盖帽层的第二互连结构，所述第二互连结构的底部与所述第一互连结构的顶部电连接。所述应力缓冲层降低了所述第一互连结构和盖帽层、与所述第二介电层之间出现分层或者出现空隙的概率，进而提高了所述半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201710439996.X在审
发明人：姚陆军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管及其形成方法，对于有源区边缘的第一盖帽层，即靠近隔离区的栅极结构一侧的第一盖帽层，形成之后还进行了优化处理，使得所述第一盖帽层靠近所述隔离结构的一端的厚度大于或等于另一端的厚度，由此提高了所述第一盖帽层的质量，避免在后续工艺中，发生第一盖帽层击穿的现象而形成高接触电阻及高漏电流，使得形成的有源区边缘的晶体管能够达到理想的器件性能，即提高了晶体管的质量。
盖帽层晶体管源区边缘隔离结构后续工艺器件性能优化处理栅极结构高接触隔离区漏电流击穿电阻

[实用新型]钢壳圆柱锂离子电池-CN201520806616.8有效
发明人：关成善;宗继月;张敬捧;王勇;李涛 -专利权人：山东精工电子科技有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：一种钢壳圆柱锂离子电池，钢壳包括下侧的电芯封装段和上侧的盖帽封装段，电芯封装段的外面设有镀镍层，电芯封装段的横截面内径小于盖帽封装段任意一处的横截面内径，电芯封装段的上端与盖帽封装段的下端之间一体密闭固定连接有盖帽托板，电芯位于电芯封装段内，盖帽封压在盖帽托板上，盖帽封装段上部冲压后封装在盖帽上。盖帽封装段的上部开设有开口向上的收缩缝，收缩缝为三角形。盖帽封装段的内部空间为圆柱体或底面直径上大下小的圆锥体。盖帽托板水平设置或呈外高内低设置。钢壳的口部粗，口部以下部分细，且该段外面带有镀镍层，电芯入壳、点底、干燥、注液、焊接完盖帽后，钢壳粗细连接处（即盖帽托板）托住盖帽，将钢壳收口。
圆柱锂离子电池

[发明专利]高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法-CN202011294203.8在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法，栅极的形成步骤包括：步骤一、形成包含有高介电常数层的栅介质层；步骤二、在高介电常数层表面形成第一盖帽层；步骤三、在氨气气氛下进行金属后退火以对高介电常数层进行氮化处理；步骤四、将第一盖帽层去除，之后再形成第二盖帽层，第二盖帽未受金属后退火影响而为非晶结构。
介电常数金属 mos 晶体管制造方法

[发明专利]一种磁性随机存取存储器及其制备方法-CN202210348973.9在审
发明人：李辉辉;赵超 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：一种磁性随机存取存储器(MRAM)及其制备方法，MRAM包括：基底；底电极，所述底电极设置在所述基底一侧；磁性隧道结，设置在所述底电极远离所述基底的一侧；硬掩膜层，设置在所述磁性隧道结远离所述基底的一侧；保护层，所述保护层包括多个带有通孔的第一盖帽，所述第一盖帽包裹所述底电极的侧壁、所述磁性隧道结的侧壁和所述硬掩膜层的侧壁，所述第一盖帽的通孔允许所述硬掩膜层顶部露出；磁屏蔽层，所述磁屏蔽层包括多个第二盖帽，所述第二盖帽包裹所述第一盖帽的侧壁和顶部。
一种磁性随机存取存储器及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010760781.X在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供有栅极结构的基底，栅极结构顶部有栅极盖帽层，栅极结构两侧基底中有源漏掺杂区，基底上有底部介质层，基底包括用于形成共享接触插塞的共享接触区，位于共享接触区的源漏掺杂区为第一源漏掺杂区，剩余为第二源漏掺杂区；在底部介质层中形成与第二源漏掺杂区相连的第一源漏互连层、以及位于第一源漏互连层顶部的源漏盖帽层；在底部介质层中形成与第一源漏掺杂区相连的第二源漏互连层；形成覆盖栅极盖帽层、源漏盖帽层、第二源漏互连层和底部介质层的顶部介质层；在共享接触区中，形成贯穿顶部介质层和栅极盖帽层的共享接触插塞。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201610984921.5有效
发明人：黄秋铭;谭俊;颜强;周海锋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的半导体器件制备方法包括：第一步骤：提供半导体基体，并且图案化蚀刻半导体基体以形成凹陷；第二步骤：在半导体基体凹陷内外延生长SiGe材料；第三步骤：在SiGe材料上外延生长形成第一盖帽层；第四步骤：在第一盖帽层上外延生长第二盖帽层。采用本发明的半导体器件制备方法的双盖帽工艺后能够显著改善盖帽层形貌，有利于后续金属硅化物的形成。
半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种节水出水嘴-CN201721696170.3有效
发明人：程银华 -专利权人：抚州市银圣王洁具有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： F16K27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种节水出水嘴，其包括出水嘴主体和盖帽，盖帽活动连接在出水嘴主体的上端，出水嘴主体内设有过水腔和出水腔，并且通过隔板隔开，盖帽为半球形，其内部填充清洁滤层，隔板连接在清洁滤层的下端，过水腔的水通过清洁滤层进入出水腔内本实用新型的有益效果有：采用出水腔和过水腔设计，当关闭出水时，由于挡板的作用，过水腔中的水不会流出，达到节水的目的；设置有螺纹连接的盖帽，盖帽中有清洁滤层，可起到清洁作用，更换清洗液十分便捷。
盖帽过水腔滤层出水腔出水嘴清洁本实用新型节水出水嘴隔板挡板活动连接螺纹连接内部填充清洁作用半球形隔板隔清洗液上端出水下端流出节水

[发明专利]一种GaN基功率电子器件及其制备方法-CN201610265883.8有效
发明人：黄森;刘新宇;王鑫华;魏珂;包琦龙;王文武;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种GaN基功率电子器件，包括衬底和衬底之上的外延层，所述外延层包括GaN基异质结构层、超晶格结构层和P型盖帽层，所述超晶格结构层设置于所述异质结构层之上，所述P型盖帽层设置于所述超晶格结构层之上。通过该电子器件，进一步扩展了基于P‑Al(In,Ga)N盖帽层技术制备的GaN基功率电子器件的栅压摆幅和安全栅压范围，并且提高器件的动态特性，从而推动基于P‑Al(In,Ga)N盖帽层技术的GaN基功率电子器件的应用进程
一种 gan 功率电子器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置-CN201510107509.0在审
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成二氧化硅层；向所述二氧化硅层注入氮原子以形成氮氧化硅薄膜；在所述氮氧化硅薄膜上形成盖帽层；在所述盖帽层上涂覆光刻胶并曝光，以得到图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，依次去除曝光的盖帽层、氮氧化硅薄膜和二氧化硅层；去除所述氮氧化硅薄膜上方图形化的光刻胶层；去除所述氮氧化硅薄膜上方的盖帽层，得到图形化的界面氧化层。本发明提供的半导体器件制作方法，由于设置有盖帽层在去除光刻胶时可以完全去除而不会有光刻胶残余，这样最终形成高质量的、没有光刻胶残余的界面氧化层。
半导体器件制作方法电子装置

[实用新型]一种锂电池盖帽-CN201820652128.X有效
发明人：汪亚非;郝俊;郝彦青 -专利权人：自贡同发荣实业有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01M2/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锂电池盖帽，包括顶层、次顶层、上螺纹层、减压层及下螺纹层，顶层、次顶层、上螺纹层、减压层及下螺纹层之间的连接处设有纳米碳纤维涂层，本实用新型一种锂电池盖帽解决了现有技术中盖帽带来的缺陷
锂电池盖帽本实用新型次顶层减压层上螺纹下螺纹顶层锂离子电池生产纳米碳纤维盖帽制造