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[发明专利]空穴型半导体电控量子点器件，其制备及使用方法-CN201710498737.4有效
发明人：李海欧;袁龙;王柯;张鑫;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：其包含非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103)；欧姆接触源极(201)和漏极(204)，依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102)，进入非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm；至少两个量子点小电极(402)，位于欧姆接触源极(201)和漏极(204)之间，处于表面非掺杂GaAs盖帽层上(103)；绝缘层(500)，覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层(103)、量子点小电极(402)、以及欧姆接触源极(201)和漏极(204)的至少一部分；和栅极纳米条带(602)，设置在绝缘层(500)上，并且水平投影与欧姆接触源极(201)、漏极(
空穴半导体量子器件制备使用方法

[实用新型]空穴型半导体电控量子点器件和装置-CN201720754015.6有效
发明人：李海欧;袁龙;王柯;张鑫;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：其包含非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103)；欧姆接触源极(201)和漏极(204)，依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂AlGaAs层(102)，进入非掺杂GaAs衬底(101)至少5nm；至少两个量子点小电极(402)，位于欧姆接触源极(201)和漏极(204)之间，处于表面非掺杂GaAs盖帽层上(103)；绝缘层(500)，覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层(103)、量子点小电极(402)、以及欧姆接触源极(201)和漏极(204)的至少一部分；和栅极纳米条带(602)，设置在绝缘层(500)上，并且水平投影与欧姆接触源极(201)、漏极(
空穴半导体量子器件装置

[发明专利]有机器件上的非共用盖帽层-CN201210286949.3有效
发明人： M·S·韦弗;M·哈克 -专利权人：通用显示公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本公开涉及有机器件上的非共用盖帽层。具体涉及第一方法，其包括在第一衬底上提供多个有机发光器件(OLED)。每个OLED包括透光顶部电极。第一方法进一步包括将第一盖帽层沉积在多个OLED中的至少第一部分上，以使得第一盖帽层光学耦合到多个OLED中的至少第一部分。将第二盖帽层沉积在多个OLED中的至少第二部分上，以使得第二盖帽层光学耦合到多个OLED中的第二部分，而不光学耦合到多个OLED中的第一部分。
有机器件共用盖帽

[发明专利]有机器件上的非共用盖帽层-CN201610467166.3有效
发明人： M·S·韦弗;M·哈克 -专利权人：通用显示公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本公开涉及有机器件上的非共用盖帽层。具体涉及第一方法，其包括在第一衬底上提供多个有机发光器件(OLED)。每个OLED包括透光顶部电极。第一方法进一步包括将第一盖帽层沉积在多个OLED中的至少第一部分上，以使得第一盖帽层光学耦合到多个OLED中的至少第一部分。将第二盖帽层沉积在多个OLED中的至少第二部分上，以使得第二盖帽层光学耦合到多个OLED中的第二部分，而不光学耦合到多个OLED中的第一部分。
盖帽层光学耦合有机器件沉积有机发光器件顶部电极透光衬底

[发明专利]金属-半导体场效应晶体管及其制作方法-CN200910022013.8无效
发明人：吕红亮;张睿;张玉明;张义门;郭辉;郑少金;王德龙;张甲阳 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：该晶体管包括：半绝缘型碳化硅衬底(1)、p型碳化硅缓冲层(2)、n型碳化硅导电沟道层(3)、n+盖帽层(5)，源极(7)和漏极(8)，其中n型导电沟道层(3)与n+盖帽层(5)之间设有n型碳化硅缓冲层(4)，该缓冲层内埋有栅极(6)，形成埋沟-埋栅结构。该器件制作的过程为：在半绝缘碳化硅衬底上依次外延生长p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅沟道层、n型碳化硅缓冲层、n+盖帽层，在n+盖帽层上刻蚀栅凹槽窗口及牺牲氧化，并通过蒸发金属、剥离形成源极、漏极及栅极。
金属半导体场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种磁性随机存取存储器及其制备方法-CN202210348376.6在审
发明人：李辉辉;张云森;赵超 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：一种磁性随机存取存储器(MRAM)及其制备方法，所述MRAM包括：基底；底电极；磁性隧道结；顶电极；第一保护层，包括多个带有通孔的第一盖帽，所述第一盖帽包裹所述磁性隧道结的侧壁和所述顶电极的侧壁，所述第一盖帽的通孔允许所述顶电极顶部露出；第二保护层，包括多个带有通孔的第二盖帽，所述第二盖帽包裹所述第一盖帽的侧壁和顶部，所述第二盖帽的通孔允许所述顶电极顶部露出。
一种磁性随机存取存储器及其制备方法

[实用新型]一种圆柱型锂离子二次电池-CN201220198397.6有效
发明人：胡伟 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本实用新型属于锂离子二次电池技术领域，尤其涉及一种圆柱型锂离子二次电池，包括电池壳体、收容于电池壳体内的电芯、填充于电池壳体内的电解液，以及密封组接于电池壳体上的电池盖帽，电芯的中央区设置有中心空间，中心空间设有中心管，电芯由正极片、负极片和设置于正极片和负极片之间的隔膜卷绕而成，电池盖帽的表面设置有封闭剂层。相对于现有技术，本实用新型通过在电池盖帽的表面设置封闭剂层，可以有效地将电池盖帽基材和外界隔绝，从而防止电解液或外界浸蚀性介质对电池盖帽的腐蚀，起到较好的防锈作用，从而防止电池盖帽的锈蚀，保护电池的外观，并防止电池盖帽的溶穿，提高电池的安全性能。
一种圆柱锂离子二次电池

[发明专利]基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT-CN201310171111.4在审
发明人：房玉龙;冯志红;尹甲运;王元刚;盛百城;敦少博;吕元杰;宋旭波;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明自上而下依次包括盖帽层、势垒层、沟道层、阻挡层、耐压层、集电层、发射极、集电极和凹槽栅极；将凹槽栅极延伸到盖帽层及其以下的部分称为栅根；栅根的深度不小于盖帽层、势垒层、沟道层和阻挡层的深度之和；阻挡层为本发明在原有的IGBT中应用特殊结构的凹槽栅极，使得发射区载流子可以沿凹槽栅极的侧壁穿过阻挡层进入耐压区；阻挡层采用大禁带宽度的InxAlyGa1-x-yN，可抬高阻挡层势垒，起到天然阻挡层的作用，因而无需在材料外延生长过程中进行阻挡层挖槽，解决了盖帽层、势垒层、沟道层需要二次外延的问题。
基于 iii 氮化物材料凹槽栅极结构 igbt

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111561592.0在审
发明人：赵君红 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括相邻接的第一器件区和第二器件区，第一器件区和第二器件区的基底上分别形成有沟道层结构，包括一个或多个间隔的沟道层，在第一器件区和第二器件区交界处，相邻沟道层结构之间形成有覆盖沟道层结构相对侧壁的初始隔离墙；在初始隔离墙的侧壁形成盖帽层，盖帽层覆盖初始隔离墙高于沟道层结构顶面的部分侧壁，盖帽层底部与最顶部的沟道层之间具有间隔，盖帽层与初始隔离墙共同作为隔离墙；形成横跨沟道层结构和隔离墙栅极结构；在隔离墙顶部形成贯穿栅极结构的第一隔断开口
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法-CN202310021292.6在审
发明人：廖世容;万远涛;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2023-01-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法，APD探测器芯片的光敏面为方形，探测器芯片包括雪崩光电二极管APD，雪崩光电二极管APD包括由下至上依次堆叠的：衬底、缓冲层、吸收层、电荷层和盖帽层；盖帽层中，通过有源区由盖帽层上表面向下扩散形成P型层，P型层为光敏区；P型层连接有P型电极，衬底连接有N型电极。
一种 apd 探测器芯片及其阵列制备方法

[实用新型]西林瓶及西林瓶消毒盖帽-CN201921702142.7有效
发明人：倪世利;李文政;郭崇伟;温鹏辉 -专利权人：山东威高普瑞医药包装有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： A61J1/05 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种西林瓶消毒盖帽，包括盖帽主体，盖帽主体上开设有穿刺孔；穿刺孔内可拆卸的设置有消毒盖板，消毒盖板的内侧设置有对盖帽主体的盖装侧进行消毒的消毒层。盖帽主体上设置用于针头穿入的穿刺孔，通过在穿刺孔内预置消毒盖板，由消毒盖板内侧的消毒层对盖帽主体的盖装侧消毒接触，消毒盖板由其可拆卸结构，在西林瓶使用时，将消毒盖板取出，穿刺孔露出即可直接进行西林瓶的取液
西林消毒盖帽

[实用新型]一种带有USB接口的充电电池-CN202120328510.7有效
发明人：杨志勇 -专利权人：惠州市佳创铭科技有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01M50/242 文献下载
摘要：本实用新型公开的属于充电电池技术领域，具体为一种带有USB接口的充电电池，包括外壳和导电盖帽，所述外壳内腔安装有电池，所述电池和外壳之间安装有保护层，所述电池左侧设置有USB接口，所述外壳右侧设置有电池负极，所述外壳左侧顶部和底部安装有铁片，所述导电盖帽右侧设置有密封垫，所述导电盖帽左侧设置有电池正极，所述导电盖帽中间设置有插接槽，所述导电盖帽右侧内壁设置有磁铁，通过电池外壁设置的防护层可以保护电池受到外力的压力造成损坏和防止电池内部进水造成电池损坏，通过铁片和磁铁可以增加导电盖帽和外壳连接的稳定性，通过密封垫可以增加密封性防止灰尘进入USB接口造成USB接口的接触不良。
一种带有 usb 接口充电电池

[发明专利]一种嵌入式SiGe结构及其制备方法-CN202010212644.2在审
发明人：张鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式SiGe结构及其制备方法，提供基底，在基底上形成阱；在阱上制作栅极绝缘层并在栅极绝缘层上淀积多晶硅；刻蚀多晶硅形成栅极；在栅极侧壁形成第一侧墙；在阱的所述栅极两侧形成SiGe结构的沟槽；在沟槽中淀积构成SiGe结构的种子层；接着在种子层上生长构成SiGe结构的体层，在体层上形成盖帽层；在体层和盖帽层之间掺入碳原子，形成位于体层和盖帽层之间的含碳阻挡层。本发明通过优化SiGe结构的生长工艺，在体层和盖帽层生长层之间掺入碳原子，形成生成SiGeC层，可以有效抑制硼原子向体层、以及沟道中扩散，减小器件的漏电流并抑制器件的短沟道效应。
一种嵌入式 sige 结构及其制备方法

[发明专利]一种基于FBAR结构的压力传感器及其制备方法-CN202111580991.1在审
发明人：盖广洪;白鹤 -专利权人：苏州航凯微电子技术有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01L1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FBAR结构的压力传感器，涉及传感器技术领域，包括基底，基底顶部开设有凹槽，基底表面覆盖有绝缘层；绝缘层与基底顶部凹槽包围形成空气腔室；绝缘层上覆盖有支撑层，支撑层上设置有压电振荡堆；基底底部还开设有背部凹槽；还包括封装盖帽，封装盖帽键合安装于基底顶部；封装盖帽底部设置有容纳压电层和顶电极的凹槽；封装盖帽上还开设有上下贯穿的通孔，通孔内壁覆盖有金属种子层，通孔内还填充有通孔金属。
一种基于 fbar 结构压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种基于p型Ni1-x-CN201910827734.X在审
发明人：李效民;黎冠杰;闫发旺;朱秋香;赵俊亮;高相东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于p型Ni1‑xLixO盖帽层的HEMT器件异质结构及其制备方法和应用，所述基于p型Ni1‑xLixO盖帽层的HEMT器件异质结构包括：AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底，以及外延生长在所述AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底中AlGaN层表面的p型Ni1‑xLixO盖帽层；其中0.05≤x≤0.30。
一种基于 ni base sub

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