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[实用新型]一种防漏液及防渗液的锂电池-CN201720800297.9有效
发明人：韩峰;欧阳万忠;王强民 -专利权人：天能集团（河南）能源科技有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01M2/02 文献下载
摘要：包括外壳体、内壳体,所述内壳体内设置有盖帽、卷芯、正极耳、负极耳、PTFE层、垫片、防爆片、连接盖板，所述卷芯与盖帽依次通过正极耳、连接盖板、防爆片、垫片电性连接，内壳体上顶板与盖帽之间设置有PTFE层，内壳体上顶板上设置有多个垂直于内壳体上顶板第二通孔，连接盖板、防爆片、垫片上设置有与PTFE层对应的第一通孔，内壳体外部设置有与内壳体密封连接的外壳体，外壳体的上顶板上设置有多个导气孔，导气孔内填充有PTFE层。本实用新型，结构简单，实现了现有技术中点胶所要达到密封的理想效果，且盖帽封口前节省了点胶环节，这样，简化了生产工艺，降低了生产成本。
一种防漏防渗锂电池

[发明专利]一种显示面板及其显示装置-CN201811081462.5有效
发明人：那晓曦;牛晶华;戴铭志;程爽;刘银河 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示面板为顶发光结构，该显示面板包括：衬底基板，位于衬底基板一侧的像素定义层，所述像素定义层包括开口区和非开口区，开口区与所述非开口区不交叠；多个发光元件，所述发光元件与所述像素定义层的开口区相对应，所述发光元件包括阳极、发光层和第一阴极，其中，所述发光层位于所述像素定义层的开口区内；位于所述第一阴极背离所述衬底基板一侧的盖帽层，所述盖帽层覆盖多个所述发光元件；所述盖帽层包括第一掺杂剂，所述第一掺杂剂包括碱土金属元素或者过渡金属元素
一种显示面板及其显示装置

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN202111017571.2在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法，通过提供衬底结构，该衬底结构包括衬底、一个或多个有源鳍片、多个栅极结构、外延源漏极和覆盖外延源漏极的底部层间介质层，形成覆盖栅极结构顶部的盖帽层，形成覆盖盖帽层和底部层间介质层的层间介质层并平坦化，图案化层间介质层以形成接触开口，露出外延源漏极，在接触开口中形成接触插塞并平坦化，对间隔栅极结构外延源漏极上方的的接触插塞进行全部刻蚀、栅极结构上方的层间介电层进行部分刻蚀，对间隔外延源漏极栅极结构上方的盖帽层进行全部刻蚀
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种显示面板和显示装置-CN201910647282.7有效
发明人：宋小贤;李贵芳;黄智 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示面板包括基板以及层叠设置于基板一侧的发光单元和盖帽层，盖帽层位于发光单元远离基板一侧的表面；基板包括平面区和弯折区，盖帽层在平面区的光学厚度大于盖帽层在弯折区的光学厚度，弯折区的微腔效应比平面区的微腔效应弱
一种显示面板显示装置

[发明专利]一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构-CN202310194573.1有效
发明人：涂学凑;吴强强;王卧虎;周淑宇;赵清源;张蜡宝;贾小氢;陈健;王华兵;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构，其MEMS硅腔体盖帽层位于太赫兹探测器芯片的上方，盖住太赫兹探测器芯片的探测部分；金属平面反射镜位于太赫兹探测器芯片的背面，对入射到太赫兹探测器芯片衬底的信号进行反射；MEMS硅腔体盖帽层、太赫兹探测器芯片、金属平面反射镜三者堆叠互连构成复合谐振结构，使得探测器芯片处的电场谐振增强。本发明改变盖帽层深硅刻蚀的厚度可以实现探测器芯片处的电磁场能量增强，提高探测器的灵敏度；改变探测器衬底厚度、MEMS硅腔体盖帽硅层厚度与空气腔厚度可以实现不同谐振频率的探测和滤波效果，提高太赫兹探测器芯片三维封装的设计自由度
一种赫兹探测器芯片三维封装结构

[发明专利]用于微机电系统的密封封装-CN201180055792.7有效
发明人： J·布雷泽克;约翰·加德纳·布卢姆斯伯;C·阿卡 -专利权人：快捷半导体公司
申请日： 2011-09-18 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：一个示例包括：集成电路，其包括至少一个电气互连点，所述至少一个电气互连点布置在远离所述集成电路的主体部分延伸的细长臂上；以及包括振荡部分的微机电层，所述微机电层耦合到所述集成电路的所述主体部分，其中，所述微机电层包括盖帽，所述盖帽包括延伸到所述集成电路的膜。
用于微机系统密封封装

[实用新型]组合式单向排水阀-CN201420780248.X有效
发明人：余波 -专利权人：天合（宁波）电子元件紧固装置有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： F16K15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种组合式单向排水阀，包括圆形的底座和带槽盖帽，其中：底座与带槽盖帽连接处的外侧沿圆周方向设置有外卡钩、内侧设置有内密封圈，内密封圈和外卡钩之间形成一狭缝，底座与带槽盖帽通过狭缝安装到位，且带槽盖帽相对底座沿该狭缝可以上下活动；带槽盖帽上沿圆周方向设置有卡钩，该卡钩与底座上的外卡钩相互锁扣，以确保带槽盖帽不会从底座上脱落；带槽盖帽上沿边沿纵向设置有槽，底座上也设置有槽，水通过底座上的槽沿密封圈流向带槽盖帽，并从带槽盖帽上的槽流出，从而实现所述排水阀排水的功能。本实用新型用组合阀门式结构解决阀片自由开合的难题，并最大化提高生产效率和降低成本，产品耐久性能也得到很大层度的提高。
组合式单向水阀

[实用新型]穿针引线器-CN201020143275.8无效
发明人：马光远;王化伟 -专利权人：马光远
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： D05B87/02 文献下载
摘要：其特征是，包括穿针引线器主体和盖帽；所述的穿针引线器主体呈细长针状，一端设有粘性物；所述的盖帽内壁设有一层光滑不粘层，盖帽罩在粘性物的外侧。使用时，将需要穿过针孔的线末端粘在穿针引线器的粘性物上，将穿针引线器主体穿过针孔，便将线带着穿过了针孔，使用完毕后，将穿针引线器主体取下，将盖帽盖好。
穿针引线

[实用新型]一种锂电池盖帽-CN202120821586.3有效
发明人：程远 -专利权人：天津天缘科技有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01M50/333 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锂电池盖帽，包括电池本体与盖帽本体，所述电池本体的两内侧壁顶端均开设有安装槽，所述盖帽本体的两端均延伸至安装槽内部，且盖帽本体与安装槽之间设置有第一密封圈，所述盖帽本体下表面设置有防护层，所述盖帽本体的下方设置有防爆板与连接板，且连接板的中间位置开设有排气口，所述连接板与盖帽本体之间均匀固定连接有多个支撑柱。进一步增强电池本体的密封性，泄气减压与排气散热的同时能够阻隔电解液泄漏避免污染周边环境，通过设置的固定夹与调节机构，能够固定导线导芯并快速与电机抵紧实现电路连通，无需焊接即可快速接线，简化拆装操作，线路改接时无需将盖帽取下整体防护性较高
一种锂电池盖帽

[发明专利]嵌入式外延层的制造方法-CN202110330148.1在审
发明人：涂火金;张瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式外延层的制造方法，包括步骤：步骤一、对硅衬底进行刻蚀在栅极结构两侧自对准形成凹槽；步骤二、在凹槽中填充嵌入式外延层，包括如下分步骤：步骤21、进行第一次选择性外延生长在凹槽内侧表面的单晶硅上生长缓冲层，同时在栅极结构的多晶硅栅的侧面和顶部位置处形成颗粒缺陷；步骤22、在相同的外延生长腔体通入刻蚀气体进行回刻以去除颗粒缺陷；步骤23、进行第二次选择性外延生长依次形成主体层和盖帽层，主体层和盖帽层的材料都和缓冲层的材料相同，由缓冲层、主体层和盖帽层叠加形成嵌入式外延层。本发明能消除嵌入式外延层的外延生长过程中产生的颗粒缺陷，从而能提高产品的良率。
嵌入式外延制造方法

[发明专利]一种FDSOI的锗硅层的制作方法-CN202111053103.0在审
发明人：陈勇跃;洪佳琪;颜强;谭俊;周海锋;成鑫华;方精训 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种FDSOI的锗硅层的制作方法，方法包括：提供SOI基片；在SOI基片的顶层硅上外延形成锗硅层；形成覆盖锗硅层的硅盖帽层；在硅盖帽层上沉积含有氧自由基的氧化物，以形成氧化物材料层；在锗硅层表面热氧化形成氧化层，锗硅层的厚度同时被减小，利用氧化物材料层中氧自由基的催化氧化作用使硅盖帽层氧化，且在氧化层和锗硅层的界面处形成锗凝聚；进行热退火将氧化层和锗硅层界面处凝聚的锗扩散到整个锗硅层；刻蚀去除氧化物材料层和氧化层本发明不仅实现了锗硅层锗浓度的提升，还降低高浓度锗硅层制备所需的时间和热预算，同时还保证锗硅层的工艺质量，使得锗硅层能很好的适用于半导体器件的制作，使半导体器件的性能得到改善。
一种 fdsoi 锗硅层制作方法

[发明专利]一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级真空封装方法-CN201910619306.8有效
发明人：周斌;陈志勇;王月;邢博文;魏琦;张嵘 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明方法所形成的整体结构包括基底层、器件层和盖帽层，在基底层上实现多层互联结构，优化走线布局，减小寄生电容，便于后续和外部电路之间的连接；器件层包括敏感结构、硅柱以及硅墙，硅柱用于连接盖帽层上的与基底层金属电极；硅墙分别与基底层和盖帽层键合形成真空封闭腔室。
一种单片 imu 双面电极制作圆片级真空封装方法

[实用新型]一种分布式温度传感器的封装结构-CN202020599629.3有效
发明人：张峰;杨志怀 -专利权人：宁波索拉科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01K1/08 文献下载
摘要：所述一种分布式温度传感器的封装结构，主要包括：衬底、传感器本体、弧形膜层、密封材料、导热材料、盖帽；所述衬底最为一个载体，用于承载传感器本体；所述传感器本体设置在衬底的顶面上；所述弧形膜层位于传感器本体的上方；所述弧形膜层与衬底形成一个空腔；所述密封材料使弧形膜层与衬底连接在一起；所述导热材料填充在传感器本体与弧形膜层之间；所述盖帽覆盖在弧形膜层上，盖帽与衬底通过密封材料连接成一个整体。
一种分布式温度传感器封装结构

[实用新型]一种具有开启后可复盖结构的铝盖-CN202123368070.7有效
发明人：司开田 -专利权人：安徽标兵实业有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B65D43/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有开启后可复盖结构的铝盖，包括瓶体、盖体和盖帽，瓶体上端连接盖体，所述盖体顶部一侧安装扭转弹簧，盖帽与盖体通过扭转弹簧活动连接，盖体上表面设置卡槽，盖帽下表面设置凸块，凸块可卡合在卡槽内，盖体侧壁设置按压锁，本实用新型设计合理，结构新颖，通过设置盖体、盖帽以及扭转弹簧可实现盖帽复盖，设置在盖帽上的凸块与盖体上的卡槽相卡合，凸块上的橡胶层与卡槽内的密封条相挤压，密封条包裹凸块，可起到很好的密封效果，另外通过按压按压件锁上设置在盖体侧壁的按压锁，盖帽与盖体盖合的更加牢固，可避免瓶子里的物质洒出，便于携带。
一种具有开启后可复盖结构

[实用新型]双迷宫可拆洗压力补偿滴头-CN201220014070.9有效
发明人：吴冬文 -专利权人：吴冬文
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B05B1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双迷宫可拆洗压力补偿滴头，由底座，盖帽，压力控制软胶弹片组成，底座和盖帽螺纹连接，压力控制软胶弹片置于底座和盖帽中间，在底座和盖帽中间形成内外两层迷宫流道，两层流道连通，底座的中心位置处设有进水口，盖帽的中心位置处设有出水口，本实用新型可以延长流道达到减压效果，通过软胶弹片调节压力达到稳定压力，提高产品的防堵塞能力，且拆洗方便，可重复使用，双流道口使流道阻塞的概率降低，从而延长产品使用寿命。
迷宫拆洗压力补偿